3.Фоторезисторы на основе CdS, CdSe спектрально хорошо согласуются с излучателями GaР, GaAsР, но имеют сравнительно невысокое быстродействие.

В зависимости от типа фотоприемника оптопары могут быть резисторными, диодными, транзисторными, тиристорными. Наряду с

дискретными оптопарами активно разрабатываются цифровые и аналоговые оптоэлектронные интегральные микросхемы.

Контрольные вопросы

1.Каков механизм излучения света светодиодами?

2.Назовите основные материалы, из которых изготовляются светодиоды.

3.Как можно оценить длину волны излучения светодиода?

4.Как зависит интенсивность излучения от степени легирования n и p областей?

5.Какое излучение – коротковолновое или длинноволновое труднее получить с помощью светодиода и почему?

6.Чем конструктивно отличается полупроводниковый лазер от светодиода?

7.Чем отличается излучение полупроводникового лазера от излучения светодиода?

8.Укажите основные достоинства и недостатки инжекционных лазеров и области их применения.

9.Каковы особенности полупроводниковых лазеров с накачкой электронным лучом?

10.Назовите основные механизмы поглощения света полупроводниками.

11.Каков механизм фоторезистивного эффекта?

12.Какие материалы используются для изготовления фоторезисторов?

13.Укажите достоинства и недостатки фоторезисторов и области их применения.

14.Какие процессы происходят при облучении n-p перехода светом?

15.Рассмотрите работу фотодиода в режимах холостого хода и короткого замыкания.

16.Назовите основные параметры фотодиода.

17.Как оценить «красную границу» чувствительности фотоэлектронного прибора?

18.Каков принцип работы лавинного фотодиода?

19.Что такое инжекционный фотодиод?

20.Из чего изготовляются и какие параметры имеют солнечные элементы?

21.Как происходит усиление фототока в фототранзисторе?

22.Назовите основные области применения фототранзисторов и фототиристоров.

23.Как устроены и для чего применяются оптоэлектронные пары?

24.В чем заключается сочетаемость элементов оптоэлектронных пар?

251