- •Федеральное агентство по образованию и науке Российской Федерации
- •Лабораторная работа №1 Изучение технологии изготовления и основных параметров резисторов Цель работы:
- •Теоретические сведения.
- •Общие сведения о резисторах постоянного сопротивления Основные параметры резисторов постоянного сопротивления
- •Непроволочные резисторы
- •Проволочные резисторы
- •Основные сведения о технологиях изготовления постоянных резисторов
- •Резисторы переменного сопротивления
- •Основные параметры резисторов
- •Переменные регулировочные резисторы
- •Переменные подстроечные резисторы
- •Основные сведения о технологии изготовления переменных композиционных резисторов
- •Специальные резисторы Полупроводниковые терморезисторы
- •Основные параметры и характеристики
- •Технология изготовления терморезисторов
- •Полупроводниковые варисторы
- •Основные параметры и характеристики
- •Технология изготовления варисторов
- •Полупроводниковые фоторезисторы
- •Основные параметры фоторезисторов
- •Технология изготовления фоторезисторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Измерительные приборы, оснастка, образцы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение 1 Цветовая маркировка миниатюрных резисторов постоянного сопротивления
- •Маркировка буквенно-цифровая
- •Маркировка переменных резисторов
- •Система обозначений
- •Маркировка специальных резисторов Маркировка термисторов
- •Система обозначений термисторов
- •Система обозначений варисторов
- •Лабораторная работа № 2 Изучение конструкции и технологии изготовления дискретных конденсаторов и оценка их электрических параметров.
- •Теоретические сведения
- •Классификация конденсаторов
- •Конденсаторы с органическим диэлектриком
- •Конденсаторы с неорганическим диэлектриком
- •Конденсаторы с оксидным диэлектриком
- •Конденсаторы с газообразным диэлектриком
- •Конструкции конденсаторов
- •Система условных обозначений и маркировка конденсаторов
- •Технология изготовления керамических конденсаторов Получение керамического шликера
- •Технология приготовления шликера
- •Технология литья пленки
- •Керамические материалы
- •Технология изготовления танталовых чип-конденсаторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •100.(Сизм – Сном )/Сном.
- •Технологическое оборудование, оснастка, измерительные приборы и материалы
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Основные параметры ки
- •Конструкции и технологии изготовления ки
- •Классификация магнитных материалов. Ферриты
- •Порядок расчета
- •Пример расчета
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Технологическое оборудование, оснастка, измерительные приборы и материалы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Соединители и прочие коммутационные устройства
- •Электрические соединители. Классификация электрических соединений по их применению включает:
- •Токосъем – или
- •Соединение –
- •Основные параметры соединителей
- •У электростатического реле (рис 6,г) принцип действия основан на использовании кулоновских сил, которые обеспечивают притяжение подвижного электрода с мембраной к неподвижному.
- •Электронные реле (рис.6,д) представляют собой обычный электронный ключ, например на транзисторах (на биполярных, либо на кмоп или моп структурах и др.) (рис.7).
- •Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочие дискретные пассивные и активные эрк.
- •Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочие дискретные пассивные и активные эрк.
- •Общие сведения о корпусах дискретных полупроводниковых приборов
- •Общие сведения об устройствах индикации
- •Корпуса интегральных схем
- •Понятие о фильтрах и линиях задержки
- •Общие представления о резонаторах
- •Понятие о криоэлектронных приборах
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Инструменты приспособления и макетные образцы
- •Порядок выполнения работы
- •Результаты изучения компонентов в составе ячейки эвс
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №5 Изучение технологии изготовления жидкокристаллических индикаторов
- •Теоретические сведения
- •Общие сведения о жидких кристаллах и их свойствах
- •Принцип работы жки
- •Особенности конструкции жки и технология её изготовления
- •Сравнительные характеристики разных типов индикаторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Макетные образцы
- •Порядок выполнения работы.
- •Требования к отчёту
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение 1 Индикаторы на светоизлучающих диодах
- •Физические основы работы сид
- •Приложение 2 Индикаторы на электронно-лучевых трубках
- •Газоразрядные индикаторы
- •Вакуумные люминесцентные индикаторы
- •Приложение 5 Электролюминесцентные индикаторы
- •Накальные индикаторы
- •Электрохромные индикаторы
- •Электрофорезные индикаторы
- •Приложение 9 Электромеханические индикаторы
- •Лабораторная работа № 6
- •Линии передачи
- •Подложки и проводники мпл
- •Элементы, узлы и устройства
- •Фильтры
- •Генератор свч колебаний на лавинно-пролетном диоде (глпд)
- •Малошумящий усилитель (мшу)
- •Технология свч гис
- •Технология изготовления свч гис и мсб
- •Технологический маршрут изготовления свч гис и мсб
- •Аппаратура
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Технологические среды и материалы для изготовления кристаллодержателя на гибком носителе (гн).
