где Eа – энергия активации образования вакансии в кристаллической решетке металла.

Для Al Ea = 0,5 эВ, отсюда имеем

При j = j0 из приведённой эмпирической формулы получаем τ = τ0 108, характерная плотность тока (j0) и характерное время (τ0) являются параметрами модели, которые определяются балансом процессов миграции и диффузии. Для Al ориентировочная величина характерных праметров:

∙j0 = 102 A/мм2 ;

∙τ0 = 10 ч;

∙n = 2…6 – зависит от качества технологии получения пленки (наличие трещин, пор, неоднородности по толщине и ширине шины).

Контрольные вопросы

1.Перечислите основные варианты конструкции резистивных элементов ИС.

2.Каково влияние подложки полупроводниковых ИМС на работу резистивных элементов?

3.Каким образом при изготовлении резисторов полупроводниковых ИМС можно изменять их сопротивление?

4.Что такое «пинч» резистор?

5.Какие материалы используются при изготовлении пленочных конденсаторов?

6.Сравните свойства интегральных конденсаторов на основе n-p перехода и МДП-структуры.

7.Каковы особенности работы конденсаторов на основе МДП-структуры при высоких частотах?

8.Каковы основные отличительные особенности пассивных элементов ИС СВЧ диапазона?

9.В чем заключается явление электронного ветра?

10.Как влияют коммутационные соединения на быстродействие ИС?

448