- •1.Электрические заряды и их свойства.
- •2. Сила и плотность постоянного электрического тока.
- •3.Циркуляция вектора намагниченности.
- •1.Закон Кулона.
- •2.Уравнение непрерывности.
- •3.Напряженность магнитного поля. Циркуляция вектора н.
- •1.Электрическое поле. Напряженность поля.
- •2.Закон Ома для однородного проводника в интегральной и локальной форме. Следствия.
- •3.Связь между вектором намагниченности и н, а также между в и н.
- •1.Потенциал.
- •3.Условия на границе двух магнетиков.
- •1.Связь между напряженностью и потенциалом поля.
- •2.Закон Ома в интегральной форме для неоднородного участка цепи.
- •3.Закон электромагнитной индукции. Правило Ленца.
- •1.Поток вектора е. Теорема Гаусса в интегральной форме.
- •2.Правила Кирхгофа.
- •3.Природа эл.Магн. Индукции (контур движется в магнитном поле).
- •1.Дифференциальная форма теоремы Гаусса для вектора е.
- •2.Мощность постоянного тока.
- •3.Природа эл.Магн. Индукции (контур покоится в переменном магнитном поле).
- •1.Электрический диполь.
- •2.Закон Джоуля – Ленца.
- •3.Самоиндукция.
- •1.Сила, действующая на диполь во внешнем электрическом поле.
- •2.Взаимодействие проводников с током.
- •3.Взаимная индукция.
- •1.Момент сил, действующих на диполь, энергия диполя в поле.
- •1) Под действием результирующей силы он перемещается в область более сильного поля,
- •2) Момент сил стремится установить диполь так, чтобы .
- •3.Классификация магнетиков.
- •1.Поляризация диэлектриков.
- •2.Магнитное поле движущегося заряда.
- •3.Энергия магнитного поля.
- •1.Объемные и связанные заряды диэлектрика.
- •2.Закон Био – Савара.
- •3.Магнитные свойства атомов. Магнитомеханическое отношение.
- •1.Электрическое поле в диэлектрике.
- •2.Сила Лоренца.
- •3.Опыт Эйнштейна и де – Хааса.
- •1.Поляризованность. Связь между р и е.
- •2.Закон Ампера.
- •3.Собственный механический и магнитный моменты электрона. Магнетон Бора.
- •1.Теорема Гаусса для вектора р.
- •2.Сила и момент сил, действующие на контур с током в однородном магнитном поле.
- •3.Диамагнетизм.
- •1.Вектор электрического смещения. Теорема Гаусса для вектора d. Линии вектора d.
- •2.Сила и момент сил, действующие на контур с током в неоднородном магнитном поле.
- •3.Магнитные моменты атомов.
- •1.Теорема о циркуляции вектора е. Потенциальное поле.
- •2.Теорема Гаусса для вектора в.
- •3.Парамагнетизм.
- •1.Условия для электростатического поля на границе двух диэлектриков.
- •2.Теорема о циркуляции вектора в.
- •1.Проводник во внешнем электрическом поле.
- •2.Импульс и плотность импульса эл.Магн. Поля.
- •3.Вихревое электрическое поле.
- •1.Поле у поверхности проводника.
- •2.Циркуляция и ротор электростатического поля.
- •3.Ток смещения. Теорема о циркуляции вектора н.
- •2. (Дивергенция и ротор электростатического поля). Давление эл.Магн. Волны
- •3.Система уравнений Максвелла в интегральной форме.
- •1.Энергия заряженного проводника.
- •2.Намагничение вещества. Вектор намагниченности.
- •3.Система уравнений Максвелла в дифференциальной форме.
- •1.Энергия заряженного конденсатора.
- •3.Электромагнитная волна.
- •Циркуляция вектора намагниченности.
- •1.Энергия и плотность энергии электростатического поля.
- •2.Циркуляция вектора намагниченности.
- •3.Энергия эл.Магн. Волны. Вектор Пойнтинга.
- •1.Энергия взаимодействия электрических зарядов.
- •2.Напряженность магнитного поля. Циркуляция вектора н.
- •3.Система уравнений Максвелла.
1.Проводник во внешнем электрическом поле.
При помещении нейтрального проводника во внешнее электростатическое поле на все его заряды будет действовать кулоновская сила со стороны поля. Свободные носители заряда (электроны) сместятся против поля. Перемещение будет происходить до тех пор, пока не установится определенное распределение зарядов – равновесие, при котором поле внутри проводника станет равным нулю, тогда у концов проводника возникают индуцированные заряды. Это явление называется электростатической индукцией.
Значит, проводник внесенный в электрическое поле разрывает линии напряженности: они заканчиваются на отрицательных зарядах и вновь
Рис.3.1
начинаются на положительных, рис.3.1.
Далее, поскольку Е=0, то в соответствии с теоремой Гаусса плотность избыточных (нескомпенсированных) зарядов внутри проводника также равна нулю. Избыточные заряды появляются лишь на поверхности проводника с некоторой плотностью , различной, в общем случае, в разных точках его поверхности. Толщина поверхностного слоя 1-2 межатомных расстояний.
Отсутствие поля внутри проводника означает, что потенциал в проводнике одинаков в разных точках, т.е., любой проводник в электростатическом поле представляет собой эквипотенциальную область, а его поверхность является эквипотенциальной.
Вектор вне проводника перпендикулярен его поверхности в каждой точке. Это следует из соотношения между потенциалом и напряженностью поля, записанного для тангенциальной составляющей поля на поверхности : т.к., =const, то . В противном случае под действием касательной составляющей вектора заряды пришли бы в движение и равновесие нарушилось.
На рис.3.2 изображено поле заряженного проводника неправильной формы. На больших расстояниях оно подобно полю точечного заряда – т.е., эквипотенциальные поверхности есть сферы. По мере приближения к проводнику они становятся все более схожими с поверхностью проводника.
Рис.3.2
Вблизи выступов эквипотенциальные поверхности расположены гуще, здесь больше, плотность зарядов на выступах особенно велика. Вблизи углублений в проводнике эквипотенциальные поверхности расположены реже. Т.е., плотность зарядов растет с увеличением положительной кривизны (выпуклости) и уменьшается с увеличением вогнутости, рис.3.3.
На остриях может быть достаточной для ионизации воздуха и истечения заряда. Возникает так называемый ”электрический ветер”.
Индуцированные носители заряда располагаются, как уже упоминалось, на внешней поверхности проводника. Если внутри проводника есть полость, то поле внутри нее равно нулю при равновесном распределении зарядов. На этом явлении основана электростатическая защита (клетка Фарадея). Т.е. для защиты приборов и т.д. от электростатического поля их окружают металлической оболочкой (экраном). Внешнее поле компенсируется внутри оболочки индуцированными зарядами на поверхности проводника.