- •ПРЕДИСЛОВИЕ
- •ЧАСТЬ I. ВАКУУМНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
- •Глава 1. Эмиссионная электроника
- •1.2. Эмиссионная электроника
- •1.2.1. Термоэлектронная эмиссия
- •1.2.2. Термоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводников
- •1.2.3. Термокатоды
- •1.2.4. Фотоэлектронная эмиссия
- •1.2.5. Вторичная электронная эмиссия
- •1.2.6. Автоэлектронная эмиссия
- •Контрольные вопросы
- •Глава 2. Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Электровакуумные приборы
- •2.1. Диоды
- •2.2. Триоды
- •2.3. Многоэлектродные лампы
- •2.4. Особенности многоэлектродных ламп различного назначения
- •2.5. Генераторные и модуляторные лампы
- •2.6. Электровакуумные приборы диапазона сверхвысоких частот
- •2.6.1. Особенности движения электронов в СВЧ полях
- •2.6.2. Клистроны – приборы с динамическим управлением электронным потоком и резонансными системами
- •2.6.3. Лампы бегущей и обратной волны (ЛБВ и ЛОВ)
- •2.6.4. Лампы со скрещенными полями
- •2.6.5. Усилитель на ЛБВ типа М
- •2.6.6. Генератор на ЛОВ типа М замкнутой конструкции (карсинотрон)
- •2.6.7. Магнетроны
- •2.6.8. Статический режим работы магнетрона
- •2.6.9. Динамический режим работы магнетрона
- •Контрольные вопросы
- •Глава 3. Электронная оптика. Электронно-лучевые приборы
- •3.1. Электронные линзы
- •3.2. Электростатические линзы
- •3.2.1. Диафрагма с круглым отверстием
- •3.2.2. Иммерсионная линза
- •3.2.3. Одиночная линза
- •3.2.4. Иммерсионный объектив
- •3.3. Магнитные линзы
- •3.4. Аберрации электронных линз
- •3.5. Электронно-оптические системы (ЭОС) электронно-лучевых приборов
- •3.6. Отклоняющие системы
- •3.6.1. Электростатическое отклонение электронных пучков
- •3.6.2. Магнитное отклонение электронных пучков
- •3.7. Некоторые особенности электронной оптики интенсивных пучков
- •3.8. Приемные электронно-лучевые трубки
- •3.9. Проекционные ЭЛТ и системы
- •3.10. Запоминающие электронно-лучевые трубки
- •3.11. Передающие электронно-лучевые трубки
- •Контрольные вопросы
- •ЧАСТЬ II. ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
- •Глава 4. Элементарные процессы в плазме
- •4.1. Введение
- •4.2. Упругие соударения электронов с атомами и молекулами газа
- •4.3. Неупругие соударения электронов с атомами и молекулами
- •4.3.1. Возбуждение
- •4.3.2. Ионизация
- •4.3.3. Ступенчатые процессы при возбуждении и ионизации молекул электронным ударом
- •4.3.4. Образование и разрушение отрицательных ионов
- •4.3.5. Диссоциация молекул
- •4.3.6. Рекомбинация
- •4.4. Движение электронов и ионов в газе
- •4.4.1. Дрейфовое движение электронов и ионов
- •4.4.2. Диффузия заряженных частиц в условиях разряда
- •Контрольные вопросы
- •Глава 5. Основные виды электрического разряда в газе
- •5.1. Классификация разрядов
- •5.2. Несамостоятельный газовый разряд
- •5.3. Условие развития самостоятельного разряда. Пробой разрядного промежутка
- •5.3.1. Тлеющий разряд
- •5.3.2. Количественная теория катодной области тлеющего разряда
- •5.3.3. Дуговой разряд
- •5.3.4. Искровой разряд
- •5.3.5. Коронный разряд
- •5.3.6. Высокочастотные разряды
- •5.3.7. Разряды на сверхвысоких частотах
- •Контрольные вопросы
- •Глава 6. Газоразрядная плазма
- •6.1. Основные понятия
- •6.2. Диагностика плазмы
- •6.2.1. Метод зондов Лангмюра
- •6.2.2. Оптические методы исследования плазмы
- •6.2.3. Сверхвысокочастотные методы диагностики плазмы
- •6.3. Теории газоразрядной плазмы
- •Контрольные вопросы
- •Глава 7. Газоразрядные приборы
- •7.1. Приборы тлеющего разряда
- •7.1.1. Световые индикаторы
