кремнии, хотя и ограничен главным образом микроволновыми ИС средней степени интеграции. Такая ситуация обусловлена существенно более высокой стоимостью как исходного материала, так и производства изделий. В целом общим правилом может служить тезис: «то, что можно сделать на кремнии, надо делать на кремнии». Стоимость цифровых БИС и СБИС в значительной степени определяется процентом выхода годных, который, в свою очередь, определяется дефектностью исходного материала и технологическим разбросом пороговых напряжений транзисторов, который увеличивается с уменьшением длины каналов. По-видимому, в ближайшее время этот фактор, ограничивающий применение БИС и СБИС на соединениях А3В5, будет нейтрализован.

Контрольные вопросы

1.Какие соединения используются для создания гетеропереходов?

2.С какой целью алюминий вводится в состав арсенида галлия при создании гетероструктур?

3.Поясните, в чем заключается явление сверхинжекции в гетеропереходе.

4.Что такое двумерный электронный газ, и при каких условиях он образуется?

5.Каким образом осуществляется управление током в гетеросруктурных полевых транзисторах?

6.В чем отличие метаморфных и псеводоморфных транзисторов?

7.С какой целью в структуры транзисторов с высокой подвижностью электронов вводятся буферные слои?

8.Какими достоинствами обладают гетероструктурные транзисторы на подложках из нитрида галлия?

9.Каким образом регулируется ток стока в транзисторах с высокой подвижностью электронов?

10.Какие свойства гетеропереходов используются при их использовании для создания биполярных транзисторов?

11.Перечислите основные сферы применения гетероструктурных транзисторов.

437