- •Федеральное агентство по образованию и науке Российской Федерации
- •Лабораторная работа №1 Изучение технологии изготовления и основных параметров резисторов Цель работы:
- •Теоретические сведения.
- •Общие сведения о резисторах постоянного сопротивления Основные параметры резисторов постоянного сопротивления
- •Непроволочные резисторы
- •Проволочные резисторы
- •Основные сведения о технологиях изготовления постоянных резисторов
- •Резисторы переменного сопротивления
- •Основные параметры резисторов
- •Переменные регулировочные резисторы
- •Переменные подстроечные резисторы
- •Основные сведения о технологии изготовления переменных композиционных резисторов
- •Специальные резисторы Полупроводниковые терморезисторы
- •Основные параметры и характеристики
- •Технология изготовления терморезисторов
- •Полупроводниковые варисторы
- •Основные параметры и характеристики
- •Технология изготовления варисторов
- •Полупроводниковые фоторезисторы
- •Основные параметры фоторезисторов
- •Технология изготовления фоторезисторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Измерительные приборы, оснастка, образцы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение 1 Цветовая маркировка миниатюрных резисторов постоянного сопротивления
- •Маркировка буквенно-цифровая
- •Маркировка переменных резисторов
- •Система обозначений
- •Маркировка специальных резисторов Маркировка термисторов
- •Система обозначений термисторов
- •Система обозначений варисторов
- •Лабораторная работа № 2 Изучение конструкции и технологии изготовления дискретных конденсаторов и оценка их электрических параметров.
- •Теоретические сведения
- •Классификация конденсаторов
- •Конденсаторы с органическим диэлектриком
- •Конденсаторы с неорганическим диэлектриком
- •Конденсаторы с оксидным диэлектриком
- •Конденсаторы с газообразным диэлектриком
- •Конструкции конденсаторов
- •Система условных обозначений и маркировка конденсаторов
- •Технология изготовления керамических конденсаторов Получение керамического шликера
- •Технология приготовления шликера
- •Технология литья пленки
- •Керамические материалы
- •Технология изготовления танталовых чип-конденсаторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •100.(Сизм – Сном )/Сном.
- •Технологическое оборудование, оснастка, измерительные приборы и материалы
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Основные параметры ки
- •Конструкции и технологии изготовления ки
- •Классификация магнитных материалов. Ферриты
- •Порядок расчета
- •Пример расчета
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Технологическое оборудование, оснастка, измерительные приборы и материалы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Соединители и прочие коммутационные устройства
- •Электрические соединители. Классификация электрических соединений по их применению включает:
- •Токосъем – или
- •Соединение –
- •Основные параметры соединителей
- •У электростатического реле (рис 6,г) принцип действия основан на использовании кулоновских сил, которые обеспечивают притяжение подвижного электрода с мембраной к неподвижному.
- •Электронные реле (рис.6,д) представляют собой обычный электронный ключ, например на транзисторах (на биполярных, либо на кмоп или моп структурах и др.) (рис.7).
- •Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочие дискретные пассивные и активные эрк.
- •Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочие дискретные пассивные и активные эрк.
- •Общие сведения о корпусах дискретных полупроводниковых приборов
- •Общие сведения об устройствах индикации
- •Корпуса интегральных схем
- •Понятие о фильтрах и линиях задержки
- •Общие представления о резонаторах
- •Понятие о криоэлектронных приборах
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Инструменты приспособления и макетные образцы
- •Порядок выполнения работы
- •Результаты изучения компонентов в составе ячейки эвс
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №5 Изучение технологии изготовления жидкокристаллических индикаторов
- •Теоретические сведения
- •Общие сведения о жидких кристаллах и их свойствах
- •Принцип работы жки
- •Особенности конструкции жки и технология её изготовления
- •Сравнительные характеристики разных типов индикаторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Макетные образцы
- •Порядок выполнения работы.
- •Требования к отчёту
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение 1 Индикаторы на светоизлучающих диодах
- •Физические основы работы сид
- •Приложение 2 Индикаторы на электронно-лучевых трубках
- •Газоразрядные индикаторы
- •Вакуумные люминесцентные индикаторы
- •Приложение 5 Электролюминесцентные индикаторы
- •Накальные индикаторы
- •Электрохромные индикаторы
- •Электрофорезные индикаторы
- •Приложение 9 Электромеханические индикаторы
- •Лабораторная работа № 6
- •Линии передачи
- •Подложки и проводники мпл
- •Элементы, узлы и устройства
- •Фильтры
- •Генератор свч колебаний на лавинно-пролетном диоде (глпд)
- •Малошумящий усилитель (мшу)
- •Технология свч гис
- •Технология изготовления свч гис и мсб
- •Технологический маршрут изготовления свч гис и мсб
- •Аппаратура
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Технологические среды и материалы для изготовления кристаллодержателя на гибком носителе (гн).