- •7.1.2. Стабилитроны тлеющего разряда
- •7.1.3. Вентили (газотроны) тлеющего разряда
- •7.1.4. Тиратроны тлеющего разряда
- •7.1.5. Переключаемые световые индикаторы
- •7.2.1. Газоразрядные источники света
- •7.3. Ионизационные камеры и счетчики излучений
- •7.3.1. Ионизационные камеры
- •7.3.2. Пропорциональные счетчики
- •7.3.3. Счетчики Гейгера
- •7.4. Разрядники антенных переключателей
- •7.5. Газоразрядные индикаторные панели
- •7.6. Газоразрядные знаковые индикаторы (монодисплеи)
- •7.6.1. ГИП постоянного тока
- •7.6.2. ГИП переменного тока
- •7.6.3. Получение полутоновых изображений на ГИП
- •Контрольные вопросы
- •ЧАСТЬ III. ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
- •8.1. Концентрация носителей заряда в полупроводниках
- •8.2. Электропроводность полупроводников
- •8.3. Диффузионное движение носителей заряда в полупроводниках
- •8.4. Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •8.5. Поверхностные явления в полупроводниках
- •Контрольные вопросы
- •Глава 9. Электрические переходы
- •9.1. Структура и основные параметры n-p перехода
- •9.2. Равновесное состояние n-p перехода
- •9.3. Неравновесное состояние n-p перехода. Явления инжекции и экстракции носителей заряда
- •9.4. ВАХ идеализированного перехода
- •9.5. ВАХ реального n-p перехода
- •9.7. Емкостные свойства n-p перехода
- •9.8. Контакт металл-полупроводник
- •9.9. Гетеропереходы
- •Контрольные вопросы
- •Глава 10. Полупроводниковые диоды
- •10.1. Выпрямительные диоды
- •10.2. Высокочастотные и сверхвысокочастотные диоды
- •10.3. Импульсные диоды
- •10.4. Стабилитроны
- •10.5. Полупроводниковые управляемые емкости (варикапы)
- •10.6. Туннельные и обращенные диоды
- •10.7. Диоды Шотки
- •10.8. Диоды Ганна
- •10.9. Лавинно-пролетные диоды
- •Контрольные вопросы
- •Глава 11. Биполярные транзисторы
- •11.1. Классификация биполярных транзисторов
- •11.2. Физические процессы в транзисторе
- •11.3. Распределение токов в транзисторе
- •11.4. Эффект модуляции ширины базы
- •11.5. Статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора
- •11.6. Частотные характеристики биполярного транзистора
- •Контрольные вопросы
- •Глава 12. Тиристоры
- •12.1. Классификация тиристоров
- •12.2. Распределение токов в тиристоре
- •12.3. Особенности работы управляемых тиристоров
- •12.4. Тиристор с симметричной ВАХ
- •Контрольные вопросы
- •Глава 13. Униполярные полупроводниковые приборы
- •13.1. Классификация и основные особенности
- •13.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)
- •13.4. Дифференциальные параметры МДП-транзистора
- •13.5. Принцип работы полевого транзистора с управляющим n-p переходом
- •13.6. Частотные характеристики МДП-танзисторов
- •13.7. Сравнительная характеристика МДП и биполярного транзистора
- •13.8. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
- •Контрольные вопросы
- •Глава 14. Светоизлучающие и фотоэлектронные полупроводниковые приборы
- •14.1. Светоизлучающие полупроводниковые приборы
- •14.1.1. Светодиоды
- •14.2. Фотоэлектронные полупроводниковые приборы
- •14.2.1. Поглощение оптического излучения полупроводниками
- •14.2.2. Фоторезистивный эффект и приборы на его основе
- •14.2.3. Фотоэлектрический эффект в n-р переходе
- •14.2.4. Фототранзисторы и фототиристоры
- •14.2.5. Оптоэлектронные пары
- •Контрольные вопросы
- •Глава 15. Полупроводниковые датчики
- •15.1. Датчики температуры
- •15.2. Датчики деформации
- •15.3. Датчики магнитного поля
- •Контрольные вопросы
- •Глава 16. Основы квантовой электроники
- •16.2. Физические основы взаимодействия излучения с веществом
