- •Федеральное агентство по образованию и науке Российской Федерации
- •Лабораторная работа №1 Изучение технологии изготовления и основных параметров резисторов Цель работы:
- •Теоретические сведения.
- •Общие сведения о резисторах постоянного сопротивления Основные параметры резисторов постоянного сопротивления
- •Непроволочные резисторы
- •Проволочные резисторы
- •Основные сведения о технологиях изготовления постоянных резисторов
- •Резисторы переменного сопротивления
- •Основные параметры резисторов
- •Переменные регулировочные резисторы
- •Переменные подстроечные резисторы
- •Основные сведения о технологии изготовления переменных композиционных резисторов
- •Специальные резисторы Полупроводниковые терморезисторы
- •Основные параметры и характеристики
- •Технология изготовления терморезисторов
- •Полупроводниковые варисторы
- •Основные параметры и характеристики
- •Технология изготовления варисторов
- •Полупроводниковые фоторезисторы
- •Основные параметры фоторезисторов
- •Технология изготовления фоторезисторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Измерительные приборы, оснастка, образцы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение 1 Цветовая маркировка миниатюрных резисторов постоянного сопротивления
- •Маркировка буквенно-цифровая
- •Маркировка переменных резисторов
- •Система обозначений
- •Маркировка специальных резисторов Маркировка термисторов
- •Система обозначений термисторов
- •Система обозначений варисторов
- •Лабораторная работа № 2 Изучение конструкции и технологии изготовления дискретных конденсаторов и оценка их электрических параметров.
- •Теоретические сведения
- •Классификация конденсаторов
- •Конденсаторы с органическим диэлектриком
- •Конденсаторы с неорганическим диэлектриком
- •Конденсаторы с оксидным диэлектриком
- •Конденсаторы с газообразным диэлектриком
- •Конструкции конденсаторов
- •Система условных обозначений и маркировка конденсаторов
- •Технология изготовления керамических конденсаторов Получение керамического шликера
- •Технология приготовления шликера
- •Технология литья пленки
- •Керамические материалы
- •Технология изготовления танталовых чип-конденсаторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •100.(Сизм – Сном )/Сном.
- •Технологическое оборудование, оснастка, измерительные приборы и материалы
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Основные параметры ки
- •Конструкции и технологии изготовления ки
- •Классификация магнитных материалов. Ферриты
- •Порядок расчета
- •Пример расчета
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Технологическое оборудование, оснастка, измерительные приборы и материалы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Соединители и прочие коммутационные устройства
- •Электрические соединители. Классификация электрических соединений по их применению включает:
- •Токосъем – или
- •Соединение –
- •Основные параметры соединителей
- •У электростатического реле (рис 6,г) принцип действия основан на использовании кулоновских сил, которые обеспечивают притяжение подвижного электрода с мембраной к неподвижному.
- •Электронные реле (рис.6,д) представляют собой обычный электронный ключ, например на транзисторах (на биполярных, либо на кмоп или моп структурах и др.) (рис.7).
- •Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочие дискретные пассивные и активные эрк.
- •Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочие дискретные пассивные и активные эрк.
- •Общие сведения о корпусах дискретных полупроводниковых приборов
- •Общие сведения об устройствах индикации
- •Корпуса интегральных схем
- •Понятие о фильтрах и линиях задержки
- •Общие представления о резонаторах
- •Понятие о криоэлектронных приборах
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Инструменты приспособления и макетные образцы
- •Порядок выполнения работы
- •Результаты изучения компонентов в составе ячейки эвс
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №5 Изучение технологии изготовления жидкокристаллических индикаторов
- •Теоретические сведения
- •Общие сведения о жидких кристаллах и их свойствах
- •Принцип работы жки
- •Особенности конструкции жки и технология её изготовления
- •Сравнительные характеристики разных типов индикаторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Макетные образцы
- •Порядок выполнения работы.
