- •Федеральное агентство по образованию и науке Российской Федерации
- •Лабораторная работа №1 Изучение технологии изготовления и основных параметров резисторов Цель работы:
- •Теоретические сведения.
- •Общие сведения о резисторах постоянного сопротивления Основные параметры резисторов постоянного сопротивления
- •Непроволочные резисторы
- •Проволочные резисторы
- •Основные сведения о технологиях изготовления постоянных резисторов
- •Резисторы переменного сопротивления
- •Основные параметры резисторов
- •Переменные регулировочные резисторы
- •Переменные подстроечные резисторы
- •Основные сведения о технологии изготовления переменных композиционных резисторов
- •Специальные резисторы Полупроводниковые терморезисторы
- •Основные параметры и характеристики
- •Технология изготовления терморезисторов
- •Полупроводниковые варисторы
- •Основные параметры и характеристики
- •Технология изготовления варисторов
- •Полупроводниковые фоторезисторы
- •Основные параметры фоторезисторов
- •Технология изготовления фоторезисторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Измерительные приборы, оснастка, образцы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение 1 Цветовая маркировка миниатюрных резисторов постоянного сопротивления
- •Маркировка буквенно-цифровая
- •Маркировка переменных резисторов
- •Система обозначений
- •Маркировка специальных резисторов Маркировка термисторов
- •Система обозначений термисторов
- •Система обозначений варисторов
- •Лабораторная работа № 2 Изучение конструкции и технологии изготовления дискретных конденсаторов и оценка их электрических параметров.
- •Теоретические сведения
- •Классификация конденсаторов
- •Конденсаторы с органическим диэлектриком
- •Конденсаторы с неорганическим диэлектриком
- •Конденсаторы с оксидным диэлектриком
- •Конденсаторы с газообразным диэлектриком
- •Конструкции конденсаторов
- •Система условных обозначений и маркировка конденсаторов
- •Технология изготовления керамических конденсаторов Получение керамического шликера
- •Технология приготовления шликера
- •Технология литья пленки
- •Керамические материалы
- •Технология изготовления танталовых чип-конденсаторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •100.(Сизм – Сном )/Сном.
- •Технологическое оборудование, оснастка, измерительные приборы и материалы
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Основные параметры ки
- •Конструкции и технологии изготовления ки
- •Классификация магнитных материалов. Ферриты
- •Порядок расчета
- •Пример расчета
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Технологическое оборудование, оснастка, измерительные приборы и материалы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Соединители и прочие коммутационные устройства
- •Электрические соединители. Классификация электрических соединений по их применению включает:
- •Токосъем – или
- •Соединение –
- •Основные параметры соединителей
- •У электростатического реле (рис 6,г) принцип действия основан на использовании кулоновских сил, которые обеспечивают притяжение подвижного электрода с мембраной к неподвижному.
- •Электронные реле (рис.6,д) представляют собой обычный электронный ключ, например на транзисторах (на биполярных, либо на кмоп или моп структурах и др.) (рис.7).
- •Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочие дискретные пассивные и активные эрк.
- •Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочие дискретные пассивные и активные эрк.
- •Общие сведения о корпусах дискретных полупроводниковых приборов
- •Общие сведения об устройствах индикации
- •Корпуса интегральных схем
- •Понятие о фильтрах и линиях задержки
- •Общие представления о резонаторах
- •Понятие о криоэлектронных приборах
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Инструменты приспособления и макетные образцы
- •Порядок выполнения работы
- •Результаты изучения компонентов в составе ячейки эвс
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №5 Изучение технологии изготовления жидкокристаллических индикаторов
- •Теоретические сведения
- •Общие сведения о жидких кристаллах и их свойствах
- •Принцип работы жки
- •Особенности конструкции жки и технология её изготовления
- •Сравнительные характеристики разных типов индикаторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Макетные образцы
- •Порядок выполнения работы.
- •Требования к отчёту
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение 1 Индикаторы на светоизлучающих диодах
- •Физические основы работы сид
- •Приложение 2 Индикаторы на электронно-лучевых трубках
- •Газоразрядные индикаторы
- •Вакуумные люминесцентные индикаторы
- •Приложение 5 Электролюминесцентные индикаторы
- •Накальные индикаторы
- •Электрохромные индикаторы
- •Электрофорезные индикаторы
- •Приложение 9 Электромеханические индикаторы
- •Лабораторная работа № 6
- •Линии передачи
- •Подложки и проводники мпл
- •Элементы, узлы и устройства
- •Фильтры
- •Генератор свч колебаний на лавинно-пролетном диоде (глпд)
- •Малошумящий усилитель (мшу)
- •Технология свч гис
- •Технология изготовления свч гис и мсб
- •Технологический маршрут изготовления свч гис и мсб
- •Аппаратура
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Технологические среды и материалы для изготовления кристаллодержателя на гибком носителе (гн).
