- •ПРЕДИСЛОВИЕ
- •ЧАСТЬ I. ВАКУУМНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
- •Глава 1. Эмиссионная электроника
- •1.2. Эмиссионная электроника
- •1.2.1. Термоэлектронная эмиссия
- •1.2.2. Термоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводников
- •1.2.3. Термокатоды
- •1.2.4. Фотоэлектронная эмиссия
- •1.2.5. Вторичная электронная эмиссия
- •1.2.6. Автоэлектронная эмиссия
- •Контрольные вопросы
- •Глава 2. Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Электровакуумные приборы
- •2.1. Диоды
- •2.2. Триоды
- •2.3. Многоэлектродные лампы
- •2.4. Особенности многоэлектродных ламп различного назначения
- •2.5. Генераторные и модуляторные лампы
- •2.6. Электровакуумные приборы диапазона сверхвысоких частот
- •2.6.1. Особенности движения электронов в СВЧ полях
- •2.6.2. Клистроны – приборы с динамическим управлением электронным потоком и резонансными системами
- •2.6.3. Лампы бегущей и обратной волны (ЛБВ и ЛОВ)
- •2.6.4. Лампы со скрещенными полями
- •2.6.5. Усилитель на ЛБВ типа М
- •2.6.6. Генератор на ЛОВ типа М замкнутой конструкции (карсинотрон)
- •2.6.7. Магнетроны
- •2.6.8. Статический режим работы магнетрона
- •2.6.9. Динамический режим работы магнетрона
- •Контрольные вопросы
- •Глава 3. Электронная оптика. Электронно-лучевые приборы
- •3.1. Электронные линзы
- •3.2. Электростатические линзы
- •3.2.1. Диафрагма с круглым отверстием
- •3.2.2. Иммерсионная линза
- •3.2.3. Одиночная линза
- •3.2.4. Иммерсионный объектив
- •3.3. Магнитные линзы
- •3.4. Аберрации электронных линз
- •3.5. Электронно-оптические системы (ЭОС) электронно-лучевых приборов
- •3.6. Отклоняющие системы
- •3.6.1. Электростатическое отклонение электронных пучков
- •3.6.2. Магнитное отклонение электронных пучков
- •3.7. Некоторые особенности электронной оптики интенсивных пучков
- •3.8. Приемные электронно-лучевые трубки
- •3.9. Проекционные ЭЛТ и системы
- •3.10. Запоминающие электронно-лучевые трубки
- •3.11. Передающие электронно-лучевые трубки
- •Контрольные вопросы
- •ЧАСТЬ II. ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
- •Глава 4. Элементарные процессы в плазме
- •4.1. Введение
- •4.2. Упругие соударения электронов с атомами и молекулами газа
- •4.3. Неупругие соударения электронов с атомами и молекулами
- •4.3.1. Возбуждение
- •4.3.2. Ионизация
- •4.3.3. Ступенчатые процессы при возбуждении и ионизации молекул электронным ударом
- •4.3.4. Образование и разрушение отрицательных ионов
- •4.3.5. Диссоциация молекул
- •4.3.6. Рекомбинация
- •4.4. Движение электронов и ионов в газе
- •4.4.1. Дрейфовое движение электронов и ионов
- •4.4.2. Диффузия заряженных частиц в условиях разряда
- •Контрольные вопросы
- •Глава 5. Основные виды электрического разряда в газе
- •5.1. Классификация разрядов
- •5.2. Несамостоятельный газовый разряд
- •5.3. Условие развития самостоятельного разряда. Пробой разрядного промежутка
- •5.3.1. Тлеющий разряд
- •5.3.2. Количественная теория катодной области тлеющего разряда
- •5.3.3. Дуговой разряд
- •5.3.4. Искровой разряд
- •5.3.5. Коронный разряд
- •5.3.6. Высокочастотные разряды
- •5.3.7. Разряды на сверхвысоких частотах
- •Контрольные вопросы
- •Глава 6. Газоразрядная плазма
- •6.1. Основные понятия
- •6.2. Диагностика плазмы
- •6.2.1. Метод зондов Лангмюра
- •6.2.2. Оптические методы исследования плазмы
- •6.2.3. Сверхвысокочастотные методы диагностики плазмы
- •6.3. Теории газоразрядной плазмы
- •Контрольные вопросы
- •Глава 7. Газоразрядные приборы
