- •ПРЕДИСЛОВИЕ
- •ЧАСТЬ I. ВАКУУМНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
- •Глава 1. Эмиссионная электроника
- •1.2. Эмиссионная электроника
- •1.2.1. Термоэлектронная эмиссия
- •1.2.2. Термоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводников
- •1.2.3. Термокатоды
- •1.2.4. Фотоэлектронная эмиссия
- •1.2.5. Вторичная электронная эмиссия
- •1.2.6. Автоэлектронная эмиссия
- •Контрольные вопросы
- •Глава 2. Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Электровакуумные приборы
- •2.1. Диоды
- •2.2. Триоды
- •2.3. Многоэлектродные лампы
- •2.4. Особенности многоэлектродных ламп различного назначения
- •2.5. Генераторные и модуляторные лампы
- •2.6. Электровакуумные приборы диапазона сверхвысоких частот
- •2.6.1. Особенности движения электронов в СВЧ полях
- •2.6.2. Клистроны – приборы с динамическим управлением электронным потоком и резонансными системами
- •2.6.3. Лампы бегущей и обратной волны (ЛБВ и ЛОВ)
- •2.6.4. Лампы со скрещенными полями
- •2.6.5. Усилитель на ЛБВ типа М
- •2.6.6. Генератор на ЛОВ типа М замкнутой конструкции (карсинотрон)
- •2.6.7. Магнетроны
- •2.6.8. Статический режим работы магнетрона
- •2.6.9. Динамический режим работы магнетрона
- •Контрольные вопросы
- •Глава 3. Электронная оптика. Электронно-лучевые приборы
- •3.1. Электронные линзы
- •3.2. Электростатические линзы
- •3.2.1. Диафрагма с круглым отверстием
- •3.2.2. Иммерсионная линза
- •3.2.3. Одиночная линза
- •3.2.4. Иммерсионный объектив
- •3.3. Магнитные линзы
- •3.4. Аберрации электронных линз
- •3.5. Электронно-оптические системы (ЭОС) электронно-лучевых приборов
- •3.6. Отклоняющие системы
- •3.6.1. Электростатическое отклонение электронных пучков
- •3.6.2. Магнитное отклонение электронных пучков
- •3.7. Некоторые особенности электронной оптики интенсивных пучков
- •3.8. Приемные электронно-лучевые трубки
- •3.9. Проекционные ЭЛТ и системы
- •3.10. Запоминающие электронно-лучевые трубки
- •3.11. Передающие электронно-лучевые трубки
- •Контрольные вопросы
- •ЧАСТЬ II. ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
- •Глава 4. Элементарные процессы в плазме
- •4.1. Введение
- •4.2. Упругие соударения электронов с атомами и молекулами газа
- •4.3. Неупругие соударения электронов с атомами и молекулами
- •4.3.1. Возбуждение
- •4.3.2. Ионизация
- •4.3.3. Ступенчатые процессы при возбуждении и ионизации молекул электронным ударом
- •4.3.4. Образование и разрушение отрицательных ионов
- •4.3.5. Диссоциация молекул
- •4.3.6. Рекомбинация
- •4.4. Движение электронов и ионов в газе
- •4.4.1. Дрейфовое движение электронов и ионов
- •4.4.2. Диффузия заряженных частиц в условиях разряда
- •Контрольные вопросы
- •Глава 5. Основные виды электрического разряда в газе
- •5.1. Классификация разрядов
- •5.2. Несамостоятельный газовый разряд
- •5.3. Условие развития самостоятельного разряда. Пробой разрядного промежутка
- •5.3.1. Тлеющий разряд
- •5.3.2. Количественная теория катодной области тлеющего разряда
- •5.3.3. Дуговой разряд
- •5.3.4. Искровой разряд
- •5.3.5. Коронный разряд
- •5.3.6. Высокочастотные разряды
- •5.3.7. Разряды на сверхвысоких частотах
- •Контрольные вопросы
- •Глава 6. Газоразрядная плазма
- •6.1. Основные понятия
- •6.2. Диагностика плазмы
- •6.2.1. Метод зондов Лангмюра
- •6.2.2. Оптические методы исследования плазмы
- •6.2.3. Сверхвысокочастотные методы диагностики плазмы
- •6.3. Теории газоразрядной плазмы
- •Контрольные вопросы
- •Глава 7. Газоразрядные приборы