- •Анализ способов и методов сборки и монтажа кристаллодержателя на гн и выбор наиболее целесообразного.
- •Последовательность в изготовлении кристаллодержателя на гибком носителе.
- •Структура полиимидных носителей.
- •Конструкционные материалы.
- •Конструкции ленточных носителей
- •Полиимидный носитель с алюминиевыми выводами
- •Домашнее задание.
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приготовление керамического шликера Состав керамического шликера
- •Минеральная составляющая
- •Растворители
- •Пластификаторы
- •Поверхностно-активное вещество (пав)
- •Этапы технологии приготовления шликер
- •Технология литья пленки
- •Изготовление заготовок слоев
- •Металлизация слоев
- •Изготовление основания кристаллодержателя
- •Герметизация корпусов
- •Материалы для производства керамических кристаллодержателей
- •Пасты для изготовления керамических кристаллодержателей
- •Требования к проводниковым пастам
- •Определение реологических требований к пасте
- •Реологические свойства пасты
- •Вязкость
- •Поверхностное натяжение
- •Исследования методов нанесения паст
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Материалы для выполнения лабораторной работы.
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету.
- •Контрольные вопросы.
- •Литература
- •Содержание
Фильтры
Фильтры предназначены для подавления одних частотных составляющих некоторого сложного сигнала и передачи других.
Рис. 19. Частотная характеристика ППФ. ПП – полоса пропускания, ПЗ - полоса запирания, а – поглощение.
Полосно-пропускающий фильтр (ППФ) или просто полосовой фильтр, не пропускает сигналы ниже некоторой частоты ω3 (рис.19).
Полосовые фильтры могут быть реализованы на связанных линиях, на одиночной линии с зазорами, на встречных стержнях, в виде гребенки, на связанных резонаторах и т.д.
На рис.20а в качестве примера показана конструкция двухзвенного фильтра в виде гребенки и его частотная характеристика (рис.20б).
Рис. 20 Двухзвенный фильтр (а) и его частотные характеристики поглощения (б): 1 - S = 0,18; 2 - S = 0,28; 3 - S = 0,40
На рис.21 приведена принципиальная электрическая схема полосового СВЧ фильтра на связанных резонаторах. СВЧ фильтры на связанных резонаторах обычно выполняются на L, С элементах с распределенными параметрами, поскольку в диапазоне СВЧ технологически трудно изготовить элементы с сосредоточенными параметрами.
Рис. 21. Полосовой СВЧ фильтр на связанных резонаторах. Схема электрическая принципиальная 1 – вход; 2 – выход.
Генератор свч колебаний на лавинно-пролетном диоде (глпд)
В ЛПД генерация СВЧ колебаний в режиме лавинного пробоя p-n перехода объясняется тем, что возникающее под влиянием переменного поля изменение потока носителей заряда через диод запаздывает относительно напряжения настолько, что большая часть их движется во время действия тормозящей полуволны СВЧ поля и отдает ему часть энергии, полученной от постоянного поля, созданного источником питания. Преобразование энергии источника питания в энергию переменного СВЧ поля обусловлено двумя основными физическими процессами: лавинным умножением носителей заряда в p-n переходе при высокой напряженности электрического поля, превышающей пробивное напряжение и пролетом этих носителей обедненного слоя диода за определенное время. Отсюда и название – лавинно-пролетный диод.
На рис.22 приведена принципиальная электрическая схема ГЛПД.
Трансформатор Тр1 (фильтр низких частот) служит для согласования сопротивления ЛПД и сопротивления нагрузки. Под обычным согласованием понимается такое преобразование сопротивления нагрузки, при котором в линии передачи устанавливается режим чисто бегущей волны.
Под сопряженным согласованием понимают такую нагрузку для генератора, в которую от генератора поступает максимальная мощность.
Для обеспечения сопряженного согласования служат подстроечные емкости Сп. Полосовой фильтр служит для выделения двух гармоник ω1 и ω2 собран на элементах L1, C1; L2, C2; L3, C3; L4, C4 и L5, C5.
Рис. 22. Генератор на ЛПД. Схема электрическая принципиальная.
Фильтр по питанию на элементах R1, Спит предназначен для предотвращения опасных скачков напряжения в цепи питания, которые могут вывести схему из строя.
На рис.23 приведена схема крепления (соединения) ЛПД с микрополосковой платой ГЛПД.
Рис. 23. Симметричная (а) и ассиметричная (б) конструкции крепления электрического соединения ЛПД с микрополосковой СВЧ ГИС, 1 – ЛПД; 2 – основание ЛПД; 3 – контактные проводники; 4 – микрополосковая линия; 5 – диэлектрическая подложка СВЧ ГИС; 6 – экран; 7 – корпус; 8 – фиксирующая гайка.