- •7.1. Приборы тлеющего разряда
- •7.1.1. Световые индикаторы
- •7.1.2. Стабилитроны тлеющего разряда
- •7.1.3. Вентили (газотроны) тлеющего разряда
- •7.1.4. Тиратроны тлеющего разряда
- •7.1.5. Переключаемые световые индикаторы
- •7.2.1. Газоразрядные источники света
- •7.3. Ионизационные камеры и счетчики излучений
- •7.3.1. Ионизационные камеры
- •7.3.2. Пропорциональные счетчики
- •7.3.3. Счетчики Гейгера
- •7.4. Разрядники антенных переключателей
- •7.5. Газоразрядные индикаторные панели
- •7.6. Газоразрядные знаковые индикаторы (монодисплеи)
- •7.6.1. ГИП постоянного тока
- •7.6.2. ГИП переменного тока
- •7.6.3. Получение полутоновых изображений на ГИП
- •Контрольные вопросы
- •ЧАСТЬ III. ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
- •8.1. Концентрация носителей заряда в полупроводниках
- •8.2. Электропроводность полупроводников
- •8.3. Диффузионное движение носителей заряда в полупроводниках
- •8.4. Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •8.5. Поверхностные явления в полупроводниках
- •Контрольные вопросы
- •Глава 9. Электрические переходы
- •9.1. Структура и основные параметры n-p перехода
- •9.2. Равновесное состояние n-p перехода
- •9.3. Неравновесное состояние n-p перехода. Явления инжекции и экстракции носителей заряда
- •9.4. ВАХ идеализированного перехода
- •9.5. ВАХ реального n-p перехода
- •9.7. Емкостные свойства n-p перехода
- •9.8. Контакт металл-полупроводник
- •9.9. Гетеропереходы
- •Контрольные вопросы
- •Глава 10. Полупроводниковые диоды
- •10.1. Выпрямительные диоды
- •10.2. Высокочастотные и сверхвысокочастотные диоды
- •10.3. Импульсные диоды
- •10.4. Стабилитроны
- •10.5. Полупроводниковые управляемые емкости (варикапы)
- •10.6. Туннельные и обращенные диоды
- •10.7. Диоды Шотки
- •10.8. Диоды Ганна
- •10.9. Лавинно-пролетные диоды
- •Контрольные вопросы
- •Глава 11. Биполярные транзисторы
- •11.1. Классификация биполярных транзисторов
- •11.2. Физические процессы в транзисторе
- •11.3. Распределение токов в транзисторе
- •11.4. Эффект модуляции ширины базы
- •11.5. Статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора
- •11.6. Частотные характеристики биполярного транзистора
- •Контрольные вопросы
- •Глава 12. Тиристоры
- •12.1. Классификация тиристоров
- •12.2. Распределение токов в тиристоре
- •12.3. Особенности работы управляемых тиристоров
- •12.4. Тиристор с симметричной ВАХ
- •Контрольные вопросы
- •Глава 13. Униполярные полупроводниковые приборы
- •13.1. Классификация и основные особенности
- •13.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)
- •13.4. Дифференциальные параметры МДП-транзистора
- •13.5. Принцип работы полевого транзистора с управляющим n-p переходом
- •13.6. Частотные характеристики МДП-танзисторов
- •13.7. Сравнительная характеристика МДП и биполярного транзистора
- •13.8. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
- •Контрольные вопросы
- •Глава 14. Светоизлучающие и фотоэлектронные полупроводниковые приборы
- •14.1. Светоизлучающие полупроводниковые приборы
- •14.1.1. Светодиоды
- •14.2. Фотоэлектронные полупроводниковые приборы
- •14.2.1. Поглощение оптического излучения полупроводниками
- •14.2.2. Фоторезистивный эффект и приборы на его основе
- •14.2.3. Фотоэлектрический эффект в n-р переходе
- •14.2.4. Фототранзисторы и фототиристоры
- •14.2.5. Оптоэлектронные пары
- •Контрольные вопросы
- •Глава 15. Полупроводниковые датчики
- •15.1. Датчики температуры
- •15.2. Датчики деформации