- •7.1. Приборы тлеющего разряда
- •7.1.1. Световые индикаторы
- •7.1.2. Стабилитроны тлеющего разряда
- •7.1.3. Вентили (газотроны) тлеющего разряда
- •7.1.4. Тиратроны тлеющего разряда
- •7.1.5. Переключаемые световые индикаторы
- •7.2.1. Газоразрядные источники света
- •7.3. Ионизационные камеры и счетчики излучений
- •7.3.1. Ионизационные камеры
- •7.3.2. Пропорциональные счетчики
- •7.3.3. Счетчики Гейгера
- •7.4. Разрядники антенных переключателей
- •7.5. Газоразрядные индикаторные панели
- •7.6. Газоразрядные знаковые индикаторы (монодисплеи)
- •7.6.1. ГИП постоянного тока
- •7.6.2. ГИП переменного тока
- •7.6.3. Получение полутоновых изображений на ГИП
- •Контрольные вопросы
- •ЧАСТЬ III. ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
- •8.1. Концентрация носителей заряда в полупроводниках
- •8.2. Электропроводность полупроводников
- •8.3. Диффузионное движение носителей заряда в полупроводниках
- •8.4. Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •8.5. Поверхностные явления в полупроводниках
- •Контрольные вопросы
- •Глава 9. Электрические переходы
- •9.1. Структура и основные параметры n-p перехода
- •9.2. Равновесное состояние n-p перехода
- •9.3. Неравновесное состояние n-p перехода. Явления инжекции и экстракции носителей заряда
- •9.4. ВАХ идеализированного перехода
- •9.5. ВАХ реального n-p перехода
- •9.7. Емкостные свойства n-p перехода
- •9.8. Контакт металл-полупроводник
- •9.9. Гетеропереходы
- •Контрольные вопросы
- •Глава 10. Полупроводниковые диоды
- •10.1. Выпрямительные диоды
- •10.2. Высокочастотные и сверхвысокочастотные диоды
- •10.3. Импульсные диоды
- •10.4. Стабилитроны
- •10.5. Полупроводниковые управляемые емкости (варикапы)
- •10.6. Туннельные и обращенные диоды
- •10.7. Диоды Шотки
- •10.8. Диоды Ганна
- •10.9. Лавинно-пролетные диоды
- •Контрольные вопросы
- •Глава 11. Биполярные транзисторы
- •11.1. Классификация биполярных транзисторов
- •11.2. Физические процессы в транзисторе
- •11.3. Распределение токов в транзисторе
- •11.4. Эффект модуляции ширины базы
- •11.5. Статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора
- •11.6. Частотные характеристики биполярного транзистора
- •Контрольные вопросы
- •Глава 12. Тиристоры
- •12.1. Классификация тиристоров
- •12.2. Распределение токов в тиристоре
- •12.3. Особенности работы управляемых тиристоров
- •12.4. Тиристор с симметричной ВАХ
- •Контрольные вопросы
- •Глава 13. Униполярные полупроводниковые приборы
- •13.1. Классификация и основные особенности
- •13.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)
- •13.4. Дифференциальные параметры МДП-транзистора
- •13.5. Принцип работы полевого транзистора с управляющим n-p переходом
- •13.6. Частотные характеристики МДП-танзисторов
- •13.7. Сравнительная характеристика МДП и биполярного транзистора
- •13.8. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
- •Контрольные вопросы
- •Глава 14. Светоизлучающие и фотоэлектронные полупроводниковые приборы
- •14.1. Светоизлучающие полупроводниковые приборы
- •14.1.1. Светодиоды
- •14.2. Фотоэлектронные полупроводниковые приборы
- •14.2.1. Поглощение оптического излучения полупроводниками
- •14.2.2. Фоторезистивный эффект и приборы на его основе
- •14.2.3. Фотоэлектрический эффект в n-р переходе
- •14.2.4. Фототранзисторы и фототиристоры
- •14.2.5. Оптоэлектронные пары
- •Контрольные вопросы
- •Глава 15. Полупроводниковые датчики
- •15.1. Датчики температуры
- •15.2. Датчики деформации
- •15.3. Датчики магнитного поля
