Список рекомендуемой литературы

1.Сушков А.Д. Вакуумная электроника. Физико-технические основы. –

СПб,: Лань, 2004. – 462 с.

2.Фридрихов С.А., Мовнин С.М. Физические основы электронной техники: Учеб.для вузов. – М.: Высш. шк., 1982. – 608 с.

3.Шимони К. Физическая электроника. – М., 1989.

4.Гуртов В.А. Твердотельная электроника : Учеб. пособие для вузов. –

М.: Техносфера, 2005. – 407 с.

5.Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: учеб. для вузов. – СПб.: Лань, 2001. – 479 с.

6.Гусев В.Г., Гусев Ю.М.. Электроника и микропроцессорная техника: Учеб. для вузов. –·М.: Высш. шк., 2004. – 788 с.

7.Гальперин М.В.. Электронная техника. М.: ФОРУМ – ИНФРА, 2004. – 304 с.

8.Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. – М.: Высшая шк., 1991. – 351с.

9.Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.

10.Электронные приборы: Учеб. для вузов/ Под ред. Г.Г. Шишкина. – М.: Энергоатомиздат, 1989. – 496 с.

11.Нефедов В.И. Основы радиоэлектроники. – М.: Высш. шк., 2000. – 400 с.

12.Жеребцов И.П. Основы электроники: Учеб. пособие. – Л.: Энерго-

атомиздат, 1985. – 352 с.

13.Питер Ю., Кардона Мануэль. Основы физики полупроводников. –

М.: Физматлит, 2002. – 560 с.

14.Москатов Е.А. Электронная техника.// Специальная редакция для журнала “Радио”. – Таганрог, 2004. – 121 с.

15.Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники: Учеб. пособ. для вузов. – М.: Радио и связь, 1991. – 288 с.

16.Агаханян Т.М. Интегральные микросхемы: Учеб. пособие для вузов. – М.: Энергоатомиздат, 1983. – 464 с.

17.Красиков Г.Я. Конструктивно-технологические особенности суб- микронных МОП-транзисторов. – М. : Техносфера, 2002. – 415 с.

18.Коледов Л.А.Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: Учебник для вузов. – М.: Радио и связь, 1989. – 400 с.

19.Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учеб. пособие для вузов.

– М.: Лаборатория базовых знаний, 2000 – 488 с.

20.Ефимов И.Е., Козырь И.Л., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. –

М.: Высш. шк., 1987.

21.Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов, – М, Радио и связь, 1990.

478

22.Кравченко А.Ф. Физические основы функциональной электроники: Учебное пособие. – Новосибирск: Изд-во Новосиб. ун-та, 2000.

23.Щука А.А. Функциональная электроника: Учебник для вузов: –

М.: МИРЭА, 1998.

24.Пихтин А.Н. Физические основы квантовой электроники и оптоэлектроники. – М.: Высш. шк., 1983. – 304 с.

25.Окоси Т. Оптическая электроника и связь. – М.: Мир, 1988. – 96 с.

26.Носов Ю.Р. Оптоэлектроника. – М.: Сов. радио, 1977. – 232 с.

27. Полупроводниковые фотоприемники/ Под ред. В.И. Стафеева.– М.: Радио и связь, 1984. – 216 с.

28.Дьюли У. Лазерная технология и анализ материалов. – М.: Мир, 1986. – 504 с.

29. Физические величины: Справочник/ Под ред. И.С. Григорьева, Е.З Мейлихова. – М.: Энергоатомиздат, 1991.

30.Основы оптоэлектроники/ Пер. с японского. – М.: Мир, 1988. – 284 с.

31.Светцов В.И. Вакуумная и плазменная электроника: Учеб. пособие/ Иван. гос. хим.-технол. ун-т. – Иваново, 2003. – 172 с.

479

CПРАВОЧНЫЙ РАЗДЕЛ

Таблица 1

Физические постоянные

480

Таблица 2

Размерность и соотношение электрических и магнитных единиц

481

Таблица 3

Некоторые параметры упругих соударений электронов в молекулах газа при

1 мм рт. ст. (133 Па)

lz – средняя длина свободного пробега молекул газа;

le – средняя длина свободного пробега электрона в газе; n0 – частота соударений электронов с молекулами газа.

Таблица 4

Постоянные в выражении для аппроксимации коэффициента ионизации по формуле

a− EB

=A × e P

P

482

483

Таблица 7

Таблица 8

Потенциалы ионизации, энергии разрыва связей,

сродство к электрону

Таблица 9 Значение коэффициента вторичной ионно-электронной эмиссии для

различных ионов и поверхностей при малых энергиях ионов

484

Таблица 10

Поперечные сечения диссоциативного прилипания и ионизации для

NH3, SF6, Cl2

485

Таблица 11

Параметры некоторых полупроводниковых материалов при комнатной температуре

486