- •16.2.1. Форма и ширина спектральной линии
- •16.3. Устройство и принципы работы лазеров
- •16.3.1. Рабочее вещество
- •16.3.2. Создание инверсии
- •16.3.3. Условия создания инверсной населенности
- •16.3.4. Двухуровневая система
- •16.3.5. Трехуровневые системы
- •16.3.6. Четырехуровневая система
- •16.3.7. Оптические резонаторы
- •16.3.8. Условия самовозбуждения и насыщения усиления
- •16.4. Свойства лазерного излучения
- •16.4.1. Монохроматичность
- •16.4.2. Когерентность
- •16.4.3. Поляризация излучения
- •16.4.4. Направленность и возможность фокусирования излучения
- •16.4.5. Яркость и мощность излучения
- •16.5. Типы лазеров
- •16.5.1. Твердотельные лазеры
- •16.5.2. Рубиновый лазер
- •16.5.3. Неодимовый стеклянный лазер
- •16.5.4. Nd – ИАГ – лазеры
- •16.5.5. Газовые лазеры
- •16.5.6. Атомные лазеры
- •16.5.7. Лазеры на парах металлов
- •16.5.8. Ионные лазеры
- •16.5.9. Молекулярные лазеры
- •16.5.10. Эксимерные лазеры
- •16.5.11. Газовые лазеры в инфракрасной области спектра
- •16.5.12. Химические лазеры
- •16.5.13. Газодинамические лазеры
- •16.5.14. Электроионизационные лазеры
- •16.5.15. Полупроводниковые лазеры
- •16.5.16. Жидкостные лазеры
- •Контрольные вопросы
- •Глава 17. Основы оптоэлектроники
- •17.1. Этапы и перспективы развития оптической электроники
- •17.2. Источники излучения для оптоэлектроники
- •17.3. Фотоэлектронные приемники излучения
- •17.4. Модуляция лазерного излучения
- •17.4.1. Физические основы модуляции лазерного излучения
- •17.4.2. Оптические модуляторы
- •17.4.3. Дефлекторы
- •17.5.1. Элементная база ВОЛС
- •17.5.2. Классификация ВОЛС
- •17.6. Оптические методы запоминания и хранения информации. Оптические (лазерные) диски
- •17.7. Голографические системы хранения и обработки информации
- •17.7.1. Принцип голографии
- •17.7.2. Голографическое запоминающее устройство
- •17.7.3. Голографические схемы записи и считывания информации
- •17.8. Системы отображения информации
- •17.8.1. Особенности зрительного восприятия информации
- •17.8.2. Физические эффекты, используемые для отображения информации
- •17.8.3. Жидкокристаллические индикаторы
- •17.8.4. Жидкокристаллические индикаторные панели
- •17.9. Электролюминесцентные индикаторы
- •17.10. Дисплеи с полевой (автоэлектронной) эмиссией
- •17.11. Отражающие дисплеи (электронная бумага)
- •17.12. Системы отображения информации на основе полупроводниковых светодиодов
- •Контрольные вопросы
- •ЧАСТЬ V. ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ, МИКРО И НАНОЭЛЕКТРОНИКА
- •Глава 18. Предмет микроэлектроники
- •18.1. Основные термины и определения
- •18.2. Классификация ИМС
- •18.2.1. Плёночные ИМС
- •18.2.2. Гибридные ИС
- •18.2.3. Полупроводниковые ИМС
- •18.2.4. Совмещенные ИМС
- •18.3. Система обозначений ИМС
- •Контрольные вопросы
- •Глава 19. Биполярные структуры в микроэлектронике
- •19.1. Транзисторы с изоляцией на основе n-p перехода
- •19.2. Транзисторы с диэлектрической изоляцией
- •19.3. Транзисторы с комбинированной изоляцией
- •19.4. Транзисторы типа p–n–p
- •19.5. Многоэмиттерные транзисторы
- •19.6. Многоколлекторные транзисторы
- •19.7. Транзисторы с диодом Шотки
- •19.8. Интегральные диоды и стабилитроны
- •Контрольные вопросы
- •Глава 20. Униполярные структуры в микроэлектронике
- •20.1.1. МДП–транзистор с алюминиевым затвором
- •20.1.3. Конструкция Д–МДП–транзисторов
- •20.1.4. Комплементарные микроэлектронные структуры
- •20.2.1. Пороговое напряжение
- •20.2.2. Вольт-амперные характеристики
- •20.4. Принцип действия МЕП-транзистора