- •Контрольные вопросы
- •Глава 16. Основы квантовой электроники
- •16.2. Физические основы взаимодействия излучения с веществом
- •16.2.1. Форма и ширина спектральной линии
- •16.3. Устройство и принципы работы лазеров
- •16.3.1. Рабочее вещество
- •16.3.2. Создание инверсии
- •16.3.3. Условия создания инверсной населенности
- •16.3.4. Двухуровневая система
- •16.3.5. Трехуровневые системы
- •16.3.6. Четырехуровневая система
- •16.3.7. Оптические резонаторы
- •16.3.8. Условия самовозбуждения и насыщения усиления
- •16.4. Свойства лазерного излучения
- •16.4.1. Монохроматичность
- •16.4.2. Когерентность
- •16.4.3. Поляризация излучения
- •16.4.4. Направленность и возможность фокусирования излучения
- •16.4.5. Яркость и мощность излучения
- •16.5. Типы лазеров
- •16.5.1. Твердотельные лазеры
- •16.5.2. Рубиновый лазер
- •16.5.3. Неодимовый стеклянный лазер
- •16.5.4. Nd – ИАГ – лазеры
- •16.5.5. Газовые лазеры
- •16.5.6. Атомные лазеры
- •16.5.7. Лазеры на парах металлов
- •16.5.8. Ионные лазеры
- •16.5.9. Молекулярные лазеры
- •16.5.10. Эксимерные лазеры
- •16.5.11. Газовые лазеры в инфракрасной области спектра
- •16.5.12. Химические лазеры
- •16.5.13. Газодинамические лазеры
- •16.5.14. Электроионизационные лазеры
- •16.5.15. Полупроводниковые лазеры
- •16.5.16. Жидкостные лазеры
- •Контрольные вопросы
- •Глава 17. Основы оптоэлектроники
- •17.1. Этапы и перспективы развития оптической электроники
- •17.2. Источники излучения для оптоэлектроники
- •17.3. Фотоэлектронные приемники излучения
- •17.4. Модуляция лазерного излучения
- •17.4.1. Физические основы модуляции лазерного излучения
- •17.4.2. Оптические модуляторы
- •17.4.3. Дефлекторы
- •17.5.1. Элементная база ВОЛС
- •17.5.2. Классификация ВОЛС
- •17.6. Оптические методы запоминания и хранения информации. Оптические (лазерные) диски
- •17.7. Голографические системы хранения и обработки информации
- •17.7.1. Принцип голографии
- •17.7.2. Голографическое запоминающее устройство
- •17.7.3. Голографические схемы записи и считывания информации
- •17.8. Системы отображения информации
- •17.8.1. Особенности зрительного восприятия информации
- •17.8.2. Физические эффекты, используемые для отображения информации
- •17.8.3. Жидкокристаллические индикаторы
- •17.8.4. Жидкокристаллические индикаторные панели
- •17.9. Электролюминесцентные индикаторы
- •17.10. Дисплеи с полевой (автоэлектронной) эмиссией
- •17.11. Отражающие дисплеи (электронная бумага)
- •17.12. Системы отображения информации на основе полупроводниковых светодиодов
- •Контрольные вопросы
- •ЧАСТЬ V. ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ, МИКРО И НАНОЭЛЕКТРОНИКА
- •Глава 18. Предмет микроэлектроники
- •18.1. Основные термины и определения
- •18.2. Классификация ИМС
- •18.2.1. Плёночные ИМС
- •18.2.2. Гибридные ИС
- •18.2.3. Полупроводниковые ИМС
- •18.2.4. Совмещенные ИМС
- •18.3. Система обозначений ИМС
- •Контрольные вопросы
- •Глава 19. Биполярные структуры в микроэлектронике
- •19.1. Транзисторы с изоляцией на основе n-p перехода
- •19.2. Транзисторы с диэлектрической изоляцией
- •19.3. Транзисторы с комбинированной изоляцией
- •19.4. Транзисторы типа p–n–p
- •19.5. Многоэмиттерные транзисторы
- •19.6. Многоколлекторные транзисторы
- •19.7. Транзисторы с диодом Шотки
- •19.8. Интегральные диоды и стабилитроны
- •Контрольные вопросы
- •Глава 20. Униполярные структуры в микроэлектронике
- •20.1.1. МДП–транзистор с алюминиевым затвором
- •20.1.3. Конструкция Д–МДП–транзисторов
