- •Физика конденсированного состояния вещества
- •Вводная глава
- •§1. Понятие пространства и времени.
- •§2.Масса, энергия, относительность
- •§3.Симметрия и асимметрия в неживой природе.
- •Глава I. Абстрактные группы
- •§1.Группа
- •§2.Сдвиг по группе
- •§3.Подгруппа
- •§4.Сопряжённые элементы и класс
- •§5.Инвариантная подгруппа
- •§6.Фактор – группа
- •§7. Изоморфизм и гомоморфизм групп
- •§8. Представления групп
- •§9. Характеры представлений
- •§10.Регулярное представление
- •§11. Примеры групп имеющих, приложение в физике
- •§12.Теория групп и квантовая механика
- •Глава II.Описание структуры кристаллов
- •§1.Общие свойства макроскопических тел
- •§2. Точечные группы.
- •§3. Симметрия кристаллов
- •§4.Сингонии.
- •§5.Неприводимые представления группы трансляций
- •§5.Конкретные примеры прямой и обратной решёток
- •1) Прямые решётки.
- •§6.Обозначения узлов, направлений и плоскостей в кристалле
- •§7.Определение структуры кристаллов.
- •§8. Атомный и геометрический структурный факторы
- •Глава III Движение электрона в периодическом поле
- •§1. Адиабатическое приближение
- •§2. Уравнения Хартри
- •§3 Уравнения Хартри-Фока
- •§4.Обменное взаимодействие
- •§5. Кристаллический потенциал и свойства симметрии гамильтониана
- •§6. Теорема Блоха
- •§7. Одноэлектронное уравнение Шрёдингера
- •§8. Приближение свободных электронов
- •§9. Плотность состояний
- •§10. Эффективная масса электронов
- •§11.Приближение почти свободных электронов
- •§12.Метод сильной связи
- •§13. Поверхность Ферми
- •§14. Химический потенциал и физическая статистика
- •Глава IV. Силы связи в кристаллах
- •§1. Силы Ван - дер – Ваальса
- •§2. Ионные кристаллы
- •§3.Ковалентная связь
- •§4. Металлическая связь
- •§5.Водородная связь.
- •Глава V. Динамика решётки.
- •§1. Силы упругости в кристаллах.
- •§2.Колебания и волны в одномерной атомной цепочке.
- •§3. Колебания и волны в двухатомной одномерной цепочке
- •§ 4.Нормальные колебания в трёхмерных кристаллах
- •§5. Понятие о фононах
- •§6.Спектр нормальных колебаний решётки.
- •§7.Теплоёмкость твёрдого тела
- •§8.Теплоёмкость электронного газа
- •Глава VI. Физика полупроводников
- •§1.Собственные полупроводники
- •§2. Примесные полупроводники
- •§3.Статистика электронов и дырок в полупроводниках
- •§4.Положение уровня Ферми и концентрация носителей в собственных полупроводниках
- •§5. Положение уровня Ферми и концентрация носителей в примесных полупроводниках.
- •Глава VII Кинетические свойства твёрдых тел
- •§1. Электропроводность
- •§2. Вычисление времени релаксации
- •§3. Кинетическое уравнение Больцмана
- •§4.Статическая проводимость
- •§5. Классическая теория электропроводности в магнитном поле
- •Глава VIII Растворы и химические соединения Введение
- •§1. Фазовая диаграмма.
- •§2. Упорядоченные растворы.
- •§3.Фазовые превращения.
- •§4. Типы фазовых диаграмм.
- •§5. Системы с образованием химических соединений
- •§6. Сплавы типа растворов внедрения.
