Раздел 3 Первое занятие

137

stack и 1. масса; набор, комплект;

2. стековая память

51. aid п помощь aids п рI средства aid v помогать

52. simulate v I. моделировать; 2. ими­тировать

simulation п моделирование

51. to be due to — быть обусловлен­ным, являться следствием due to ргр вследствие due а 1. должный, надлежащий;

2. обусловленный due to the fact — благодаря факту in due course — в свое время

2. Проверьте, как вы запомнили слова.

   12. Проверьте, как вы запомнили слова.

(1-10): the lattice of the substance, to be tightly bound, to be at an in­termediate stage, to fill the gap, the top band, below the level

(11-20): a poor design, to pose a question, to improve the state of art, the former technique, to substitute the mode existing, the interior of the package, an adjacent substrate

(21—30): to insert an atom into a silicon lattice, to create deficiency of the electron, to handle the material under ordinary cir­cumstances, efforts can merely help to carry out the pro­gram, to transfer from one state into another, to be protect­ed by surface layers

(31-40): a sequence of masks, to delineate multiplicity of л-type re­gions, to be exposed to diffusion, at various stages of the pro­cess, very precise calculations, photolithographic procedures, to dissolve the salt, to prevent the excess

(41—50): an etching acid, to denote the scale, the bulk of work, the bulk of a semiconductor, to establish a new industry, harm­ful effects, the removal of acid traces

(51-60): a wafer can be sliced, to substitute by sophisticated devices, to need continuing innovations, advances in crystal growth technology, a crystal pulling equipment emerged, the depo­sition of thin films by sputtering, the outline of a circuit

(61-70): to generate new species, to yield volatile compounds, to have intricate three-dimensional architecture, the aid of comput­ers, to simulate operations

Микрстектроника настоящее и будущее

12. Найдите в тексте английские эквиваленты следующих речевых отрезков:

1. обработка подложки — непростой технологический процесс

2. физическая природа полупроводников

3. свободные носители зарядов могут возникать при минималь­ной затрате энергии

4. кристалл чистого кремния — плохой проводник

5. улучшение проводимости достигается несколькими спосо­бами

6. к кремнию добавляются примеси, чтобы создать особый тип проводимости

7. дырка — это отсутствие электрона

8. примеси могут вводиться диффузией

9. воздействуя окислителем

10. кислород влияет на многие свойства подложки из кремния

11. эпитаксия — выращивание кристаллов в сочетании с про­цессами окисления и диффузии — дает возможность созда­ния большого количества различных структур И С

12. Переведите письменно со словарем вторую часть основного текста (И). Вре­мя перевода — 60 минут.

2. Учитесь кратко излагать содержание текста.

15. Кратко изложите на английском языке содержание основного текста. Ис­пользуйте следующие выражения (выполняется письменно):

The text deals...

It is arranged as follows...

The first paragraph introduces...

The second paragraph advances the idea of ...

In conclusion ... is given.