- •20.1.4. Комплементарные микроэлектронные структуры
- •20.2.1. Пороговое напряжение
- •20.2.2. Вольт-амперные характеристики
- •20.4. Принцип действия МЕП-транзистора
- •20.5. Элементы полупроводниковых постоянных запоминающих устройств (ПЗУ)
- •20.5.1. МНОП-транзистор
- •20.5.3. Двухзатворный МДП–транзистор
- •Контрольные вопросы
- •Глава 21. Микроэлектроника субмикронных СБИС
- •21.2. Методы улучшения характеристик субмикронных МДП-транзисторов
- •21.2.1. Ореол
- •21.2.2. Ретроградное распределение
- •21.2.3. Подзатворный диэлектрик
- •21.2.4. Области стока и истока
- •21.2.5. Напряженный кремний
- •21.3. Субмикронные МДП-транзисторы на диэлектрических подложках
- •21.3.1. Структуры «кремний на изоляторе»
- •21.3.2. Cтруктура «кремний ни на чём»
- •21.4.1. Транзисторы с двойным и с окольцовывающим затвором
- •21.4.2. Транзисторы с вертикальным каналом
- •21.5. Особенности субмикронных транзисторов для аналоговых применений
- •Контрольные вопросы
- •Глава 22. Гетероструктуры в микроэлектронике
- •22.1. Основные свойства гетероперехода
- •22.1.1. Сверхинжекция неравновесных носителей заряда в гетеропереходе
- •22.1.2. Понятие о двухмерном электронном газе
- •22.2. Гетероструктурные полевые транзисторы
- •22.2.1. Транзистор с высокой подвижностью электронов (НЕМТ)
- •22.2.2. Псевдоморфные и метаморфные структуры (р-НЕМТ и m-НЕМТ)
- •22.2.3. НЕМТ на подложках из GaN
- •22.3. Гетеропереходные биполярные транзисторы
- •22.4. Интегральные микросхемы на гетеропереходных полевых транзисторах
- •Контрольные вопросы
- •Глава 23. Пассивные элементы ИМС
- •23.1. Полупроводниковые резисторы
- •23.2. Плёночные резисторы
- •23.3. Конденсаторы и индуктивные элементы
- •23.4. Коммутационные соединения
- •23.4.1. Задержка распространения сигнала
- •23.4.2. Электороимграция
- •Контрольные вопросы
- •Глава 24. Функциональная электроника
- •24.1. Пьезоэлектроника
- •24.2. Оптоэлектроника
- •24.3. Акустоэлектроника
- •24.4. Магнитоэлектроника
- •24.5. Криоэлектроника
- •24.6. Хемотроника
- •24.7. Молекулярная и биоэлектроника
- •24.8. Приборы с зарядовой связью
- •24.9. Диэлектрическя электроника
- •24.10. Приборы на основе аморфных материалов
- •Глава 25. ОСНОВЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
- •25.1. Квантовые основы наноэлектроники
- •25.1.1. Квантовое ограничение
- •25.1.2. Интерференционные эффекты
- •25.1.3. Туннелирование
- •25.3. Квантовые транзисторы
- •25.4. Нанотрубки в электронике
- •25.5. Графеновые транзисторы (спинтроника)
- •25.6. Молекулярная электроника
- •25.6.1. Квантовые компьютеры
- •25.7. Заключение
- •Список рекомендуемой литературы
- •CПРАВОЧНЫЙ РАЗДЕЛ
- •Содержание
Энергетическое |
распределение |
электронов |
в |
металлах |
и |
||||||
полупроводниках описывается уравнением Ферми-Дирака: |
|
|
|||||||||
|
dnε |
|
4p |
3 / 2 |
|
e |
|
|
|
|
|
|
|
= |
|
(2m) |
|
|
. |
|
(1.6) |
|
|
|
de |
h3 |
ì |
(e - eF )ü |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
expí |
|
ý +1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
kT |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
î |
þ |
|
|
|
Из анализа уравнения (1.6) следует, что уровень Ферми в полупроводниках располагается в середине запрещённой зоны. В металлах уровень Ферми – это верхний заполненный уровень при 0 К. Величина энергии Ферми зависит только от концентрации электронов в металле:
eF = |
h2 |
æ |
3n ö |
2 / 3 |
|
|
ç |
|
÷ |
(1.7) |
|
|
|
||||
|
2m è |
8p ø |
|
и для большинства металлов составляет от 5 до 10 эВ.
