- •Федеральное агентство по образованию и науке Российской Федерации
- •Лабораторная работа №1 Изучение технологии изготовления и основных параметров резисторов Цель работы:
- •Теоретические сведения.
- •Общие сведения о резисторах постоянного сопротивления Основные параметры резисторов постоянного сопротивления
- •Непроволочные резисторы
- •Проволочные резисторы
- •Основные сведения о технологиях изготовления постоянных резисторов
- •Резисторы переменного сопротивления
- •Основные параметры резисторов
- •Переменные регулировочные резисторы
- •Переменные подстроечные резисторы
- •Основные сведения о технологии изготовления переменных композиционных резисторов
- •Специальные резисторы Полупроводниковые терморезисторы
- •Основные параметры и характеристики
- •Технология изготовления терморезисторов
- •Полупроводниковые варисторы
- •Основные параметры и характеристики
- •Технология изготовления варисторов
- •Полупроводниковые фоторезисторы
- •Основные параметры фоторезисторов
- •Технология изготовления фоторезисторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Измерительные приборы, оснастка, образцы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение 1 Цветовая маркировка миниатюрных резисторов постоянного сопротивления
- •Маркировка буквенно-цифровая
- •Маркировка переменных резисторов
- •Система обозначений
- •Маркировка специальных резисторов Маркировка термисторов
- •Система обозначений термисторов
- •Система обозначений варисторов
- •Лабораторная работа № 2 Изучение конструкции и технологии изготовления дискретных конденсаторов и оценка их электрических параметров.
- •Теоретические сведения
- •Классификация конденсаторов
- •Конденсаторы с органическим диэлектриком
- •Конденсаторы с неорганическим диэлектриком
- •Конденсаторы с оксидным диэлектриком
- •Конденсаторы с газообразным диэлектриком
- •Конструкции конденсаторов
- •Система условных обозначений и маркировка конденсаторов
- •Технология изготовления керамических конденсаторов Получение керамического шликера
- •Технология приготовления шликера
- •Технология литья пленки
- •Керамические материалы
- •Технология изготовления танталовых чип-конденсаторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •100.(Сизм – Сном )/Сном.
- •Технологическое оборудование, оснастка, измерительные приборы и материалы
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Основные параметры ки
- •Конструкции и технологии изготовления ки
- •Классификация магнитных материалов. Ферриты
- •Порядок расчета
- •Пример расчета
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Технологическое оборудование, оснастка, измерительные приборы и материалы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Соединители и прочие коммутационные устройства
- •Электрические соединители. Классификация электрических соединений по их применению включает:
- •Токосъем – или
- •Соединение –
- •Основные параметры соединителей
- •У электростатического реле (рис 6,г) принцип действия основан на использовании кулоновских сил, которые обеспечивают притяжение подвижного электрода с мембраной к неподвижному.
- •Электронные реле (рис.6,д) представляют собой обычный электронный ключ, например на транзисторах (на биполярных, либо на кмоп или моп структурах и др.) (рис.7).
- •Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочие дискретные пассивные и активные эрк.
- •Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочие дискретные пассивные и активные эрк.
- •Общие сведения о корпусах дискретных полупроводниковых приборов
- •Общие сведения об устройствах индикации
- •Корпуса интегральных схем
- •Понятие о фильтрах и линиях задержки
- •Общие представления о резонаторах
- •Понятие о криоэлектронных приборах
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Инструменты приспособления и макетные образцы
- •Порядок выполнения работы
- •Результаты изучения компонентов в составе ячейки эвс
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №5 Изучение технологии изготовления жидкокристаллических индикаторов
- •Теоретические сведения
- •Общие сведения о жидких кристаллах и их свойствах
- •Принцип работы жки
- •Особенности конструкции жки и технология её изготовления
- •Сравнительные характеристики разных типов индикаторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Макетные образцы
- •Порядок выполнения работы.
- •Требования к отчёту
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение 1 Индикаторы на светоизлучающих диодах
- •Физические основы работы сид
- •Приложение 2 Индикаторы на электронно-лучевых трубках
- •Газоразрядные индикаторы
- •Вакуумные люминесцентные индикаторы
- •Приложение 5 Электролюминесцентные индикаторы
- •Накальные индикаторы
- •Электрохромные индикаторы
- •Электрофорезные индикаторы
- •Приложение 9 Электромеханические индикаторы
- •Лабораторная работа № 6
- •Линии передачи
- •Подложки и проводники мпл
- •Элементы, узлы и устройства
- •Фильтры
- •Генератор свч колебаний на лавинно-пролетном диоде (глпд)
- •Малошумящий усилитель (мшу)
- •Технология свч гис
- •Технология изготовления свч гис и мсб
- •Технологический маршрут изготовления свч гис и мсб
- •Аппаратура
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Технологические среды и материалы для изготовления кристаллодержателя на гибком носителе (гн).
- •Анализ способов и методов сборки и монтажа кристаллодержателя на гн и выбор наиболее целесообразного.
- •Последовательность в изготовлении кристаллодержателя на гибком носителе.
- •Структура полиимидных носителей.
- •Конструкционные материалы.
- •Конструкции ленточных носителей
- •Полиимидный носитель с алюминиевыми выводами
- •Домашнее задание.
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приготовление керамического шликера Состав керамического шликера
- •Минеральная составляющая
- •Растворители
- •Пластификаторы
- •Поверхностно-активное вещество (пав)
- •Этапы технологии приготовления шликер
- •Технология литья пленки
- •Изготовление заготовок слоев
- •Металлизация слоев
- •Изготовление основания кристаллодержателя
- •Герметизация корпусов
- •Материалы для производства керамических кристаллодержателей
- •Пасты для изготовления керамических кристаллодержателей
- •Требования к проводниковым пастам
- •Определение реологических требований к пасте
- •Реологические свойства пасты
- •Вязкость
- •Поверхностное натяжение
- •Исследования методов нанесения паст
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Материалы для выполнения лабораторной работы.
