- •2. Эл. Детектировать, выпрямлять detection л 1. Раскрытие, обнаружение; 2. Радио детектирование
- •Vacant а 1. Пустой; незаполненный;
- •2 Резонанс victory п победа
- •X rays п икс-лучи, рентгеновы лучи
- •Volve, point. Перевод слов с префиксами dis-, in-, ir-, un-, non-, mal-.
- •Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 1. Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 1 Первое занятие
- •In reference to - относительно of reference — исходный, отсчет- ный; эталонный reference language — эталонный язык
- •Individual circuit chip — кристалл t малой степенью интеграции master chip — базовый кристалл microchip - микропроцессора бис
- •Раздел 1. Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 1 Второе занятие
- •Раздел 1 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 1 Второе занятие
- •5. Учитесь говорить.
- •Третье занятие Контроль изученного материала
- •Раздел 1 Третье занятие
- •Раздел 1 Третье занятие
- •1.24. 1. Дайте определение типов интегральных схем.
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Основной текст
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Перпое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 3• Первое заня ие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3• Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 4 Второе rm
- •Раздел 4. Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 4. Второе занятие
- •Раздел 4. Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 4 Третье занятие
- •Раздел 4. Третье занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 5 Второе занятие
- •Раздел 5. Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 5 Третье занятие
- •Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 5. Третье занятие
- •Раздел 5 Третье занятие
- •Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 6. Первое занятие
- •Основной текст
- •Раздел 6. Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 6. Перв. Е занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 6 Третье занятие
- •Раздел 6. Третье занятие
- •127994, Москва, гсп-4, Неглинная ул , 29/14.
129
The
deposition of layers is followed by shaping operations, such as
etching, to form the required outlines62.
Alternatively, the film can be deposited through a mask onto the
substrate to define the outlines directly.
In
this way many identical thin-film devices can be made on a single
sheet of material, which then are cut apart to yield individual
devices.
Plasma
etching, which is expected to play an important role in manufacture
of semiconductor and other devices requiring fine-line lithography,
involves the use of a glow discharge to generate reactive species63
from relatively inert molecular gases. These reactive species
combine chemically with certain solid materials to form volatile64
compounds which are then removed by vacuum pumping system.
This
plasma-etching process has been shown to have important advantages
in terms of cost, cleanliness, fine-line resolution, and potential
for production line automation.
Additionally,
the inside of a water-fabrication must be extremely clean and
orderly: a single particle happens to cause a defect that will
result in the malfunction of a circuit. The larger the die65,
the greater the chance for a defect.
The
structure of an integrated circuit is sure to be complex both in the
topology of its surface and in its internal composition. Each
element of such a device has intricate66
three-dimensional architecture that must be reproduced exactly in
every circuit. The structure is made up of many layers, each of
which is a detailed pattern. Some of the layers lie within the
silicon wafer and others are stacked67
on the top. The manufacturing process consists in forming the
sequence of layers precisely in accordance with the plan of the
circuit designer.
Nowadays
much of the procedure by which ICs are transformed from the
conception of the circuit designer to a physical reality is done
with the aid68
of computers. In the first stage of the development of new
microelectronic circuits the designers themselves used to work at
specifying the functional characteristics of the device. They also
selected the processing steps that will be required to
manufacture it. The process was difficult and not always exact. A
computer can simulate69
the operations of the circuit. Besides, computer simulation is less
expensive than assembling a “bread-board” (макет)
circuit
made up of discrete circuit elements; it is also more accurate.
9
БухРаздел 3 Первое занятие
130
Микроэлектроника
настоящее и будущее
The
layout is known to specify the pattern of each layer of the IC. The
goal of the layout is to achieve the desired function of each
circuil in the smallest possible space. At present much of the
preliminary (предварительный)
work
is done with the aid of computers. The final layout is also
made with that of a computer.
Increasing
interest in submicron layer now poses new problems. New developments
in materials are believed to be due70
to new manufacturing forms and vice versa.
Integrated
circuit technology is evolving so rapidly that even a period as
short as six months can produce a significant change.
Проверьте,
как
вы запомнили слова.
Переведите
выделенные слова, исходя из значений,
приведенных в скобках:
process
v (обрабатывать),
processing
л,
processor
л
substance
п
(вещество), substantially
adv,
substantiate
v
intermediate
a
(промежуточный),
intermediately
adv,
medium л
expenditure
л
(расход, трата), expend
v, expense л,
expensive a
similar
a
(одинаковый),
similarity
л,
simulate v
add
v (прибавлять),
additional
a,
addition л,
adder
л
vapour
л
(nap),
vaporize v, vaporous a,
vaporizer л
transfer
v (передавать),
transferable
a\
transference л
precise
a
(точный),
precisely
adv,
precision л
dissolve
v (растворять),
dissolvable
a,
dissolvent л,
solution л
prevent
v (мешать),
prevention
л,
preventive a
harmful
a
(вредный),
harm
л,
harmless a
advance
v (двигаться
вперед), advance
л,
advanced
a
establish
v (устанавливать),
establishment
n
deposition
n
(осадок),
deposit
v, pose v, impose v
volatile
a
(летучий),
volatility
n,
volatilize v
term
n
(термин),
terminal
л,
terminate
v,
in
terms
specify
v (определять),
specification
л,
specific
a
major
a
(главный),
majority
л
Определите
значения английских слов, исходя из
контекста:
строго
defined
параметры
processing
of металла
может быть холодной