1.2. Эмиссионная электроника
Как видно из рис. 1.1, для перевода электрона из твердого тела в вакуум необходимо сообщить ему дополнительную энергию, которая носит название работы выхода. Работа выхода электронов из металла определяется
разностью полной энергии потенциального барьера и энергией уровня Ферми. Для полупроводников полная работа выхода электронов
складывается из внешней работы выхода и энергетической полуширины запрещённой зоны. В зависимости от способа подвода дополнительной энергии различают термо-, фото-, вторичную, авто и экзоэлектронную эмиссии.
1.2.1. Термоэлектронная эмиссия
Зависимость плотности термоэлектронного тока от температуры
металла описывается уравнением Ричардсона-Дэшмана: |
|
||||
j = A0 DT |
2 |
æ |
- ej ö |
|
|
|
expç |
÷ |
, |
(1.8) |
|
|
|
è |
kT ø |
|
= 4pemk2
где А0 h3
прозрачности потенциального барьера для электронов, энергия которых достаточна для его преодоления (для большинства металлов величина D близка к 0,5); j – плотность тока термоэлектронной эмиссии; j – работа выхода электронов из металла.
Рассмотрим термодинамический вывод уравнения Ричардсона- Дэшмана. Для этого уподобим процесс испускания электронов металлом процессу испарения.
Зависимость константы равновесия испарения от температуры описывается уравнением:
6
d ln K |
= - |
λ |
, |
(1.9) |
|
dT |
RT 2 |
||||
|
|
|
где К – константа равновесия процесса испарения; R – универсальная газовая постоянная; l – теплота испарения.
Теплота испарения зависит от температуры в соответствии с
уравнением: |
|
|
|
|
|
dλ |
= Cp |
- cp . |
(1.10) |
|
dT |
|||
|
|
|
|
|
Для интегрирования уравнения |
(1.10) необходимо |
определить |
теплоемкость электронного газа в металле (cp) и вне его (Cp). Теплоемкость электронного газа вне металла Cp может быть принята равной теплоемкости
идеального одноатомного газа, которая составляет 52 R . Теплоемкость электронного газа в металле cp согласно классической теории может быть принята равной 32 R . Исходя из квантово-механических представлений тепло воспринимают только те электроны, которые находятся вблизи уровня
Ферми на глубине порядка kT. Доля таких |
электронов |
невелика |
(около |
1 – 2%), поэтому теплоемкостью электронного газа в |
металле |
можно |
|
пренебречь и принять ее равной нулю. |
|
|
|
Таким образом, решение уравнения |
(1.10) будет различным в |
зависимости от принятой модели. Полагая, что теплоемкость электронов в металле равна нулю (квантово-механическая модель), получим:
l = l0 |
+ |
5 RT . |
|
|
(1.11) |
||
|
|
|
2 |
|
|
|
|
Подставляя (1.11) в (1.9) и проведя интегрирование в пределах от 0 до Т, |
|||||||
получим: |
|
æ |
l |
|
ö |
|
|
5 |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
||
K p = CT |
|
expç- |
|
0 |
÷ , |
(1.12) |
|
2 |
|
||||||
|
|
||||||
|
|
|
è |
RT ø |
|
где С – постоянная интегрирования.
