·развития "интеллектуальных" IGBT (с встроенными функциями диагностики и защит) и модулей на их основе;

·создания новых высоконадёжных корпусов, в том числе с использованием MMC (AlSiC) и прижимной конструкции;

·повышения частоты и снижения потерь SiC быстро- восстанавливающихся обратных диодов;

·применения прямого водяного охлаждения для исключения соединения основание – охладитель.

Контрольные вопросы

1.На какие группы делятся униполярные транзисторы?

2.Каков принцип управления выходным током в МДП-транзисторах?

3.Какие отличия существуют в МДП-транзисторах с индуцированным и встроенным каналами?

4.Что такое пороговое напряжение МДП транзистора?

5.Как влияют заряды в диэлектрике и на поверхностных состояниях на пороговое напряжение?

6.Назовите основные дифференциальные параметры полевых транзисторов.

7.Как соотносятся крутизна МДП-транзистора при управлении по затвору и подложке?

8.Объясните меньшую зависимость параметров полевых транзисторов от температуры по сравнению с биполярными транзисторами.

9.Какое свойство n-p перехода используется для управления выходным током в полевых транзисторах?

10.Какая полярность на затворе необходима для работы в активном режиме МДП-транзистора с индуцированным каналом p-типа?

11.Назовите основные параметры полевых транзисторов.

12.Какая величина называется напряжением отсечки полевого транзистора?

13.Каково соотношение между концентрацией примесей в канале и затворе полевого транзистора с управляющим n-p переходом?

ЗАДАЧИ И ЗАДАНИЯ для практических занятий и самостоятельной работы

1.МОП-транзистор с каналом n-типа работает в режиме обогащения и

имеет следующие параметры: b = 100 мкм; l = 10 мкм; dоксид = 0,17 мкм; Uпор = +1 В; mn = 450 см2×В–1×с–1. Найдите значение величины Iнас и Sнас, если Uз = Uс = +5 В, а подложка и исток заземлены.

2.У полевого транзистора с управляющим n-p переходом Icmax = 1 мА, Uо = 4 В. Определить, какой ток будет протекать при напряжении на затворе

231

равном 2 В и значение максимальной крутизны для данных условий.

Ответ: Ic = 25 мА, Smax = 0,5 мА/В.

3.В МДП-транзисторе с каналом п-типа ширина затвора b = 0,8 мм, длина канала l = 5 мкм, толщина слоя подзатворного диэлектрика (оксидного)

dо = 150 нм, подвижность электронов в канале 0,02 м2/(В×с),

относительная диэлектрическая проницаемость оксидной пленки равна

3,7; напряжение сток – исток в пологой части ВАХ (при насыщении) Uси =8 В. Определить крутизну прибора в области насыщения.

4.Крутизна полевого транзистора S с управляющим n-p переходом и

каналом n-типа в области насыщения при напряжении Uзи = –0,7 В и Uси=10 В равна 1 мА/B. Чему равна крутизна транзистора при напряжениях Uзи = –1 В и Uси = 10 В, если напряжение отсечки транзистора Uо = + 3 В.

5.Полевой транзистор с управляющим n-p переходом имеет Icmax = 2 мА и Uо = 5 В. Определить ток стока и крутизну транзистора при напряжениях затвора, равных: –5, –2,5 0 В.

232