- •2. Эл. Детектировать, выпрямлять detection л 1. Раскрытие, обнаружение; 2. Радио детектирование
- •Vacant а 1. Пустой; незаполненный;
- •2 Резонанс victory п победа
- •X rays п икс-лучи, рентгеновы лучи
- •Volve, point. Перевод слов с префиксами dis-, in-, ir-, un-, non-, mal-.
- •Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 1. Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 1 Первое занятие
- •In reference to - относительно of reference — исходный, отсчет- ный; эталонный reference language — эталонный язык
- •Individual circuit chip — кристалл t малой степенью интеграции master chip — базовый кристалл microchip - микропроцессора бис
- •Раздел 1. Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 1 Второе занятие
- •Раздел 1 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 1 Второе занятие
- •5. Учитесь говорить.
- •Третье занятие Контроль изученного материала
- •Раздел 1 Третье занятие
- •Раздел 1 Третье занятие
- •1.24. 1. Дайте определение типов интегральных схем.
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Основной текст
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Перпое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 3• Первое заня ие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3• Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 4 Второе rm
- •Раздел 4. Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 4. Второе занятие
- •Раздел 4. Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 4 Третье занятие
- •Раздел 4. Третье занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 5 Второе занятие
- •Раздел 5. Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 5 Третье занятие
- •Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 5. Третье занятие
- •Раздел 5 Третье занятие
- •Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 6. Первое занятие
- •Основной текст
- •Раздел 6. Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 6. Перв. Е занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 6 Третье занятие
- •Раздел 6. Третье занятие
- •127994, Москва, гсп-4, Неглинная ул , 29/14.
95
potentially
much faster; it has a larger band gap, permitting operation at
higher temperatures; it is chemically and mechanically stable.
Mobilities in this high-purity gallium arsenide are about twice
those of germanium and four times those of silicon.
The
potential of high-purity gallium arsenide was first explicit62
in
a new gallium arsenide-germanium hetero-junction diode. The
hetero-junction device has a potential for much faster
switching than conventional 63
p-n
junction diodes. Its calculated switching time is of the order of a
few picoseconds (trillions of a second).
However,
the difficulty of producing gallium arsenide of sufficient64
purity
has limited its application.
Yet,
gallium arsenide is far from the end of the story. Any searching
for an answer makes contributions. This is the way of developing
better materials and devices.
Проверьте,
как вы запомнили слова первой части
основного текста.
Переведите
выделенные слова/словосочетания,
исходя из значений, приведенных в
скобках:
density
п
(плотность), dense
а
vulnerability
п
(уязвимость), vulnerable
а
processibility
п
(обработка), process
v
interconnection
п
(взаимосвязь), connect
v
suitable
а
(пригодный), suit
v
contribution
n
(вклад),
contribute
v
rectification
n
(выпрямление),
rectify
v
amplification
n
(усиление),
amplify
v
layer
n
(слой),
lay
v
alternately
adv
(попеременно),
alter
v
perfection
n
(совершенствование),
perfect
v
purity
n
(чистота),
pure
a
Переведите
глаголы, исходя из значений с<хпъегстъую1цих
существительных:
delay
v (delay п
— задержка)
level
v (level п
— уровень)
feature
v (feature п
— характеристика)Раздел 2 Первое занятие
96
Микроэлектроника
настоящее и будущее
turn
v (turn п
—
поворот)
trace
v (trace п
— след)
reason
v (reason n
— разум,
причина)
Переведите
следующие слова. Обратите внимание на
значения префиксов sub—
под,
ниже;
superо\*ег—
сверх,
выше;
under—
ниже
и semi—
полу:
sub-:
subdivision п,
substructure
л,
subcommittee
п
super-:
superheat п,
superstructure
я,
supernatural
a,
superfast а
в
over-:
overgrow v, overwork v, overheat v under-: underproduce v, undergrow
v, undercutting n
semi-:
semiconductor n,
semicircle n,
semiannual a
Переведите
следующие слова, исходя из значения
их антонимов:
unstable
a
(stable а
— устойчивый)
unconventional
a
(conventional а
—
обычный)
unlimited
a
(limited а
—
ограниченный)
uncontrolled
a
(controlled а
—
управляемый)
unsuitable
a
(suitable —
подходящий)
uncommon
a
(common а
—
обычный)
unlike
a
(like а
— подобный)
impossible
a
(possible а
— возможный)
imperfect
a
(perfect а
— идеальный)
impurity
п
(purity
п
—
чистота)
immobility
п
(mobility
п
— подвижность) Учитесь
слушать и говорить.
Ответьте
на вопросы, используя информацию
основного текста:
What
would you say about the steady reduction of IC feature sizes?
What
has allowed the integration of more and more devices on the same
chip?
What
does higher integration level allow?
What
are the dominant factors limiting device performance?
What
limits the design of any machine?
Who
has made a great contribution to the study of semiconductor
physics?