- •Анализ способов и методов сборки и монтажа кристаллодержателя на гн и выбор наиболее целесообразного.
- •Последовательность в изготовлении кристаллодержателя на гибком носителе.
- •Структура полиимидных носителей.
- •Конструкционные материалы.
- •Конструкции ленточных носителей
- •Полиимидный носитель с алюминиевыми выводами
- •Домашнее задание.
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приготовление керамического шликера Состав керамического шликера
- •Минеральная составляющая
- •Растворители
- •Пластификаторы
- •Поверхностно-активное вещество (пав)
- •Этапы технологии приготовления шликер
- •Технология литья пленки
- •Изготовление заготовок слоев
- •Металлизация слоев
- •Изготовление основания кристаллодержателя
- •Герметизация корпусов
- •Материалы для производства керамических кристаллодержателей
- •Пасты для изготовления керамических кристаллодержателей
- •Требования к проводниковым пастам
- •Определение реологических требований к пасте
- •Реологические свойства пасты
- •Вязкость
- •Поверхностное натяжение
- •Исследования методов нанесения паст
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Материалы для выполнения лабораторной работы.
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету.
- •Контрольные вопросы.
- •Литература
- •Содержание
Технология свч гис
Основным элементом СВЧ ГИС является МПЛ. Толщина пленочных проводников МПЛ выбирается в зависимости от рабочей частоты и составляет 2÷5 скин-слоя. На практике толщина пленочных проводников МПЛ составляет 5÷20 мкм. Поперечное сечение микрополосковой платы схематически изображено на рис.26.
Рис. 26. Фрагмент структуры микрополосковой платы СВЧ ГИС
1 – диэлектрическая подложка; 2 – адгезионный подслой; 3 – резистор; 4 – нижняя обкладка конденсатора; 5 – диэлектрик конденсатора; 6 – верхняя обкладка конденсатора; 7 – проводящий слой номинальной толщины; 8 – антикоррозионное покрытие; 9 – защитное покрытие. Слои 2, 7, 8 образуют проводники МПЛ и заземляющую плоскость.
Технология изготовления свч гис и мсб
СВЧ ГИС и МСБ могут быть реализованы по тонко- и толсто- пленочной технологии. Их различие заключается не в толщине пленок, а в способе их нанесения. По толстопленочной технологии изготавливаются в основном схемы, работающие на частотах f < 1 ГГц., и схемы, для которых требования к точности изготовления и электрическим характеристикам не очень высоки.
Тонкопленочная технология предпочтительна в более высокочастотном диапазоне (f > 1 ГГц) для изготовления высокоточных схем, а большая плотность монтажа позволяет получить схемы меньших размеров по сравнению с толстопленочными.
Формирование пассивных пленочных элементов с сосредоточенными параметрами (R,C) производят известными методами тонкопленочной технологии. Остановимся на особенностях создания проводящих элементов с распределенными параметрами (МПЛ и элементов на их основе). Для этого используют два технологических маршрута – с использованием метода технологической коммутации и метода контактной маски.
Впервом технологическом маршруте после напыления тонкого проводящего слоя толщиной 1–2 мкм проводится фотолитография, в результате формируется обобщенная конфигурация проводящих элементов, соединенных технологическими проводниками, которые удаляются после электролитического наращивания толстого (3–20 мкм) слоя проводящих элементов (рис.27)
Рис. 27. Схема ванны для электролитического осаждения: 1 – источник постоянного тока; 2 – основная ванна; 3 – электролит; 4 – штанга с зажимом; 5 – подложка; 6 – проточная вода; 7 – наружная ванна; 8 – анод.
Во втором маршруте (рис.28) после напыления тонкопленочного слоя на нем формируется контактная маска, которая удаляется после электролитического наращивания.
Рис. 28. Последовательность выполнения укрупненных групп операций при изготовлении СВЧ ГИС методом контактной маски: 1 – подложка; 2 – адгезионный слой; 3 – слой меди; 4 – гальванический слой меди; 5 – защитный слой; 6 – фоторезист.
Для повышения качества СВЧ ГИС и МСБ применяют различные технологические приемы. Так, при электролитическом наращивании пленок для их чистоты используют
импульсные токи и реверсирование; при термическом испарении – высокие скорости осаждения и т.д.
Выбор способа установки и монтажа навесных компонентов на плату СВЧ ГИС и МСБ зависит от их конструкции. Используют либо поверхностный монтаж, либо монтаж в отверстие платы на основание, соединенное с корпусом.
Технологические маршруты изготовления СВЧ ГИС и МСБ отличаются большим разнообразием. По одному из них, приведенному ниже выполнены образцы лабораторных работ.