электронов будет определяться током в канале МДП–транзистора. Инжекция

горячих электронов в плавающий затвор осуществляется под действием тянущего поля со стороны управляющего затвора.

Во втором случае на плавающем и управляющем кремниевых затворах в ИМС с туннельным переносом носителей имеются ступеньки в областях перехода к более тонкому туннельному диэлектрику (рис. 20.15). При подаче

на верхний затвор напряжения положительной полярности при нулевом напряжении на остальных электродах на плавающий затвор через емкостную связь передается положительное напряжение. Электроны при этом проходят через туннельный окисел и заряжают плавающий затвор. И наоборот, при подаче к областям стока, истока и подложки положительного потенциала при

нулевом потенциале на управляющем затворе происходит разрядка плавающего затвора. Следует отметить, что осуществление избирательного стирания информации в данной структуре затруднительно.

В случае, если область туннельного перехода располагается над областью стока кроме избирательной (побайтовой) записи можно

осуществить и избирательное стирание под действием разности потенциалов между плавающим затвором и стоком. С целью развязки между матричным накопителем и схемой управления запоминающий элемент размещают в p–– кармане, сформированном в подложке n–типа.

Таким образом, структуры с туннельным окислом позволяют просто и воспроизводимо выполнять как программирование, так и стирание запоминающего элемента. Очень важно то, что величина накопленного

заряда определяется геометрическими параметрами ячейки памяти и амплитудой импульсов записи, прикладываемых к управляющему затвору и стоку ячейки.

Контрольные вопросы

1.Рассмотрите отличительные особенности различных вариантов структур МДП-транзисторов ИМС.

2.Какова особенность формирования МДП-транзисторов с самосовмещенным затвором?

3.Что называется КМОП структурой?

4.В чем заключается явление смыкания?

5.Как влияет явление смыкания на пороговое напряжение МДП- транзисторов?

6.Нарисуйте стоковые и сток-затворные ВАХ транзистора с длинным и коротким каналами и проведите их сравнительный аналих.

7.Каков принцип действия МЕП-транзистора?

8.Поясните принцип записи и стирания информации в двухзатворном транзисторе.

9.Каким образом выполняется стирание информации в ППЗУ?

411