В данном уравнении константа равновесия равна давлению насыщенного электронного пара Р. Используя уравнения кинетической
теории |
газов (P = nkT, N = |
1 nv и |
v = |
|
|
8kT |
), найдем выражение для |
||||
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
pm |
|
|
плотности потока электронов с поверхности металла N: |
|
||||||||||
|
|
|
|
æ |
|
l |
ö |
|
|
||
|
|
|
N = |
BT 2 expç |
- |
|
0 |
÷. |
|
(1.13) |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
è |
|
RT ø |
|
||||
|
λ0 |
Выражая плотность тока электронов j как произведение eN и заменив |
|||||||||
|
на |
ϕ , получим уравнение Ричардсона-Дэшмана в виде: |
|
||||||||
|
|
|
|||||||||
|
R |
k |
|
|
|
|
|
|
|
|
7
j = АT |
2 |
æ |
- ej ö |
|
|
expç |
÷. |
(1.14) |
|
|
|
è |
kT ø |
|
Проведя аналогичные преобразования в |
предположении, что |
теплоемкость электронов в металле равна 32 R (классическая модель), придем к уравнению, полученному Ричардсоном на основе классических
представлений: |
|
æ |
- ej ö |
|
j = АT |
1/ 2 |
|
||
|
expç |
÷ . |
(1.15) |
|
|
|
è |
kT ø |
Таким образом, значение показателя степени при температуре в предэкспоненциальном множителе зависит от выбора модели эмиттера.
Величина работы выхода электронов из металла зависит от температуры. Эта зависимость связана с влиянием температуры на энергию уровня Ферми. При увеличении температуры концентрация электронов в металле, а, следовательно, и энергия уровня Ферми, уменьшаются, а работа
выхода электронов из металла как разность полного потенциального барьера и энергии уровня Ферми возрастает:
j = jо + aТ. |
(1.16) |
Температурный коэффициент работы выхода a составляет для большинства металлов (6–7)×10-5 эВ/град.
В электронных приборах возле катода обычно создается внешнее электрическое поле, наличие которого приводит к уменьшению потенциального барьера на границе металл–вакуум, то есть работы выхода электронов из металла уменьшается (эффект Шотки). Энергетическая схема потенциального барьера на границе металл–вакуум при наличии вешнего поля приведена на рис. 1.2.
Δϕ
E
EF
xma x
Рис 1.2. Энергетическая схема потенциального барьера на границе металл
вакуум при наличии внешнего поля
Уменьшение работы выхода связано с тем, что отпадает работа против
сил зеркального отображения справа от максимума и само поле совершает положительную работу:
8
F = eE = |
e2 |
, xmax = |
1 |
|
e |
, |
(1.17) |
4xmax2 |
2 |
|
E |
||||
|
|
|
|
|
где Е – напряженность электрического поля; хmax – координата максимума на рис. 1.2.
Уменьшение работы выхода электронов из металла может быть найдено
из уравнения: |
|
e2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Dj = |
|
= e3 E , |
|
|
(1.18) |
|||||
2xmax |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||||
а уравнение термоэлектронной эмиссии может быть переписано в виде: |
|
|||||||||
|
æ |
æ |
|
|
eE |
ö |
ö |
|
||
|
ç |
ç |
j - |
|
÷ |
÷ |
|
|||
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
e |
|
|
÷ |
|
|
||
j = AT 2 expç |
ç |
|
|
4pe0 |
÷. |
|
||||
- |
è |
|
|
ø |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|||||
|
ç |
|
|
|
|
kT |
|
÷ |
(1.19) |
|
|
ç |
|
|
|
|
|
÷ |
|||
|
ç |
|
|
|
|
|
|
|
÷ |
|
|
è |
|
|
|
|
|
|
|
ø |
|
Влияние эффекта Шотки на плотность термоэмиссионного тока проявляется реально только в режиме насыщения, когда все электроны, покидающие катод, достигают анода.
Значительные изменения работы выхода электронов наблюдаются при адсорбции атомов или молекул на поверхности эмиттера в результате образования двойного электрического слоя при поляризации или ионизации адсорбированных частиц. Величина изменения работы выхода зависит от дипольного момента p и поверхностной плотности диполей Nd:Dj = 4pNd×p.
Адсорбция электроположительных атомов приводит к уменьшению работы выхода, причем наибольший эффект достигается при наличии 0.7 монослоя адсорбированных частиц (рис. 1.3).
Рис. 1.3. Зависимость работы выхода электронов от количества
адсорбированных монослоев
9