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету.
- •Контрольные вопросы.
- •Литература
- •Содержание
Полупроводниковые фоторезисторы
Фоторезисторы являются полупроводниковыми приборами, сопротивление которых зависит от освещенности, то есть принцип их действия основан на фоторезистивном эффекте (изменении проводимости полупроводникового материала, обусловленного действием электромагнитного излучения и не связанного с нагреванием). Различают положительный фоторезистивный эффект, сопровождающийся увеличением проводимости, и отрицательный, когда проводимость уменьшается. В полупроводниковых материалах, используемых для получения фоторезисторов, обычно используется положительный фоторезистивный эффект.
Основной частью конструкции фоторезистора является полупроводниковый фоточувствительный слой, который может быть выполнен в виде монокристаллической или полукристаллической пластинки полупроводника либо в виде полукристаллической пленки полупроводника, нанесенной на диэлектрическую подложку. В качестве полупроводникового материала часто используют сульфид кадмия, селенид кадмия, сульфид свинца и др. На поверхность фоточувствительного слоя наносят металлические электроды (иногда электроды наносят перед формированием пленочного РЭ на диэлектрическую подложку). Подложку или пластину со сформированными РЭ и электродами обычно помещают в пластмассовый либо металлостеклянный корпус.
Исследования свойств различных полупроводниковых материалов привели к созданию сернистоталлиевых фоторезисторов – таллофидов с лучшей удельной интегральной чувствительностью.
Преимущество фоторезисторов (по сравнению с вакуумными аналогами) состоит в том, что они дают возможность получать фототоки, измеряемые миллиамперами, и осуществлять простую и надежную конструкцию прибора, например, фотореле. Большинство выпускаемых фоторезисторов могут работать при питании схем непосредственно от сети (220, 127 В), т.е. не требуют специальных понижающих трансформаторов.
Полупроводниковые фоторезисторы, например, на основе Zn, Sb, In, As, Ge (легированной Zn) и др. обладают высокой чувствительностью к излучению в широком диапазоне длин волн – от инфракрасной области до рентгеновских и гамма-лучей, они стабильны в работе, имеют простую конструкцию и малые габариты. Все это позволяет применять фоторезисторы в самой разнообразной аппаратуре, например, в качестве приемников излучения, в том числе в оптопарах; для регистрации излучений и т.д.
Основные параметры фоторезисторов
Основными параметрами полупроводниковых фоторезисторов являются: темновое сопротивление, кратность изменения сопротивления, темновой и световой ток, удельная и интегральная чувствительность, номинальная мощность рассеяния, рабочее напряжение, постоянная времени. Для их определения важно знать вольтамперные, световые (люксамперные) и спектральные характеристики фоторезистора.
Темновое сопротивление – это сопротивление фоторезистора при полной защите чувствительного элемента от излучения.
Кратность изменения сопротивления характеризует чувствительность фоторезистора, показывая степень изменения сопротивления фоторезистора под действием определенного светового потока; обычно это отношение темнового сопротивления фоторезистора к сопротивлению при освещенности в 200 лк от источника с цветовой температурой 2850К.
Темновой ток фоторезистора ограничивается верхним предельным значением тока, причем его минимальное значение может быть на 1-2 порядка меньше указанного предельного значения.
Световой ток фоторезистора в соответствии с ГОСТом определяют при рабочем напряжении и освещенности в 200 лк от источника света с цветовой температурой 2850К. Часто для фоторезисторов устанавливают только нижний предел светового тока.
Удельная интегральная чувствительность фоторезистора характеризуется отношением фототока ΔI, к величине падающего на него светового потока Ф и приложенному к нему напряжению U; К= ΔI/ФU, где ΔI – фототок, равный разности токов, протекающих по фоторезистору при определенной освещенности (200 лк) и в темноте. Чувствительность называют интегральной потому, что ее измеряют при освещении фоторезистора светом сложного спектрального состава.
Номинальной мощностью рассеяния фоторезистора называют максимально допустимую мощность, которую фоторезистор может рассеивать при непрерывной электрической нагрузке, а также температуре и давлении окружающей среды, указанной в технической документации и напряжении на фоторезисторе, не превышающем предельного.
Рабочее напряжение фоторезистора – это напряжение, при котором фоторезистор работоспособен в течение данного срока службы.
Спектральная характеристика – это зависимость фототока от длины волны падающего на фоторезистор света, она определяет чувствительность фоторезистора при воздействии на него излучения соответствующей длины волны и зависит от свойств материала, используемого для светочувствительного элемента.
Минимальную частоту, при которой имеет место внутренний фотоэффект, называют красной границей. У полупроводниковых материалов обычно эта граница лежит в инфракрасной области спектра.
Люксамперная характеристика фоторезистора представляет собой зависимость фототока (разности светового и темнового тока) от интенсивности падающего излучения при постоянном напряжении, приложенном к фоторезистору. Обычно у фоторезисторов зависимость фототока от интенсивности падающего излучения носит нелинейный характер. Маркировка специальных резисторов представлена в приложении 3.
Вольтамперная характеристика фоторезистора представляет собой зависимость светового тока при неизменной величине светового потока и темпового тока от приложенного к фоторезистору напряжения. У большинства пленочных и объемных фоторезисторов из поликристаллических полупроводниковых материалов РЭ, вольтамперные характеристики нелинейные, что связанно с межкристаллитными явлениями в материалах РЭ даже при малых напряжениях.