- •15.3. Датчики магнитного поля
- •Контрольные вопросы
- •Глава 16. Основы квантовой электроники
- •16.2. Физические основы взаимодействия излучения с веществом
- •16.2.1. Форма и ширина спектральной линии
- •16.3. Устройство и принципы работы лазеров
- •16.3.1. Рабочее вещество
- •16.3.2. Создание инверсии
- •16.3.3. Условия создания инверсной населенности
- •16.3.4. Двухуровневая система
- •16.3.5. Трехуровневые системы
- •16.3.6. Четырехуровневая система
- •16.3.7. Оптические резонаторы
- •16.3.8. Условия самовозбуждения и насыщения усиления
- •16.4. Свойства лазерного излучения
- •16.4.1. Монохроматичность
- •16.4.2. Когерентность
- •16.4.3. Поляризация излучения
- •16.4.4. Направленность и возможность фокусирования излучения
- •16.4.5. Яркость и мощность излучения
- •16.5. Типы лазеров
- •16.5.1. Твердотельные лазеры
- •16.5.2. Рубиновый лазер
- •16.5.3. Неодимовый стеклянный лазер
- •16.5.4. Nd – ИАГ – лазеры
- •16.5.5. Газовые лазеры
- •16.5.6. Атомные лазеры
- •16.5.7. Лазеры на парах металлов
- •16.5.8. Ионные лазеры
- •16.5.9. Молекулярные лазеры
- •16.5.10. Эксимерные лазеры
- •16.5.11. Газовые лазеры в инфракрасной области спектра
- •16.5.12. Химические лазеры
- •16.5.13. Газодинамические лазеры
- •16.5.14. Электроионизационные лазеры
- •16.5.15. Полупроводниковые лазеры
- •16.5.16. Жидкостные лазеры
- •Контрольные вопросы
- •Глава 17. Основы оптоэлектроники
- •17.1. Этапы и перспективы развития оптической электроники
- •17.2. Источники излучения для оптоэлектроники
- •17.3. Фотоэлектронные приемники излучения
- •17.4. Модуляция лазерного излучения
- •17.4.1. Физические основы модуляции лазерного излучения
- •17.4.2. Оптические модуляторы
- •17.4.3. Дефлекторы
- •17.5.1. Элементная база ВОЛС
- •17.5.2. Классификация ВОЛС
- •17.6. Оптические методы запоминания и хранения информации. Оптические (лазерные) диски
- •17.7. Голографические системы хранения и обработки информации
- •17.7.1. Принцип голографии
- •17.7.2. Голографическое запоминающее устройство
- •17.7.3. Голографические схемы записи и считывания информации
- •17.8. Системы отображения информации
- •17.8.1. Особенности зрительного восприятия информации
- •17.8.2. Физические эффекты, используемые для отображения информации
- •17.8.3. Жидкокристаллические индикаторы
- •17.8.4. Жидкокристаллические индикаторные панели
- •17.9. Электролюминесцентные индикаторы
- •17.10. Дисплеи с полевой (автоэлектронной) эмиссией
- •17.11. Отражающие дисплеи (электронная бумага)
- •17.12. Системы отображения информации на основе полупроводниковых светодиодов
- •Контрольные вопросы
- •ЧАСТЬ V. ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ, МИКРО И НАНОЭЛЕКТРОНИКА
- •Глава 18. Предмет микроэлектроники
- •18.1. Основные термины и определения
- •18.2. Классификация ИМС
- •18.2.1. Плёночные ИМС
- •18.2.2. Гибридные ИС
- •18.2.3. Полупроводниковые ИМС
- •18.2.4. Совмещенные ИМС
- •18.3. Система обозначений ИМС
- •Контрольные вопросы
- •Глава 19. Биполярные структуры в микроэлектронике
- •19.1. Транзисторы с изоляцией на основе n-p перехода
- •19.2. Транзисторы с диэлектрической изоляцией
- •19.3. Транзисторы с комбинированной изоляцией
- •19.4. Транзисторы типа p–n–p
- •19.5. Многоэмиттерные транзисторы
- •19.6. Многоколлекторные транзисторы
- •19.7. Транзисторы с диодом Шотки
- •19.8. Интегральные диоды и стабилитроны
- •Контрольные вопросы
- •Глава 20. Униполярные структуры в микроэлектронике
- •20.1.1. МДП–транзистор с алюминиевым затвором