- •20.5. Элементы полупроводниковых постоянных запоминающих устройств (ПЗУ)
- •20.5.1. МНОП-транзистор
- •20.5.3. Двухзатворный МДП–транзистор
- •Контрольные вопросы
- •Глава 21. Микроэлектроника субмикронных СБИС
- •21.2. Методы улучшения характеристик субмикронных МДП-транзисторов
- •21.2.1. Ореол
- •21.2.2. Ретроградное распределение
- •21.2.3. Подзатворный диэлектрик
- •21.2.4. Области стока и истока
- •21.2.5. Напряженный кремний
- •21.3. Субмикронные МДП-транзисторы на диэлектрических подложках
- •21.3.1. Структуры «кремний на изоляторе»
- •21.3.2. Cтруктура «кремний ни на чём»
- •21.4.1. Транзисторы с двойным и с окольцовывающим затвором
- •21.4.2. Транзисторы с вертикальным каналом
- •21.5. Особенности субмикронных транзисторов для аналоговых применений
- •Контрольные вопросы
- •Глава 22. Гетероструктуры в микроэлектронике
- •22.1. Основные свойства гетероперехода
- •22.1.1. Сверхинжекция неравновесных носителей заряда в гетеропереходе
- •22.1.2. Понятие о двухмерном электронном газе
- •22.2. Гетероструктурные полевые транзисторы
- •22.2.1. Транзистор с высокой подвижностью электронов (НЕМТ)
- •22.2.2. Псевдоморфные и метаморфные структуры (р-НЕМТ и m-НЕМТ)
- •22.2.3. НЕМТ на подложках из GaN
- •22.3. Гетеропереходные биполярные транзисторы
- •22.4. Интегральные микросхемы на гетеропереходных полевых транзисторах
- •Контрольные вопросы
- •Глава 23. Пассивные элементы ИМС
- •23.1. Полупроводниковые резисторы
- •23.2. Плёночные резисторы
- •23.3. Конденсаторы и индуктивные элементы
- •23.4. Коммутационные соединения
- •23.4.1. Задержка распространения сигнала
- •23.4.2. Электороимграция
- •Контрольные вопросы
- •Глава 24. Функциональная электроника
- •24.1. Пьезоэлектроника
- •24.2. Оптоэлектроника
- •24.3. Акустоэлектроника
- •24.4. Магнитоэлектроника
- •24.5. Криоэлектроника
- •24.6. Хемотроника
- •24.7. Молекулярная и биоэлектроника
- •24.8. Приборы с зарядовой связью
- •24.9. Диэлектрическя электроника
- •24.10. Приборы на основе аморфных материалов
- •Глава 25. ОСНОВЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
- •25.1. Квантовые основы наноэлектроники
- •25.1.1. Квантовое ограничение
- •25.1.2. Интерференционные эффекты
- •25.1.3. Туннелирование
- •25.3. Квантовые транзисторы
- •25.4. Нанотрубки в электронике
- •25.5. Графеновые транзисторы (спинтроника)
- •25.6. Молекулярная электроника
- •25.6.1. Квантовые компьютеры
- •25.7. Заключение
- •Список рекомендуемой литературы
- •CПРАВОЧНЫЙ РАЗДЕЛ
- •Содержание
напряжениями (от 0,5 до 3 В), что существенно при изготовлении индикаторов с автономным питанием.
Достоинствами твист-эффекта являются относительно высокая крутизна вольт-контрастной характеристики, достаточно высокое быстродействие и
слабая зависимость электрооптических характеристик от длины волны падающего света в видимой области спектра. В настоящее время устройства на твист-эффекте являются самыми распространенными жидкокристаллическими системами. Они применяются в панелях управления автомобилей и самолетов, счетчиках бензоколонок и кассовых аппаратов, индикаторах радиоаппаратуры и измерительных приборов, микрокалькуляторах и электронных играх. Наиболее высокими темпами роста отличается производство ЖК-дисплеев для персональных компьютеров и портативных телевизоров (порядка 50% в год). Особое место занимает твист-эффект в системах оптической обработки и преобразования информации – в управляемых транспарантах, структурах фотопроводник – жидкий кристалл, фильтрах оптических изображений, модуляторах света, четвертьволновых пластинах и т.д.
