- •Федеральное агентство по образованию и науке Российской Федерации
- •Лабораторная работа №1 Изучение технологии изготовления и основных параметров резисторов Цель работы:
- •Теоретические сведения.
- •Общие сведения о резисторах постоянного сопротивления Основные параметры резисторов постоянного сопротивления
- •Непроволочные резисторы
- •Проволочные резисторы
- •Основные сведения о технологиях изготовления постоянных резисторов
- •Резисторы переменного сопротивления
- •Основные параметры резисторов
- •Переменные регулировочные резисторы
- •Переменные подстроечные резисторы
- •Основные сведения о технологии изготовления переменных композиционных резисторов
- •Специальные резисторы Полупроводниковые терморезисторы
- •Основные параметры и характеристики
- •Технология изготовления терморезисторов
- •Полупроводниковые варисторы
- •Основные параметры и характеристики
- •Технология изготовления варисторов
- •Полупроводниковые фоторезисторы
- •Основные параметры фоторезисторов
- •Технология изготовления фоторезисторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Измерительные приборы, оснастка, образцы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение 1 Цветовая маркировка миниатюрных резисторов постоянного сопротивления
- •Маркировка буквенно-цифровая
- •Маркировка переменных резисторов
- •Система обозначений
- •Маркировка специальных резисторов Маркировка термисторов
- •Система обозначений термисторов
- •Система обозначений варисторов
- •Лабораторная работа № 2 Изучение конструкции и технологии изготовления дискретных конденсаторов и оценка их электрических параметров.
- •Теоретические сведения
- •Классификация конденсаторов
- •Конденсаторы с органическим диэлектриком
- •Конденсаторы с неорганическим диэлектриком
- •Конденсаторы с оксидным диэлектриком
- •Конденсаторы с газообразным диэлектриком
- •Конструкции конденсаторов
- •Система условных обозначений и маркировка конденсаторов
- •Технология изготовления керамических конденсаторов Получение керамического шликера
- •Технология приготовления шликера
- •Технология литья пленки
- •Керамические материалы
- •Технология изготовления танталовых чип-конденсаторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •100.(Сизм – Сном )/Сном.
- •Технологическое оборудование, оснастка, измерительные приборы и материалы
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Основные параметры ки
- •Конструкции и технологии изготовления ки
- •Классификация магнитных материалов. Ферриты
- •Порядок расчета
- •Пример расчета
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Технологическое оборудование, оснастка, измерительные приборы и материалы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Соединители и прочие коммутационные устройства
- •Электрические соединители. Классификация электрических соединений по их применению включает:
- •Токосъем – или
- •Соединение –
- •Основные параметры соединителей
- •У электростатического реле (рис 6,г) принцип действия основан на использовании кулоновских сил, которые обеспечивают притяжение подвижного электрода с мембраной к неподвижному.
- •Электронные реле (рис.6,д) представляют собой обычный электронный ключ, например на транзисторах (на биполярных, либо на кмоп или моп структурах и др.) (рис.7).
- •Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочие дискретные пассивные и активные эрк.
- •Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочие дискретные пассивные и активные эрк.
- •Общие сведения о корпусах дискретных полупроводниковых приборов
- •Общие сведения об устройствах индикации
- •Корпуса интегральных схем
- •Понятие о фильтрах и линиях задержки
- •Общие представления о резонаторах
- •Понятие о криоэлектронных приборах
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Инструменты приспособления и макетные образцы
- •Порядок выполнения работы
- •Результаты изучения компонентов в составе ячейки эвс
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №5 Изучение технологии изготовления жидкокристаллических индикаторов
- •Теоретические сведения
- •Общие сведения о жидких кристаллах и их свойствах
- •Принцип работы жки
- •Особенности конструкции жки и технология её изготовления
- •Сравнительные характеристики разных типов индикаторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Макетные образцы
- •Порядок выполнения работы.
- •Требования к отчёту
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение 1 Индикаторы на светоизлучающих диодах
- •Физические основы работы сид
- •Приложение 2 Индикаторы на электронно-лучевых трубках
- •Газоразрядные индикаторы
- •Вакуумные люминесцентные индикаторы
- •Приложение 5 Электролюминесцентные индикаторы
- •Накальные индикаторы
- •Электрохромные индикаторы
- •Электрофорезные индикаторы
- •Приложение 9 Электромеханические индикаторы
- •Лабораторная работа № 6
- •Линии передачи
- •Подложки и проводники мпл
- •Элементы, узлы и устройства
- •Фильтры
- •Генератор свч колебаний на лавинно-пролетном диоде (глпд)
- •Малошумящий усилитель (мшу)
- •Технология свч гис
- •Технология изготовления свч гис и мсб
- •Технологический маршрут изготовления свч гис и мсб
- •Аппаратура
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Технологические среды и материалы для изготовления кристаллодержателя на гибком носителе (гн).
- •Анализ способов и методов сборки и монтажа кристаллодержателя на гн и выбор наиболее целесообразного.
- •Последовательность в изготовлении кристаллодержателя на гибком носителе.
- •Структура полиимидных носителей.
- •Конструкционные материалы.
- •Конструкции ленточных носителей
- •Полиимидный носитель с алюминиевыми выводами
- •Домашнее задание.
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приготовление керамического шликера Состав керамического шликера
- •Минеральная составляющая
- •Растворители
- •Пластификаторы
- •Поверхностно-активное вещество (пав)
- •Этапы технологии приготовления шликер
- •Технология литья пленки
- •Изготовление заготовок слоев
- •Металлизация слоев
- •Изготовление основания кристаллодержателя
- •Герметизация корпусов
- •Материалы для производства керамических кристаллодержателей
- •Пасты для изготовления керамических кристаллодержателей
- •Требования к проводниковым пастам
- •Определение реологических требований к пасте
- •Реологические свойства пасты
- •Вязкость
- •Поверхностное натяжение
- •Исследования методов нанесения паст
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Материалы для выполнения лабораторной работы.