- •20.1.3. Конструкция Д–МДП–транзисторов
- •20.1.4. Комплементарные микроэлектронные структуры
- •20.2.1. Пороговое напряжение
- •20.2.2. Вольт-амперные характеристики
- •20.4. Принцип действия МЕП-транзистора
- •20.5. Элементы полупроводниковых постоянных запоминающих устройств (ПЗУ)
- •20.5.1. МНОП-транзистор
- •20.5.3. Двухзатворный МДП–транзистор
- •Контрольные вопросы
- •Глава 21. Микроэлектроника субмикронных СБИС
- •21.2. Методы улучшения характеристик субмикронных МДП-транзисторов
- •21.2.1. Ореол
- •21.2.2. Ретроградное распределение
- •21.2.3. Подзатворный диэлектрик
- •21.2.4. Области стока и истока
- •21.2.5. Напряженный кремний
- •21.3. Субмикронные МДП-транзисторы на диэлектрических подложках
- •21.3.1. Структуры «кремний на изоляторе»
- •21.3.2. Cтруктура «кремний ни на чём»
- •21.4.1. Транзисторы с двойным и с окольцовывающим затвором
- •21.4.2. Транзисторы с вертикальным каналом
- •21.5. Особенности субмикронных транзисторов для аналоговых применений
- •Контрольные вопросы
- •Глава 22. Гетероструктуры в микроэлектронике
- •22.1. Основные свойства гетероперехода
- •22.1.1. Сверхинжекция неравновесных носителей заряда в гетеропереходе
- •22.1.2. Понятие о двухмерном электронном газе
- •22.2. Гетероструктурные полевые транзисторы
- •22.2.1. Транзистор с высокой подвижностью электронов (НЕМТ)
- •22.2.2. Псевдоморфные и метаморфные структуры (р-НЕМТ и m-НЕМТ)
- •22.2.3. НЕМТ на подложках из GaN
- •22.3. Гетеропереходные биполярные транзисторы
- •22.4. Интегральные микросхемы на гетеропереходных полевых транзисторах
- •Контрольные вопросы
- •Глава 23. Пассивные элементы ИМС
- •23.1. Полупроводниковые резисторы
- •23.2. Плёночные резисторы
- •23.3. Конденсаторы и индуктивные элементы
- •23.4. Коммутационные соединения
- •23.4.1. Задержка распространения сигнала
- •23.4.2. Электороимграция
- •Контрольные вопросы
- •Глава 24. Функциональная электроника
- •24.1. Пьезоэлектроника
- •24.2. Оптоэлектроника
- •24.3. Акустоэлектроника
- •24.4. Магнитоэлектроника
- •24.5. Криоэлектроника
- •24.6. Хемотроника
- •24.7. Молекулярная и биоэлектроника
- •24.8. Приборы с зарядовой связью
- •24.9. Диэлектрическя электроника
- •24.10. Приборы на основе аморфных материалов
- •Глава 25. ОСНОВЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
- •25.1. Квантовые основы наноэлектроники
- •25.1.1. Квантовое ограничение
- •25.1.2. Интерференционные эффекты
- •25.1.3. Туннелирование
- •25.3. Квантовые транзисторы
- •25.4. Нанотрубки в электронике
- •25.5. Графеновые транзисторы (спинтроника)
- •25.6. Молекулярная электроника
- •25.6.1. Квантовые компьютеры
- •25.7. Заключение
- •Список рекомендуемой литературы
- •CПРАВОЧНЫЙ РАЗДЕЛ
- •Содержание
В общем случае движение носителей в квазинейтральных областях транзистора вне ОПЗ переходов является совокупностью диффузии и дрейфа. Дрейфовое движение вызывается только внутренним электрическим полем,
образованным неравномерным легированием по глубине соответствующих областей. Наиболее часто встречается случай неравномерного легирования базовой области. Тогда при низком уровне инжекции электронов в базе, когда выполняется условие np << |NA|, на дрейфующие электроны будет действовать электрическое поле напряженностью Еб:
Eб |
= |
ϕT |
|
dN A |
(11.1) |
|
N A |
dx |
|||||
|
|
|
|
Внутреннее поле в базе ускоряет электроны, движущиеся от эмиттера к коллектору. Транзисторы с неоднородно легированной базой, в которой существенна дрейфовая составляющая базового тока, называют дрейфовыми.
