- •2. Эл. Детектировать, выпрямлять detection л 1. Раскрытие, обнаружение; 2. Радио детектирование
- •Vacant а 1. Пустой; незаполненный;
- •2 Резонанс victory п победа
- •X rays п икс-лучи, рентгеновы лучи
- •Volve, point. Перевод слов с префиксами dis-, in-, ir-, un-, non-, mal-.
- •Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 1. Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 1 Первое занятие
- •In reference to - относительно of reference — исходный, отсчет- ный; эталонный reference language — эталонный язык
- •Individual circuit chip — кристалл t малой степенью интеграции master chip — базовый кристалл microchip - микропроцессора бис
- •Раздел 1. Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 1 Второе занятие
- •Раздел 1 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 1 Второе занятие
- •5. Учитесь говорить.
- •Третье занятие Контроль изученного материала
- •Раздел 1 Третье занятие
- •Раздел 1 Третье занятие
- •1.24. 1. Дайте определение типов интегральных схем.
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Основной текст
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Перпое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 3• Первое заня ие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3• Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 4 Второе rm
- •Раздел 4. Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 4. Второе занятие
- •Раздел 4. Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 4 Третье занятие
- •Раздел 4. Третье занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 5 Второе занятие
- •Раздел 5. Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 5 Третье занятие
- •Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 5. Третье занятие
- •Раздел 5 Третье занятие
- •Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 6. Первое занятие
- •Основной текст
- •Раздел 6. Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 6. Перв. Е занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 6 Третье занятие
- •Раздел 6. Третье занятие
- •127994, Москва, гсп-4, Неглинная ул , 29/14.
85
sired
value
of resistance. If high precision is
required,
laser-trimming is used.
If
high values are desired, the line can be laid down in a zigzag
pattern. To form a capacitance one can lay down a thin film of
insulating material between two thin films of metal.
Контроль
умения слушать и говорить.
Ответьте
развернуто на следующие вопросы:
What
were the most important facts for the development of electronics?
microelectronics?
Why
could not early transistors satisfy the needs of the growing
highspeed computers industry and microwave communication
systems?
What
is the major difference between electronic systems and
microelectronic devices?
Изложите
кратко содержание основного текста
на ашлиискоч языке. Основная тема
сообщения: “Electronics
Began with the Development of the Transistor”. Используйте
следующие клише:
The
author examines ...
The
evolution of (integrated circuits) must begin with the development
of...;
In
the broad sense (an integrated circuit) is a combination of...;
As
(chip density) increases ...;
The
(circuit density) begins ...;
Details
are given of...;
In
summary, (the integrated circuit) offers ...
1*23.
Подтвердите
или опровергните прогнозы о развитии
электроники, высказанные специалистами
в 70-е годы. Используйте следующие
выражения:
/.
As
far as I know. 5. Intensive
efforts have been devoted to .
To
my knowledge.. 6. The
efforts continue m the direction of...
For
all I know... 7. It
appears that the (process) will...
To
sum up...
1-
Further developments in thick and thin circuits will extend the
range of values achievable using deposition and evaporation
techniques, although some applications may still require
“pellet” type components.Раздел 1 Третье занятие
86
Микроэлектроника
настоящее и буду
Hybrid
microwave devices will decrease in importance as true microwave
integrated circuits become more economical.
The
use of an electron beam instead of a light beam in the
photographic process will result in integrated circuits with
vastly in~ creased numbers of functions per chip.
Materials
other than silicon will be used, and other phenomena and structures
besidesjunction barriers formed byp
and n
impurities can be considered.
3
Обсудите
проблемы использования полупроводников.
Обсудите
преимущества микроэлектроники.
Расскажите
об электронных компонентах, используя
структурно-логическую схему:
transistors,
diodes, optoelectronic
elements, power transistors, rectifiers
discrete
semiconductor deviccs
1.24. 1. Дайте определение типов интегральных схем.
focus V |
contact n |
accompany v |
proportionally < |
associate v |
reflect v |
start v |
composition n |
dominate v |
dominant a |
silicon n |
diffusion n |
center v |
effect n |
patent v |
foundation n |
Portion n |
|
|
|
|
Слова исходного уровня и предшествующего раздела | ||
density n |
performance п |
resistance n |
improvement n |
baling n |
dimension п |
area n |
cause v |
Boal/i |
reliability п |
require v |
variety n |
e*tent n |
found агу п |
research n |
propose v |
^Egest v |
previous а |
apply v |
define v |
88
Микроэлектроника
настоящее и будущее
Учитесь
переводить.
Ознакомьтесь
с типами правого определения
существительного и переведите их
(выполняется устно).
Л"...
+ Ved...
+
V1
The
state of art influenced by the development was ...
The
prediction followed by the change of the pattern can help ...
The
event faced by the designers was ...
The
wire joined completes ...
N1...
+ Ved...
+prp
+ V1
The
capability relied upon is reached ...
The
technique referred to in the paper responds ...
The
benefit called for can be achieved ...
The
array thought of points out that...
N1
+ Vto
pass
+ V1
The
concept to be referred to evolves ...
The
point to be reached exceeds...
The
mode to be considered stems from ...
The
reliability to be achieved reaches ...
N1
+Adj + enough
+ Vto
+ V1
The
impetus strong enough to give rise to the development is ...
The
shift large enough to be considered was ...
The
vehicle heavy enough to handle the load is ...
The
shrink small enough not to be considered was ...
Num
+ (N)
+ Adj
+ V1
The
shrink 5 cm long is marked ...
The
unit 4 m high was used for ...
The
film 1 mm thick is used ...
N1
+ Adj
(типа
available)
+ V1
Improvement
available is ...
Performance
necessary can ...
Chip
area present is ...
Technology
similar to the previous one is...
The
shift possible is used ...