- •2. Эл. Детектировать, выпрямлять detection л 1. Раскрытие, обнаружение; 2. Радио детектирование
- •Vacant а 1. Пустой; незаполненный;
- •2 Резонанс victory п победа
- •X rays п икс-лучи, рентгеновы лучи
- •Volve, point. Перевод слов с префиксами dis-, in-, ir-, un-, non-, mal-.
- •Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 1. Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 1 Первое занятие
- •In reference to - относительно of reference — исходный, отсчет- ный; эталонный reference language — эталонный язык
- •Individual circuit chip — кристалл t малой степенью интеграции master chip — базовый кристалл microchip - микропроцессора бис
- •Раздел 1. Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 1 Второе занятие
- •Раздел 1 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 1 Второе занятие
- •5. Учитесь говорить.
- •Третье занятие Контроль изученного материала
- •Раздел 1 Третье занятие
- •Раздел 1 Третье занятие
- •1.24. 1. Дайте определение типов интегральных схем.
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Основной текст
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Перпое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 3• Первое заня ие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3• Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 4 Второе rm
- •Раздел 4. Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 4. Второе занятие
- •Раздел 4. Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 4 Третье занятие
- •Раздел 4. Третье занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 5 Второе занятие
- •Раздел 5. Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 5 Третье занятие
- •Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 5. Третье занятие
- •Раздел 5 Третье занятие
- •Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 6. Первое занятие
- •Основной текст
- •Раздел 6. Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 6. Перв. Е занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 6 Третье занятие
- •Раздел 6. Третье занятие
- •127994, Москва, гсп-4, Неглинная ул , 29/14.
119
stances
it is not enough just to commission new-generation technology
installations. Special space vehicles will also be needed. Research
has shown that the acceleration rate on board these vehicles must be
reduced to the minimum. Power plants of the capacity of dozens of
kw, and later, of hundreds of kw are needed. Текст
2.5
С
Прочитайте
текст и укажите факторы, влияющие на
качество резиста. Выполняется
устно.
Значение выделенных слов вы сможете
понять из контекста. Photoresists
Photoresists
are high-sensitive materials used to generate etched patterns in
substrates. The quality of the etched images
depends upon the success of every step in the process, and the image
flaws
may be due to resist or nonresist imperfections, or to conditions
which underline resist performance. Some fundamental factors
influencing resist performance include adherence
coating thickness, heat treatment,
and resist response to various energy sources. Let us start with
adherence.
A
strong bond between photoresist and substrate is essential to
minimize dimensions changes during development and undercutting or
loss of adherence during etching. The intimate
contact between resist and substrate required for strong adhesion
can be inhibited by surface impurities or resist components. Zones
of weakness can be created by surface contaminants
such as dust, oil, absorbed gases (particularly absorbed
water), dopant ions, or monolayers of previous resist coatings.
Removal of obvious visible impurities such as
grease, fingerprints,
or dust can give an apparently clean surface, but contamination
is often insidious (опасный)
because
it is invisible. Wfeakly adsorbed layers of tobacco smoke, water
vapor, vacuum pump va- POrs, or nonstripped resist components may be
present, even though difficult to detect. Condensing one’s breath
on the surface or placing the wafers on a cold plate can sometimes
reveal an adsorbed pattern °n
unetched wafers after resist stripping.Раздел 2 Третье занятие
| ||||
resistive |
capacitive conductive |
active | ||
Titanium Rhenium Molybdenum Tantalum • * • |
Silicon oxides Silicon mtndes Aluminium oxide Barium titanite |
Aluminium Gold Silver Tin Copper |
Silicon Cadmium sulphide CdTe Organic semiconductors • • 4 |
121
Сравните
несколько материалов, используемых в
микроэлектронике: их физические,
электрические и другие свойства.
Расскажите,
что вы знаете о применении керамики.
(Используйте материал текста 2.6 С
“Ceramic-to-Metal
Seals”.)
Подготовьте
сообщения по следующим темам (время
подготовки — 5 минуг, высказывания —
1—2 минуты):
Intrinsic
semiconductor properties.
Silicon
and its dominant role as a material for microelectronic circuits.
New
materials and their potentials.
Докажите
правильность или ошибочность следующих
суждений:
The
silicon dioxide is particularly important in the fabrication of
integrated
circuits.
Oxygen
influences many silicon wafer properties.Раздел 2 Третье занятие
РАЗДЕЛ
ТРЕТИЙ
Основной
текст: Problems
in Microelectronic Circuit Technology.
Грамматические
явления'. Типы
сказуемого. Способы их выявления
в
тексте и их перевод.
Лексические
явления: Контекстуальное
значение слов due,
appear,
advance.
Перевод
слов с префиксами: in-,
out-, en-, inter-.
ПЕРВОЕ
ЗАНЯТИЕ
Работа
в аудитории
1.
Проверьте, знаете ли вы следующие слова.
Слова,
имеющие одинаковый корень с русскими
словами:
ordinary
а
generate
v position п
sandwich
v
process
n
voltage
n
block
v emitter n
insulator
n
regular
a
trivalent
a
collector
n
serve
v mobile a
mask
n
variety
n
manufacture
n
specification
n
associate
v attack v technique n
Слова
исходного уровня и из предшествующих
разделов
perform
v consider v bind (bound) v available a band
n
excess
n intrinsic
a requirements
n impose
v delay n
involve
v improve v create
v state
n expose v
reach
v sequence n realise
v contribute v flexible a