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету.
- •Контрольные вопросы.
- •Литература
- •Содержание
Общие сведения о корпусах дискретных полупроводниковых приборов
Транзисторы. Действие транзистора можно сравнить с действием плотины. С помощью постоянного источника (течения реки) и плотины создан перепад уровней воды. В частности, затрачивая очень небольшую энергию на вертикальное перемещение затвора, мы можем управлять потоком воды большой мощности, т.е. управлять энергией мощного постоянного источника. Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность во много раз больше, чем у электронных ламп. На рис.11 приведены некоторые виды конструкций корпусов транзисторов, используемых в ячейках ЭУ.
Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами те же, что и у полупроводниковых диодов – отсутствие накалённого катода, потребляющего значительную мощность и требующего времени для его разогрева. Кроме того, транзисторы сами по себе во много раз меньше по массе и размерам, чем электронные лампы, и транзисторы способны работать при более низких напряжениях и более высоких частотах. Но наряду с положительными качествами, они имеют и свои недостатки. Как и полупроводниковые диоды, транзисторы очень чувствительны к повышению температуры, к электрическим перегрузкам и сильно проникающим излучениям, а чтобы сделать транзисторы более долговечными, их помещают в специальные корпуса.
Основные материалы, из которых изготовляют транзисторы – кремний и германий, перспективные – арсенид галлия, сульфид цинка и прочие широкозонные полупроводники.
Существует 2 типа транзисторов: биполярные и униполярные (полевые).
Биполярный представляет собой транзистор, в котором используются носители зарядов – обеих полярностей, в то время как в униполярных используются носители зарядов одного типа полярности.
В отличие от полупроводниковых диодов биполярные транзисторы имеют два электронно-дырочных перехода. Основанием прибора служит пластина полупроводника, называемая несущим основанием. В ее объеме создаются приемами полупроводниковой технологии области эмиттера базы и коллектора.
Униполярный (полевой) транзистор представляет собой полупроводниковый трехэлектродный прибор, принцип работы которого основан на использовании “эффекта поля”. Электроды, между которыми протекает рабочий ток, носят названия истока и стока, а третьим электродом является затвор.
В качестве исходного материала обычно используются кремний, германий и арсенид галлия (чаще всего со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (т.е. МДП) и реже с управляющим р-п переходом).
В общем представлении – транзистор является полупроводниковым прибором, предназначенным для использования в устройствах, осуществляющих генерацию, усиление и преобразование электрических колебаний.
Транзисторы квалифицируются по исходному материалу, рассеиваемой мощности, диапазону рабочих частот, принципу действия и т. д. В зависимости от исходного материала их делят на две группы: германиевые и кремниевые. Германиевые транзисторы работают в интервале температур от -60 до + 78…85, кремниевые – от -60 до+120…150. По диапазону рабочих частот их делят на транзисторы низких, средних и высоких частот; по мощности – на транзисторы малой, средней и большой мощности. Транзисторы малой мощности делят на шесть групп: усилители низких и высоких частот, малошумящие усилители, переключатели насыщенные, ненасыщенные и малотоковые (прерыватели). Транзисторы большой мощности разделяют на три группы: усилители, генераторы, переключатели. По технологическому признаку различают: транзисторы сплавные, сплавно-диффузионные, диффузионно-сплавные, планарные, эпитаксиальные, конверсионные, эпитаксиально-планарные.
а) б) в) г) д) е)
Рис.11.Конструкции
корпусов транзисторов: а – КТ-13(SIP);
б – КТ-26 (ТО-96);
в
– КТ-27 (ТО-126); г – КТ-46 (SOT-23);
д – КТ-51 (SC-71,
B-37);
е – КТ-29.
Диод – двухэлектродный вакуумный, газоразрядный или полупроводниковый прибор; обладает различной проводимостью в зависимости от направления электрического тока: высокой – для токов прямого направления и низкой – для токов обратного направления. Полупроводниковые диоды изготовляют из германия, кремния, селена и других материалов. Диод полупроводниковый представляет собой, в сущности, р-п переход, реализованный в полупроводниковой пластине. Применяются диоды в ЭУ для выпрямления переменного тока, детектирования, преобразования частоты электрических колебаний, переключения электрических цепей и других цепей. НА рис.12 представлены конструкции корпусов диодов, применяемых в ячейках ЭУ, а самые миниатюрные конструкции можно видеть в табл.1.
а) б)
в) г)
д)
Рис.12. Конструкции
корпусов диодов: а – 2Д202; б – АД110, 2Д502;
в – 2Ц102; г – КД205;
д – 2Д237, КД513, КД518.
Диоды характеризуются большой надежностью, диапазон температур их применения составляет от –70 до 125 0С. У точечного диода площадь р-п перехода очень мала, поэтому токи, которые могут выпрямлять такие диоды не больше 10-15 мА.
Многие корпуса диодов могут быть выполнены не только из металла, пластмассы, но и из других материалов, например, таких как стекло.
Тиристор – полупроводниковый прибор, реализуемый в монокристаллическом полупроводнике с 4-слойной структурой (с 3 или более электронно-дырочными переходами); обладает свойствами управляемого электрического вентиля. Выпускаются тиристоры на токи от 1мА до 10кА и напряжения от нескольких В до нескольких кВ. Применяется такой прибор в силовых устройствах преобразовательной техники и в автоматике.
Тринистор по всей сущности является тиристором одна из баз которого снабжена омическим контактом. Базовый вывод называют управляющим электродом и с его помощью можно изменять напряжение включения Uвкл.