Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
anglysky.docx
Скачиваний:
42
Добавлен:
05.06.2015
Размер:
485.71 Кб
Скачать

Раздел 2 Первое занятие

95

potentially much faster; it has a larger band gap, permitting operation at higher temperatures; it is chemically and mechanically stable. Mo­bilities in this high-purity gallium arsenide are about twice those of germanium and four times those of silicon.

The potential of high-purity gallium arsenide was first explicit62 in a new gallium arsenide-germanium hetero-junction diode. The het­ero-junction device has a potential for much faster switching than con­ventional 63 p-n junction diodes. Its calculated switching time is of the order of a few picoseconds (trillions of a second).

However, the difficulty of producing gallium arsenide of sufficient64 purity has limited its application.

Yet, gallium arsenide is far from the end of the story. Any search­ing for an answer makes contributions. This is the way of developing better materials and devices.

  1. Проверьте, как вы запомнили слова первой части основ­ного текста.

  1. Переведите выделенные слова/словосочетания, исходя из значений, приве­денных в скобках:

  1. density п (плотность), dense а

  2. vulnerability п (уязвимость), vulnerable а

  3. processibility п (обработка), process v

  4. interconnection п (взаимосвязь), connect v

  5. suitable а (пригодный), suit v

  6. contribution n (вклад), contribute v

  7. rectification n (выпрямление), rectify v

  8. amplification n (усиление), amplify v

  9. layer n (слой), lay v

  10. alternately adv (попеременно), alter v

  11. perfection n (совершенствование), perfect v

  12. purity n (чистота), pure a

  1. Переведите глаголы, исходя из значений с<хпъегстъую1цих существительных:

  1. delay v (delay п — задержка)

  2. level v (level п — уровень)

  3. feature v (feature п — характеристика)

96

Микроэлектроника настоящее и будущее

  1. turn v (turn п — поворот)

  2. trace v (trace п — след)

  3. reason v (reason n — разум, причина)

  1. Переведите следующие слова. Обратите внимание на значения префиксов subпод, ниже; superо\*егсверх, выше; underниже и semiполу:

sub-: subdivision п, substructure л, subcommittee п

super-: superheat п, superstructure я, supernatural a, superfast а

в

over-: overgrow v, overwork v, overheat v under-: underproduce v, undergrow v, undercutting n semi-: semiconductor n, semicircle n, semiannual a

  1. Переведите следующие слова, исходя из значения их антонимов:

  1. unstable a (stable а — устойчивый)

  2. unconventional a (conventional а — обычный)

  3. unlimited a (limited а — ограниченный)

  4. uncontrolled a (controlled а — управляемый)

  5. unsuitable a (suitable — подходящий)

  6. uncommon a (common а — обычный)

  7. unlike a (like а — подобный)

  8. impossible a (possible а — возможный)

  9. imperfect a (perfect а — идеальный)

  10. impurity п (purity п — чистота)

  11. immobility п (mobility п — подвижность)

  1. Учитесь слушать и говорить.

  1. Ответьте на вопросы, используя информацию основного текста:

  1. What would you say about the steady reduction of IC feature sizes?

  2. What has allowed the integration of more and more devices on the same chip?

  3. What does higher integration level allow?

  4. What are the dominant factors limiting device performance?

  5. What limits the design of any machine?

  6. Who has made a great contribution to the study of semiconductor physics?

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]