- •Анализ способов и методов сборки и монтажа кристаллодержателя на гн и выбор наиболее целесообразного.
- •Последовательность в изготовлении кристаллодержателя на гибком носителе.
- •Структура полиимидных носителей.
- •Конструкционные материалы.
- •Конструкции ленточных носителей
- •Полиимидный носитель с алюминиевыми выводами
- •Домашнее задание.
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приготовление керамического шликера Состав керамического шликера
- •Минеральная составляющая
- •Растворители
- •Пластификаторы
- •Поверхностно-активное вещество (пав)
- •Этапы технологии приготовления шликер
- •Технология литья пленки
- •Изготовление заготовок слоев
- •Металлизация слоев
- •Изготовление основания кристаллодержателя
- •Герметизация корпусов
- •Материалы для производства керамических кристаллодержателей
- •Пасты для изготовления керамических кристаллодержателей
- •Требования к проводниковым пастам
- •Определение реологических требований к пасте
- •Реологические свойства пасты
- •Вязкость
- •Поверхностное натяжение
- •Исследования методов нанесения паст
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Материалы для выполнения лабораторной работы.
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету.
- •Контрольные вопросы.
- •Литература
- •Содержание
Пасты для изготовления керамических кристаллодержателей
Необходимость разработки новой пасты. Применяемая в производстве проводниковая паста В-1 (0по ЩИО.028.002 ТУ) была разработана специально для керамических корпусов. Состав пасты приведен в табл. 10. После обжига металлизированных плат паста В-1 обеспечивает проводникам удельное поверхностное сопротивление не более 0.05 Ом/□,адгезию к керамике не менее 600 кг/ см2.
При разработке состава пасты для корпусов учитывались главные требования - высокая адгезия к керамике ВК 94-1, согласование T&TIP и коэффициентов усадки керамики и пасты. По этому для выполнения этих требований в состав паст введен диэлектрический материал ВК 94-1 в количестве 8-20 %.
Таблица 10.
Состав паст для керамических корпусов.
Марки пасты |
% вес |
Примечание | |||||
Молибден |
Вольфрам |
Гидрид титана |
Порошок ВК94-1 |
Борид молибден |
Марганец | ||
№9 |
80 |
— |
10 |
— |
— |
10 |
Для металлизации обоженной керамики |
В-1 |
23 |
69 |
— |
8 |
— |
— |
Для металлизации пластифицированной керамики |
Определение состава металлической части пасты. При разработке состава проводниковой пасты на первое место выдвигается требование по снижению удельного поверхностного сопротивления. При этом должна быть достаточно высокой адгезия к керамике ВК 94 -1 и обеспечена возможность нанесения проводников и межслойных переходов.
Обеспечение требований по согласованию ЖЛР и коэффициентов усадки также являлось необходимым условием при разработке состава паст.
Переоценка требований и соображения по составам минеральной и органической частей пасты позволили по новому наметить пути поиска ее состава.
Были намечены программы определения состава пасты без добавки порошка ВК 94-1, являющегося диэлектриком.
Необходимо было определить оптимальное соотношение вольфрама и молибдена, обеспечивающее наилучшее согласование ТКЛР и синхронности усадки пасты и керамической подложки в процессе совместного обжига.
Экспериментальным путем с помощью металлизированной пасты на керамической пленке толщиной 0.2 мм определили, что оптимальное соотношение вольфрама и молибдена в пасте является соответственно 3:1. При таком соотношении обожженная пластина не искривлялась. В то же время было отмечено, что керамические пленки, металлизированные пастой, содержащей 100% вольфрама искривлялись в сторону керамики, а пленки, металлизированные пастой, содержащей 100% молибдена искривлялись в сторону металлизированного слоя.
Найденное соотношение определило процентное весовое содержание вольфрама (75%) и молибдена (25%) в минеральной части пасты.
Определение органической связки. В качестве органической связки опробован раствор поливинилбутираля в терпинеоле.
В процессе подбора было установлено, что проводниковая паста на этилцеллюлозе при металлизации межслойных переходов не полностью заполняла отверстия, а паста на поливинилбутирале хорошо заполняла отверстия и выходила на противоположную сторону керамического слоя.
Анализ поведения паст установил, что некачественное заполнение отверстий пастой первого варианта связан с плохой смачиваемостью пластифицированной керамики этилцеллюлозой.
В случае металлизации отверстий пастой второго варианта была хорошая совместимость пасты и пластифицированной керамики. В результате выбор органического связующего пал на поливинилбутираль.
Разработка состава пасты. Для обеспечения требований к металлической и органической частям пасты было составлено несколько вариантов рецептуры. После проведения экспериментов было оставлено два состава проводниковой пасты:
состав №1 - для заполнения отверстий;
состав №2 - для получения плоских проводников.
Они получили условное обозначение соответственно ПВМ-1 и ПВМ-2 (паста вольфрамо-молибденовая состав № 1 и состав № 2).