- •Требования к отчёту
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение 1 Индикаторы на светоизлучающих диодах
- •Физические основы работы сид
- •Приложение 2 Индикаторы на электронно-лучевых трубках
- •Газоразрядные индикаторы
- •Вакуумные люминесцентные индикаторы
- •Приложение 5 Электролюминесцентные индикаторы
- •Накальные индикаторы
- •Электрохромные индикаторы
- •Электрофорезные индикаторы
- •Приложение 9 Электромеханические индикаторы
- •Лабораторная работа № 6
- •Линии передачи
- •Подложки и проводники мпл
- •Элементы, узлы и устройства
- •Фильтры
- •Генератор свч колебаний на лавинно-пролетном диоде (глпд)
- •Малошумящий усилитель (мшу)
- •Технология свч гис
- •Технология изготовления свч гис и мсб
- •Технологический маршрут изготовления свч гис и мсб
- •Аппаратура
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Технологические среды и материалы для изготовления кристаллодержателя на гибком носителе (гн).
- •Анализ способов и методов сборки и монтажа кристаллодержателя на гн и выбор наиболее целесообразного.
- •Последовательность в изготовлении кристаллодержателя на гибком носителе.
- •Структура полиимидных носителей.
- •Конструкционные материалы.
- •Конструкции ленточных носителей
- •Полиимидный носитель с алюминиевыми выводами
- •Домашнее задание.
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приготовление керамического шликера Состав керамического шликера
- •Минеральная составляющая
- •Растворители
- •Пластификаторы
- •Поверхностно-активное вещество (пав)
- •Этапы технологии приготовления шликер
- •Технология литья пленки
- •Изготовление заготовок слоев
- •Металлизация слоев
- •Изготовление основания кристаллодержателя
- •Герметизация корпусов
- •Материалы для производства керамических кристаллодержателей
- •Пасты для изготовления керамических кристаллодержателей
- •Требования к проводниковым пастам
- •Определение реологических требований к пасте
- •Реологические свойства пасты
- •Вязкость
- •Поверхностное натяжение
- •Исследования методов нанесения паст
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Материалы для выполнения лабораторной работы.
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету.
- •Контрольные вопросы.
- •Литература
- •Содержание
Технология изготовления танталовых чип-конденсаторов
Среди оксидно-полупроводниковых конденсаторов (с твердым электролитом) наибольшее распространение получили танталовые конденсаторы (ТК), хотя имеются и ниобиевые, а также алюминиевые конденсаторы аналогичной конструкции. ТК изготавливаются с использованием порошка чистого тантала. Размер частиц составляет около 10 мкм. Из порошка с большими частицами изготавливаются высоковольтные электрические конденсаторы. При изоляции частиц их размер увеличивается примерно на две трети за счет диэлектрика. Большая емкость конденсатора получается за счет большей площади поверхности порошка. За последние десять лет параметр С∙U танталового порошка (произведение емкость х напряжение), определяющий удельную емкость конденсаторов, значительно вырос благодаря совершенствованию технологии его изготовления. Это стало возможным за счет замены сферической формы частиц на так называемую «коралловую», которая обеспечивает более плотную упаковку.
Производственный цикл танталовых конденсаторов можно разделить на следующие этапы.
1.Порошок смешивается со специальным связующе-смазочным составом, обеспечивающим слипание частиц при прессовании и формировании конденсатора.
2.Затем порошок запрессовывается вокруг танталового проводника, при этом образуется так называемый «слаг». Слаг (спек сложной формы) - специальный термин, употребляемый производителями танталовых конденсаторов.
3.Связующий состав удаляется при нагревании конденсатора в вакууме (при температуре 150°С в течение нескольких минут).
4.Производится спекание порошка в вакууме при температуре 1500...2000°С. При этом частицы соединяются друг с другом и образуют губкоподобную структуру. Такая структура обеспечивает большую механическую прочность, но пористость так же получается достаточно высокой. Если спекание производить дольше или при более высокой температуре, частицы соединятся лучше, но и емкость получится ниже. Соответственно, если уменьшить время спекания или снизить температуру, емкость будет выше. Процесс спекания также помогает удалить большую часть посторонних примесей.
5.Образовавшиеся «слаги» привариваются к металлической несущей ленте, которая называется стрингер и позволяет организовать групповую технологию. Стрингеры изолируются от корпуса конденсатора тефлоновой шайбой и используются в дальнейшем для формирования выводов ТК.
