- •2. Эл. Детектировать, выпрямлять detection л 1. Раскрытие, обнаружение; 2. Радио детектирование
- •Vacant а 1. Пустой; незаполненный;
- •2 Резонанс victory п победа
- •X rays п икс-лучи, рентгеновы лучи
- •Volve, point. Перевод слов с префиксами dis-, in-, ir-, un-, non-, mal-.
- •Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 1. Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 1 Первое занятие
- •In reference to - относительно of reference — исходный, отсчет- ный; эталонный reference language — эталонный язык
- •Individual circuit chip — кристалл t малой степенью интеграции master chip — базовый кристалл microchip - микропроцессора бис
- •Раздел 1. Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 1 Второе занятие
- •Раздел 1 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 1 Второе занятие
- •5. Учитесь говорить.
- •Третье занятие Контроль изученного материала
- •Раздел 1 Третье занятие
- •Раздел 1 Третье занятие
- •1.24. 1. Дайте определение типов интегральных схем.
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Основной текст
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Перпое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 3• Первое заня ие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3• Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 4 Второе rm
- •Раздел 4. Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 4. Второе занятие
- •Раздел 4. Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 4 Третье занятие
- •Раздел 4. Третье занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 5 Второе занятие
- •Раздел 5. Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 5 Третье занятие
- •Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 5. Третье занятие
- •Раздел 5 Третье занятие
- •Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 6. Первое занятие
- •Основной текст
- •Раздел 6. Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 6. Перв. Е занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 6 Третье занятие
- •Раздел 6. Третье занятие
- •127994, Москва, гсп-4, Неглинная ул , 29/14.
239
б) Прочитайте
текст еще раз и составьте краткий
реферат на английском языке. Large-scale
Integration: Memories
There
are a number of types of memory which can be used as ICs in digital
electronics. These include:
Random-Access
Memory (RAM), wherein each memory word is accessed for reading or
writing via a specific address, access time being approximately
equal for any combination of successive locations.
Serial
Access Memory (SAM), wherein the memory consists of a circular
shift register (serial output connected to serial input). A counter
keeps track of the “address” of the bit available for reading
and writing (the serial output and input bits). To read or write a
given address, the register is shifted until the counter matches
the desired address: clearly a large change of address takes longer
than a short one.
Read-Only
Memory (ROM), in which the binary contents are wired in at the
factory as a step in the IC manufacturing procedure. These act
like RAMs, except it is not possible to change the contents.
Although it is possible to obtain custom-designed ROMs, they are
too expensive for production in small quantities.
Programmable
ROMs (PROMs), which can be written using special equipment.
These hold their contents until erased with high- intensity
ultraviolet light and re-programmed.
Programmed
Logic Arrays (PLAs), some of which can also be programmed, do not
have a full-scale memory complement, but are an expensive way of
making a ROM-like device, in which not all input codes correspond
to defined outputs, and a given output can be specified by more
than one input code.
RAMs
are used for temporary data storage because they are volatile:
that is, their contents are lost if power is removed. ROMs, PROMs,
and PLAs are non-volatile, but cannot be written on during normal
operation.Раздел 6 Второе занятие