Фазовый переход. Жидкокристаллическая ячейка с примесью холестерического жидкого кристалла с положительной диэлектрической анизотропией рассеивает свет, образуя жидкокристаллическую непрозрачную ячейку молочного цвета. При увеличении электрического поля молекулы жидкого кристалла ориентируются в направлении поля, и ячейка становится прозрачной.
Оптический эффект "гость – хозяин". Краситель, обладающий
свойством менять спектр проходящего света в зависимости от ориентации молекул, называется плеохроическим. Если такой краситель смешать с жидким кристаллом, то появляется возможность с помощью электрического поля менять как ориентацию жидкого кристалла, так и молекул красителя, то есть изменять цвет жидкокристаллической ячейки. В такой ячейке жидкий кристалл называется "хозяином", а краситель – "гостем".
17.8.4. Жидкокристаллические индикаторные панели
Жидкокристаллическая индикаторная панель представляет собой двухмерную матрицу XY управляющих электродов, точки пересечения которых образуют жидкокристаллические ячейки, каждая из которых может
воспроизводить один элемент изображения при приложении напряжения к соответствующим электродам. На рис. 17.18 приведена электрическая характеристика такой ячейки.
346
T |
|
Открытое |
|
состояние |
|
Закрытое |
|
состояние |
|
Vt |
U |
Рис. 17.18. Электрическая характеристика ЖКИ ячейки |
При приложении напряжения меньше порогового ячейка закрыта, т.е. не пропускает свет. Если приложенное напряжение превышает пороговое, ячейка переходит в открытое состояние (возбуждается).
Так как в жидкокристаллических индикаторах используется переориентация крупных органических молекул, быстродействие их сравнительно невелико и составляет около 10 мс. При динамическом
возбуждении к столбцам электродов прикладывают стробированное напряжение, а к строкам – импульсное. При этом пороговое напряжение и число строк разложения зависят от частоты внешнего напряжения.
Активным матричным индикатором называется прибор, в котором каждая индикаторная ячейка возбуждается независимо от других. Для
практической реализации активного матричного индикатора с большим экраном применяется интеграция ячеек со схемой управления. В таком индикаторе используется матрица МОП-транзисторов, затворы и стоки которых соединяются с Х и Y шинами возбуждения матрицы адресации. При возбуждении какой-либо затворной шины отпираются МОП-транзисторы этого столбца и через шины, к которым присоединены стоки транзисторов, осуществляется инжекция зарядов в накопительную емкость, напряжение на которой определяет оптические свойства ячейки. Так как интенсивность отраженного света можно изменять в зависимости от потенциала шин, к которым подсоединены стоки транзисторов, то оказывается возможной индикация тоновых изображений. На рис. 17.19 приведен пример активного
матричного индикатора на тонкопленочных транзисторах из аморфного кремния, которые образуют на стеклянной подложке коммутационную матрицу адресации.
347
Рис. 17.19. Схема активного матричного индикатора
Жидкокристаллические ячейки могут быть построены на эффекте "гость-хозяин". Использование транзисторов, изготовленных из аморфного кремния на стеклянной подложке, снимает ограничения на площадь экрана,
которые имеют место при использовании монокристаллических кремниевых пластин.
Воспроизведение цветного изображения
Для воспроизведения цветного изображения на жидкокристаллических экранах могут быть использованы следующие приемы.
1.При двойном лучепреломлении, управляемом электрическим полем,
интенсивность прошедшего через анализатор света зависит от угла между направлением поляризации падающего света и направлением проекции оси ориентации молекул жидкого кристалла поверхность стекла. Поскольку угол поворота направления поляризации зависит от длины волны, появляется возможность цветного воспроизведения. На первом месте по простоте конструкции в этом
случае стоят ЖКИ на эффекте управляемого электрическим полем шага спирали холестерических жидких кристаллов. Изменение шага
спирали приводит к изменению цвета плоскостной холестерической структуры. Для понижения рабочего напряжения добавляют
некоторое количество нематического жидкого кристалла с большой величиной положительной анизотропии. Недостатками таких
348
индикаторов являются узкий температурный интервал работы и сравнительно высокие рабочие напряжения (до 100 В).