Компоненты, входящие в пасты приведены в табл. 11.
Таблица 11
Состав паст ПВМ
№ п/п |
Наименование компонентов |
Содержание компонентов, вес % | |
ПВМ-1 |
ПВМ-2 | ||
1 |
Порошок вольфрамовый |
67.5 |
64.5 |
2 |
Порошок молибденовый |
22.5 |
21.5 |
3 |
Раствор поливинилбутираля в терпинеоле |
9.4 |
13.2 |
4 |
Дибутилфталат |
0.4 |
0.5 |
5 |
Терпинеол |
0.2 |
0.3 |
|
Всего |
100.0 |
100.0 |
Вольфрамовый порошок. Основным в металлической части является вольфрамовый порошок. Были проведены исследования вольфрамовых порошков следующих марок: В4ДК (ТУ 48-19-72-73), ПВВ и ПВН (ТУ 48-19-72-73), ПВО (ТУ 19-101) . Из табл. 12 видно, что наибольшая дисперсность у порошка марки ПВВ. Высокая дисперсность металлического порошка позволяет рассчитывать на получение максимального количества контактов, состоящих из спеченных друг с другом частиц порошка. Это обеспечит снижение удельного поверхностного сопротивления проводника. Исходя из этих соображений, был принят вольфрамовый порошок марки ПВВ.
Таблица 12
Дисперсность вольфрамовых порошков.
Марка порошка |
Дисперсность (по Фишеру) , мкм |
Максимальные размеры зерен (не более), мкм |
В4ДК |
2.0-2.1 |
15 |
ПВВ |
1.3-1.4 |
12 |
ПВО |
6.2 |
20 |
ПВН |
7.1 |
20 |
Молибденовый порошок. Отечественная промышленность выпускает несколько марок молибденового порошка. Но все они крупнозернистые, при их помоле возникают дополнительные трудности. Поэтому для получения мелкозернистого молибденового порошка был применен технологический процесс восстановления молибденовой кислоты.
В качестве исходного материала брали молибденовую кислоту марки "Ч" или "ЧДА" (по ТУ 6-09-2154-77).
Предварительно кислоту размалывали в течение четырех часов в фарфоровом барабане с корундовыми или фарфоровыми шарами. При загрузке барабана выдерживали соотношение по весу - молибденовая кислота: шары : вода = 1:2:2.
Размельченный порошок кислоты в виде кашицы раскладывали в молибденовые лодочки слоем 10-15 мм и пропускали через конвейерную восьмизонную печь СК 11/6-8 с максимальной температурой в 5 зоне 1000±50° С.
Восстановление Мо из молибденовой кислоты, происходит в две стадии:
1-MоO3+H2 <=> МоО2+Н2О;
2-МоО2+2Н2 <=> Мо+2Н2О.
Двухстадийный процесс имеет особенно важное значение, так как это препятствует значительному росту зерна.
Обычно 1 стадия происходит при 600-700°С, 2 - при 900-1000°С
Характеристика порошка, полученного из молибденовой кислоты, приведена в табл. 13.
Таблица 13.
Характеристика порошка Мо, полученного путем восстановления молибденовой кислоты
№п/п |
Наименование параметра |
Численное значение |
1 |
Химический состав, % -Мо -Fe -летучий остаток - содержание О2 |
99.8 0.04 0.08 0.08 |
2 |
Дисперсность, мкм - средний размер частиц - максимальный размер частиц |
4 15 |
Органическая часть. Экспериментальным путем установлено, что поливинилбутираль марки ПШ-1 (по ГОСТ 9439-73), дибутилфталат марки "Ч" или "технический" (по ГОСТ 8728-77), терпинеол марки "Экстра" (по ТУ 18-16-231-79), взятые в количествах согласно табл. 11 обеспечивают необходимые свойства пасте.
Раствор поливинилбутираля в терпинеоле готовится в весовом соотношении 4:96.
Перемешивание металлической части с компонентами органической части производилось на валковой пастотерке.
Вязкость пасты ПВМ-1 доводилась до 20-24 мм, ПВМ -2 до 9-14 мм. Вязкость определяли по диаметру пятна, образовавшегося из навески пасты 0.15 г, заключенной между прозрачными стеклами, под воздействием груза 0,250 кг в течение 15 мин при температуре окружающей среды 20-22 °С.
Результаты проведенных работ позволяют обеспечить удельное поверхностное сопротивление проводников 0,015 - 0.020 Ом/□
Эта величина достигается путем применения разработанных паст ПВМ-1 (для заполнения отверстий межслойных переходов) и ПВМ-2 (для нанесения проводников на плоскости).
Толщина проводников на плоскости не должна быть меньше 25 мкм. Реологические характеристики паст ПВМ позволяют без особых трудностей обеспечить это требование на операции нанесения проводников.