- •§7. Упорядочение в сплавах
- •§8. Электронное строение сплавов и неупорядоченных систем
- •§9. Ближний порядок в сплавах
- •§10. Статистическая теория ближнего порядка
- •§11. Факторы, обусловливающие ближний порядок
- •Глава IX.Строение жидкостей и аморфных тел
- •§1. Особенности твёрдого, жидкого и газообразного состояний вещества
- •§2. Радиальные функции распределения межатомных расстояний и атомной плотности
- •§3. Функции распределения в статистической физике
- •§4.Уравнение для бинарной функции распределения
- •§5. Решение уравнения для бинарной функции распределения
- •§6.Уравнение Перкуса – Йевика
- •Глава X.Элементы физики жидких кристаллов Введение
- •§1.Классификация жидких кристаллов
- •2.Смектики c.
- •Смектики b.
- •Заключение. Фуллерены. Углеродные нити
§12.Метод сильной связи
Вычисление структуры зон представляет собой узкоспециальную область, которую в конспекте лекций не представляется возможным рассмотреть в деталях. Имеется достаточно богатая литература, где эта проблема изучается с различных точек зрения. Здесь же мы рассмотрим только один из самых первых реальных методов расчёта спектра это метод сильной связи.
Ранее уже были в кратце рассмотрены риближения свободныъх и почти свободных электронов. Основной недостаток этих методов заключается в том, что фурье разложения потенциала и волновых функций очень слабо сходятся. Поэтому рассмотрения поля решётки как возмущения оказывается неэффективным. Причина этого состоит в быстом изменении потенциала ионов вблизи ядер. В этой области, однако, электрон находится в поле, близком к полю изолированного атома, и волновая функция его должна быть близка к атомной волновой функции. Отказавшись от приближения почти свободных электронов, можно попытаться рассмотреть другой предельный случай и искать волновую функцию электрона в кристалле в форме комбинации атомных волновых функций, которые часто известны в явном виде. Однако при любом методе аппроксимации должна удовлетворяться теореме Блоха. Пусть – волновая фукция электрона в свободгном атоме, отнесённая к атому в узле l , тогда нетрудно проверить, что следующая комбинация из этих волновых функций удовлетворяет теореме Блоха
. (12.1)
Если эта функция близка к истинной, то энергия электрона в этом состоянии близка к среднему значению гамильтониана, вычисленному с помощью этой функции
(12.2)
В очень простом случае, когда атомные волновые функции, относящиеся к соседним атомам, перекрываются только слабо, мы получаем
, (12.3)
где
,(12.4)
здесь – атомный потенциал; одночастичный гамильтониан с этим потенциалом как раз и даёт энергию свободного атома.
Принятую модель легко интерпретировать физически. Рассмотрим некоторый электрон вблизи иона l=0. Потенциал в формуле (12.4) представляет собой разность между потенциалом свободного атома кристаллическим потенциалом; благодаря тому, что он отличен от нуля, электрон иммет возможность туннелировать от одного иона к другому, вследствие перекрытия атомных волновых функций, вдоль всей решётки. Выражение (12.3) представляет собой энергию возбуждения особого рода, распространяющегося от одного узла к другому со скоростью, зависящей от волнового вектора.
Чтобы представить решение в явном виде, рассмотрим в качестве примера простую кубическую решётку и предположим, что функция соответствует s – состоянию. Если существенный вклад в интеграл перекрытия (11.4) дают только ближайшие соседи, то он оказывается одним и тем же для всех направлений, и мы получаем
.(12.5)
Здесь – положительная величина. При образовании кристалла из N атомных состояний, первоначально обладавших энергией , благодаря взаимоденйствию расщепляются в зону из N уровней ширины 12 .Эта ширина зависит от того, насколько близко атомы располагаются друг к другу в кристалле. В принципе мы могли бы взять волновые функции любых атомных состояний и получить соответствующую энергетическую зону.
Так, в случае, представленном на рис. мы имеем p – зоны, которые в зависимости от межатомного расстояния r могут либо пересекаться, либо не пересекаться с s – зонами. Следует помнить, однако, что выражение (12.1) для волновой функции лишь приближённо изображает правильную волновую функцию; для получентия более точных результатов следует здесь брать более точные комбинации атомных функций.