Так как любой тиристор можно представить в виде эквивалентной схемы, состоящей из двух транзисторов, то рассмотрение

магниточувствительных свойств тиристоров сводится к рассмотрению магниточувствительных свойств составляющих транзисторов. Используя в

качестве одного из составляющих структуру тиристора транзистор с длинной базой, можно изменять магнитным полем его коэффициент усиления по току, а соответственно и напряжение включения тиристора (рис. 15.9, б).

Контрольные вопросы

1.Какие физические явления могут быть положены в основу создания датчиков температуры?

2.При каких условиях на ВАХ терморезистора наблюдается участок отрицательного дифференциального сопротивления?

3.Что характеризует постоянная времени терморезистора?

4.На каких физических явлениях может быть основан принцип действия позистора?

5.Какие параметры полупроводника могут изменяться под действием механической деформации?

6.В чем заключается эффект Холла?

7.Что такое магниторезистивный эффект?

8.Какую конструкцию должны иметь магниторезисторы?

9.Какие диоды можно использовать в качестве магнитодиодов?

10.Объясните работу биполярного магнитотранзистора.

266