Менее распространены бездрейфовые транзисторы с однородно легированной базой, в которой нет внутреннего электрического поля. Таким образом, в активном режиме в транзисторе протекают следующие процессы:
·инжекция основных носителей из области эмиттера через эмиттерный переход в область базы, а из базы – в область эмиттера;
·диффузионное перемещение инжектированных в базу электронов, которые являются там неравновесными неосновными носителями, от эмиттерного перехода до коллекторного;
·экстракция электронов, подошедших к коллекторному переходу, под воздействием его ускоряющего поля в область коллектора.
11.3. Распределение токов в транзисторе
Рассмотрим распределение токов в цепях биполярного бездрейфового транзистора структуры n-p-n в схеме с ОБ.
Рис. 11.5. Распределение токов в цепях биполярного транзистора
работающего в активном режиме в схеме с ОБ
Полный ток через эмиттерный переход (рис. 11.5) равен
æ |
Uэб |
ö |
|
|
ç |
ϕT |
÷ |
, |
(11.2) |
Iэ = Iэn + Iэp = Iэ0 çe |
|
-1÷ |
||
è |
|
ø |
|
|
где Iэр - дырочный ток; Iэn - электронный ток.
200
Ток, создаваемый инжекцией дырок из базы в эмиттер, замыкается во входной цепи эмиттер-база, где служит источником потерь. Эффективность эмиттера характеризуется коэффициентом инжекции (γ):
g = |
Iэn |
= |
|
1 |
. |
(11.3) |
|
Iэр + Iэn |
1+ |
Iэp |
|||||
|
|
|
Iэn |
|
|||
|
|
|
|
|
|
В транзисторах обычно концентрация примесей в эмиттерной области значительно больше, чем в области базы, поэтому ток электронов Iэn, инжектируемых в базу, будет практически равен полному току эмиттера Iэ.
Поскольку толщина базы гораздо меньше диффузионной длины электронов в базе, для случая низкого уровня инжекции выражение (11.3) можно привести к следующему виду:
g = |
1 |
|
» 1- |
σб wб |
, |
(11.4) |
||
|
|
sб wб |
|
|
||||
|
1+ |
|
|
sэ Lpэ |
|
|||
|
sэ Lpэ |
|
|
|
|
|
где σб и σэ – удельные электрические проводимости соответственно базы и эмиттера; wб – толщина базы; Lрэ – диффузионная длина дырок в области эмиттера.
В реальных приборах коэффициент инжекции достигает 0,998 и выше. Для увеличения эффективности эмиттера необходимо:
·во-первых, σб << σэ, для этого степень легирования базовой области должна быть в 100 и более раз меньше концентрации примесей в эмиттере;
·во-вторых, толщина базовой области должна быть мала (порядка
10-25 мкм);
·в-третьих, время жизни дырок в эмиттере τрэ должно быть велико.
Часть электронов, инжектированных эмиттером, будет рекомбинировать в базе с дырками. Эффективность перемещения электронов через базу характеризуется коэффициентом переноса, определяющим, какая доля электронов, инжектированных в базу, достигает коллекторного перехода:
c = |
Iкn |
, |
(11.5) |
|
Iэn |
||||
|
|
|
где Iкn - ток электронов, достигающих левой границы ОПЗ коллекторного n-р перехода.
Для транзистора с равномерно легированной базой и при малых значениях w/Ln можно использовать следующую аппроксимацию для коэффициента переноса:
|
1 |
æ |
w |
ö2 |
|
|
c » 1- |
ç |
÷ |
(11.6) |
|||
|
|
|||||
2 |
ç |
|
÷ . |
|||
|
è |
Lnб ø |
|
201
Коллекторный ток состоит из управляемого тока носителей заряда,
инжектированных эмиттером и неуправляемого тока утечки коллекторного перехода Iко, обусловленного приложенным к нему обратным напряжением.
Обратный ток коллекторного перехода образует неуправляемую часть полного тока коллектора, так как он замыкается в выходной цепи коллектор−база, где служит источником потерь (рис. 11.5).