2.В индикаторах с эффектом "гость-хозяин" цветное воспроизведение можно осуществлять, используя дихроизм красителя. Краситель в этом случае определяет только цвет изображения. Для обеспечения
приемлемой контрастности концентрация красителя обычно не превышает 1%. Управляющие напряжения составляют 8 – 10 В. В цветных индикаторах, работающих на смесях ЖК с плеохроичными красителями необходимо использовать поляризованный свет,
поэтому в практических конструкциях предусматривается установка поляризатора. Недостатками индикаторов на эффекте "гость-хозяин"
являются малая контрастность изображения и бледные ненасыщенные цвета.
3.Цветное отображение произвольного изображения любого цвета можно осуществить на основе комбинации трех основных цветов, управляя цветом в каждой ячейке. Для этого применяются цветные светофильтры, обеспечивающие цвет излучения, а жидкий кристалл управляет только интенсивностью проходящего света. На рис. 17.20
показана возможность воспроизведения цветного телевизионного изображения на основе "твист-эффекта" в нематическом жидком кристалле.
ЗС К З С К
Освещение
Рис. 17.20. Принцип воспроизведения цветного изображения
Трудности создания больших ЖК панелей связаны с тем, что при
увеличении размеров в возрастающей степени проявляются такие недостатки, как низкий контраст, ограниченный угол обзора, невысокое разрешение. Решение этих проблем возможно двумя путями: созданием
новых жидкокристаллических материалов и использованием более совершенных методов адресации.
Серийные жидкокристаллические панели на стандартных нематических жидких кристаллах с твист-эффектом имеют следующие параметры:
349
∙информационная емкость 640 на 200,
∙диагональ экрана до 30 см,
∙быстродействие 30 – 50 мс,
∙угол обзора менее 30 градусов,
∙контраст 1:3,
∙диапазон рабочих температур 273 – 323 К,
∙потребляемая мощность 0,2 Вт,
∙долговечность 50000 часов,
∙толщина 15 – 20 мм.
Впоследние годы разработаны новые жидкокристаллические материалы, например, усовершенствованные нематические ЖК с твист- эффектом, сегнетоэлектрические ЖК, нематические ЖК с супертвист- эффектом, смектические ЖК. Их использование позволило улучшить ряд параметров жидкокристаллических экранов. Так, угол обзора увеличен до 60
–180 градусов, контраст – до 1:5 – 1:10. Для сегнетоэлектрических ЖК достигнуто быстродействие порядка 0,1 мс, что позволяет использовать их в телевизорах плоской конструкции. Панели на ЖК с супертвист-эффектом
характеризуются исключительно высоким качеством изображения и могут конкурировать с другими системами отображения информации в дисплеях с высоким разрешением. Панели на смектических ЖК отличаются очень высокой информационной емкостью (420 на 780) и широким углом обзора – до 180 градусов, но имеют низкое быстродействие около 0,3 мс, что ограничивает их широкое применение.
Ведутся активные работы по созданию ЖК панелей на активных матрицах. Активные матрицы изготовляются на тонкопленочных
транзисторах или диодных структурах из поликристаллического и аморфного кремния. Использование транзисторных структур позволяет получать высокое качество изображения и высокое разрешение, что важно для дисплеев специального назначения. Диодные матрицы представляются предпочтительными для экранов больших размеров. Согласно прогнозу,
жидкокристаллические панели с активными матрицами будут основными выпускаемыми приборами.
Вцветных дисплеях использование микрофильтров позволяет обеспечить полный набор цветов в панелях с мультиплексной адресацией и с активными матрицами. В последнем случае качество изображения близко к получаемому на ЭЛТ. Основные недостатки цветных ЖК панелей –
необходимость достаточно эффективной подсветки для компенсации потерь света из-за использования фильтров, что заметно увеличивает потребление электроэнергии, и сложность технологии изготовления, а следовательно, и более высокая стоимость по сравнению с монохромными панелями.
Вкачестве примера современных цветных жидкокристаллических экранов приведем 22-дюймовый ЖК-монитор фирмы DELL модели
E228WFP.
350