толщиной 50 нм, легированного фосфором. При последующей диффузии фосфора из нанесённого ранее слоя SiGe формируются мелкие слаболегированные области истока и стока, сопротивление которых шунтируется хорошо проводящим эпитаксиальным слоем SiGe. Контакты к истоку, стоку и затвору выполняют селективным наращиванием вольфрама. Полученная таким образом структура показана на рис. 21.6.

Рис. 21.6. МДП-структура, в которой мелкие области истока и стока получены диффузией из легированного фосфором SiGe

21.2.5. Напряженный кремний

Для решения проблемы уменьшения подвижности носителей в транзисторах с коротким каналом фирмой Intel была предложена технология, в которой применяются области упруго-деформированных полупроводников (механически напряжённый (strained) кремний, впервые использован в 90-нанометровых процессорах фирмы Intel с ядром Prescott и Dothan).

Для n-канальных транзисторов канал выращивается на поверхности SiGe (рис. 21.7).

Рис. 21.7. Конструкция транзисторов, изготовленных по технологии «напряженного кремния»: а - n-канал, б - p-канал

418