С учетом рекомбинации в базе для полного тока коллектора в схеме с ОБ можно записать следующее выражение:
Iк = αIэ + Iк0 , |
(11.7) |
где α − статический коэффициент передачи тока, характеризующий полные потери носителей при переходе из эмиттера в коллектор:
α = |
Iкn |
= γχ . |
(11.8) |
|
|||
|
Iэ |
|
|
Таким образом, результирующий ток, протекающий в цепи базы |
|||
транзистора, образован тремя составляющими (рис. 11.5): |
|
||
∙ инжекционный ток (1 − γ)jэ; |
|
||
∙ рекомбинационный ток (1 − χ)jэ; |
|
||
∙ обратный ток коллекторного перехода. |
|
||
Iб = Iэ − Iк = Iэ − αIэ = Iэ(1 − α) − Iк0 . |
(11.9) |
Чем выше α, тем больше усиление транзистора по мощности, поэтому
этот коэффициент называют также коэффициентом усиления транзистора в схеме с общей базой. Значение α всегда несколько меньше единицы, если не происходит лавинного умножения носителей в коллекторном переходе.
Лавинное умножение в ОПЗ коллектора при повышенном обратном напряжении приводит к увеличению всех токов, протекающих через переход, в М раз. Лавинное умножение носителей сопровождается шумами и может приводить к нестабильной работе транзистора. Такой режим не используют при усилении электрических сигналов. Он иногда используется в специально сконструированных транзисторах, в этом случае:
α = γχ М , |
(11.10) |
где M − коэффициент, характеризующий умножение неосновных носителей, дошедших до коллектора.
По аналогии со схемой ОБ в схеме ОЭ для тока коллектора можно записать следующее выражение для полного тока коллектора:
Iк = βIб + I*к0 , |
(11.11) |
где I*к0 − начальный сквозной коллекторный ток при Iб = 0, β − коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ.
Значения α и β связаны между собой следующим соотношением:
202
β = |
|
|
α |
. |
(11.12) |
1 |
|
||||
|
− α |
|
Так как параметр α очень близок к единице, значения коэффициента усиления в схеме с ОЭ составляют порядка 100.
Величина I*к0 в β раз больше начального коллекторного тока Iк0 в схеме с ОБ. Последнее объясняется тем, что дырки − неосновные носители коллекторной области, экстрагированные в базу, не могут уйти через ее вывод и, скапливаясь вблизи эмиттерного перехода, создают положительный пространственный заряд. Это уменьшает высоту энергетического барьера эмиттерного перехода и приводит к инжекции электронов из эмиттера в базу.
Возможен также режим для схемы с общим эмиттером, при котором Uбэ = 0, т. е. имеет место короткое замыкание между базой и эмиттером. В этом режиме ток, созданный электронами, уходящими из базы, протекая через сопротивление пассивной области базы rб, создает на нем падение напряжения, несколько снижающее высоту энергетического барьера в эмиттерном переходе. Через коллекторный переход в этом случае течет начальный коллекторный ток, величина которого много меньше начального сквозного коллекторного тока, но несколько больше обратного тока коллектора в схеме с ОБ.
11.4.Эффект модуляции ширины базы
Вактивном режиме работы транзистора коллекторный переход находится под обратным напряжением и ширина ОПЗ перехода зависит от
величины приложенного напряжения. Поскольку σб < σк, обедненный слой
расположен преимущественно в области базы и изменение его размеров приводит к изменению ширины квазинейтральной области базы. Модуляция
ширины базы транзистора под действием изменений напряжения смещения коллекторного перехода была впервые исследована Джеймсом Эрли, и поэтому данное явление называется эффектом Эрли.
Величину изменения ширины базы можно определить, дифференцируя выражение для ширины ОПЗ n-p перехода по U:
dw = − |
εε0 |
1 |
|
dUкб |
(11.13) |
|
2eN A |
|
U |
|
|||
|
|
кб |
|
где NА − концентрация примеси акцепторной примеси в базе.
Изменение ширины базы существенно влияет на физические процессы в транзисторе.
∙Во-первых, с уменьшением w меняется вероятность рекомбинации в базе, и, как следствие, соотношение между током коллектора и током базы.
∙Во-вторых, изменяется градиент концентрации неосновных
носителей в базе, что приводит к увеличению плотности
203