6.Следующий этап – создание изолирующего слоя Ta2O5. Окись образуется при электрохимическом процессе анодирования. «Слаги» окунаются в слабый раствор фосфорной кислоты при температуре около 85°С, и при определенном токе и напряжении формируется слой окиси. Толщина диэлектрика задается рабочим напряжением (напряжением формования) электрохимического процесса. Вначале процесс протекает при постоянном токе, до тех пор, пока напряжение не достигнет необходимого значения. Затем поддерживается постоянное напряжение, позволяющее получить однородный и равномерный слой окиси, после чего ток плавно снижается. Зоны примесей, неизбежно образующиеся в диэлектрике, определяют ток утечки ТК, причем для данной толщины слоя сопротивление утечки пропорционально площади поверхности (и, соответственно, величине емкости). Напряжение формования ТК обычно в 3...4 раза превышает его рабочее напряжение, что гарантирует в последствии его высокую надежность. Окись тантала имеет полупроводниковую структуру, поэтому ТК – полярные элементы. При инверсии напряжения они ведут себя подобно диодам.
7.Затем формируется катодный электрод. Это производится при пиролизе нитрата марганца в диоксиде марганца. «Слаги» окунаются в водный раствор нитрата марганца, а затем спекаются при температуре около 250оС для получения слоя двуокиси. Этот процесс повторяется несколько раз при различной концентрации раствора.
8.Стрингеры помещают в кислую ванну, и на них подается напряжение, примерно равное половине напряжения, электрохимического процесса. Потом марганец удаляется из зон повышенного тока утечки в «слагах», улучшается качество диэлектрического слоя.
9.Теперь можно формировать внешние выводы конденсатора. Элементы конденсатора опускаются в графитовую смесь и затем в сушильную печь, где нагреваются для лучшего сцепления «слагов». Процесс повторяется с серебряной смесью, что улучшает электрическое соединение слоя с катодным выводом.
Окончательно сформированный стрингер содержит около 70 элементов, которые могут быть соответствующим образом объединены в корпусе.
Рис. 11. Конструкция танталового чип-конденсатора.
Таблица 5
Сравнительные характеристики типов конденсаторов
Тип |
Диэлектрическая адсорбция (DA) |
Преимущества |
Недостатки |
NPO Керамиче-ские |
<0,1% |
Малый размер корпуса, невысокая стоимость, хорошая стабильность, широкий выбор номиналов, много поставщиков, низкая индуктивность |
DA обычно мала, но может не указываться в спецификации |
Полистирол |
0,001%-0,02% |
Недорогие, самый низкий DA, широкий выбор номиналов, хорошая стабильность |
Повреждается при температуре выше +85°С, большие размеры корпуса, высокая индуктивность |
Полипропи-лен |
0,001%-0,02% |
Недорогие, самый низкий DA, широкий выбор номиналов |
Повреждается при температуре выше +105°С, большие размеры корпуса, высокая индуктивность |
Тефлон |
0,003%-0,02% |
Самый низкий DA, хорошая стабильность, работа при температуре выше +125°С, широкий выбор номиналов |
Относительно дорогие, большие размеры, высокая индуктивность |
Продолжение таблицы 5
МОП |
0,1% |
Хорошая стабильность, низкая цена, работа при температуре +125°С, низкая индуктивность |
Доступны только малые номиналы емкости |
Поликарбо-нат |
0,1% |
Хорошая стабильность, низкая цена, широкий диапазон температур |
Большие размеры, DA ограничивает применение только до восьмиразрядных приложений, высокая индуктивность |
Полиэфир |
0,3%-0,5% |
Приемлемая стабильность, низкая цена, широкий диапазон температур, низкая индуктивность |
Большие размеры DA ограничивает применение только до восьмиразрядных приложений, высокая индуктивность |
Монолитные Керамиче-ские Слюдяные |
>0,2%
>0,003% |
Низкая индуктивность, широкий выбор номиналов, малые потери на ВЧ, низкая индуктивность, высокая стабильность, номиналы доступны с точностью 1% и выше |
Низкая стабильность, плохая DA, слишком большие размеры, малые номиналы (<10 нФ), дорогие |
Электроли-тические (Алюминий) |
Высокая |
Большие номиналы, большие токи, высокие напряжения, малые размеры |
Значительная утечка, обычно поляризованные, плохая стабильность, плохая точность, повышенная индуктивность |
Окончание таблицы 5
Электроли-тические (тантал) |
Высокая |
Малые размеры, большие номиналы, умеренная индуктивность |
Очень большая утечка, обычно поляризованные, дорогие, плохая стабильность, плохая точность |