- •Федеральное агентство по образованию и науке Российской Федерации
- •Лабораторная работа №1 Изучение технологии изготовления и основных параметров резисторов Цель работы:
- •Теоретические сведения.
- •Общие сведения о резисторах постоянного сопротивления Основные параметры резисторов постоянного сопротивления
- •Непроволочные резисторы
- •Проволочные резисторы
- •Основные сведения о технологиях изготовления постоянных резисторов
- •Резисторы переменного сопротивления
- •Основные параметры резисторов
- •Переменные регулировочные резисторы
- •Переменные подстроечные резисторы
- •Основные сведения о технологии изготовления переменных композиционных резисторов
- •Специальные резисторы Полупроводниковые терморезисторы
- •Основные параметры и характеристики
- •Технология изготовления терморезисторов
- •Полупроводниковые варисторы
- •Основные параметры и характеристики
- •Технология изготовления варисторов
- •Полупроводниковые фоторезисторы
- •Основные параметры фоторезисторов
- •Технология изготовления фоторезисторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Измерительные приборы, оснастка, образцы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение 1 Цветовая маркировка миниатюрных резисторов постоянного сопротивления
- •Маркировка буквенно-цифровая
- •Маркировка переменных резисторов
- •Система обозначений
- •Маркировка специальных резисторов Маркировка термисторов
- •Система обозначений термисторов
- •Система обозначений варисторов
- •Лабораторная работа № 2 Изучение конструкции и технологии изготовления дискретных конденсаторов и оценка их электрических параметров.
- •Теоретические сведения
- •Классификация конденсаторов
- •Конденсаторы с органическим диэлектриком
- •Конденсаторы с неорганическим диэлектриком
- •Конденсаторы с оксидным диэлектриком
- •Конденсаторы с газообразным диэлектриком
- •Конструкции конденсаторов
- •Система условных обозначений и маркировка конденсаторов
- •Технология изготовления керамических конденсаторов Получение керамического шликера
- •Технология приготовления шликера
- •Технология литья пленки
- •Керамические материалы
- •Технология изготовления танталовых чип-конденсаторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •100.(Сизм – Сном )/Сном.
- •Технологическое оборудование, оснастка, измерительные приборы и материалы
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Основные параметры ки
- •Конструкции и технологии изготовления ки
- •Классификация магнитных материалов. Ферриты
- •Порядок расчета
- •Пример расчета
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Технологическое оборудование, оснастка, измерительные приборы и материалы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Соединители и прочие коммутационные устройства
- •Электрические соединители. Классификация электрических соединений по их применению включает:
- •Токосъем – или
- •Соединение –
- •Основные параметры соединителей
- •У электростатического реле (рис 6,г) принцип действия основан на использовании кулоновских сил, которые обеспечивают притяжение подвижного электрода с мембраной к неподвижному.
- •Электронные реле (рис.6,д) представляют собой обычный электронный ключ, например на транзисторах (на биполярных, либо на кмоп или моп структурах и др.) (рис.7).
- •Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочие дискретные пассивные и активные эрк.
- •Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочие дискретные пассивные и активные эрк.
- •Общие сведения о корпусах дискретных полупроводниковых приборов
- •Общие сведения об устройствах индикации
- •Корпуса интегральных схем
- •Понятие о фильтрах и линиях задержки
- •Общие представления о резонаторах
- •Понятие о криоэлектронных приборах
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Инструменты приспособления и макетные образцы
- •Порядок выполнения работы
- •Результаты изучения компонентов в составе ячейки эвс
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №5 Изучение технологии изготовления жидкокристаллических индикаторов
- •Теоретические сведения
- •Общие сведения о жидких кристаллах и их свойствах
- •Принцип работы жки
- •Особенности конструкции жки и технология её изготовления
- •Сравнительные характеристики разных типов индикаторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Макетные образцы
- •Порядок выполнения работы.
- •Требования к отчёту
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение 1 Индикаторы на светоизлучающих диодах
- •Физические основы работы сид
- •Приложение 2 Индикаторы на электронно-лучевых трубках
- •Газоразрядные индикаторы
- •Вакуумные люминесцентные индикаторы
- •Приложение 5 Электролюминесцентные индикаторы
- •Накальные индикаторы
- •Электрохромные индикаторы
- •Электрофорезные индикаторы
- •Приложение 9 Электромеханические индикаторы
- •Лабораторная работа № 6
- •Линии передачи
- •Подложки и проводники мпл
- •Элементы, узлы и устройства
- •Фильтры
- •Генератор свч колебаний на лавинно-пролетном диоде (глпд)
- •Малошумящий усилитель (мшу)
- •Технология свч гис
- •Технология изготовления свч гис и мсб
- •Технологический маршрут изготовления свч гис и мсб
- •Аппаратура
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Технологические среды и материалы для изготовления кристаллодержателя на гибком носителе (гн).
- •Анализ способов и методов сборки и монтажа кристаллодержателя на гн и выбор наиболее целесообразного.
- •Последовательность в изготовлении кристаллодержателя на гибком носителе.
- •Структура полиимидных носителей.
- •Конструкционные материалы.
- •Конструкции ленточных носителей
- •Полиимидный носитель с алюминиевыми выводами
- •Домашнее задание.
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приготовление керамического шликера Состав керамического шликера
- •Минеральная составляющая
- •Растворители
- •Пластификаторы
- •Поверхностно-активное вещество (пав)
- •Этапы технологии приготовления шликер
- •Технология литья пленки
- •Изготовление заготовок слоев
- •Металлизация слоев
- •Изготовление основания кристаллодержателя
- •Герметизация корпусов
- •Материалы для производства керамических кристаллодержателей
- •Пасты для изготовления керамических кристаллодержателей
- •Требования к проводниковым пастам
- •Определение реологических требований к пасте
- •Реологические свойства пасты
- •Вязкость
- •Поверхностное натяжение
- •Исследования методов нанесения паст
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Материалы для выполнения лабораторной работы.
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету.
- •Контрольные вопросы.
- •Литература
- •Содержание
Непроволочные резисторы
Любой резистор состоит из резистивного материала, основания, выводов и защитного покрытия. В качестве основания используется керамическая трубка, на которую напыляют или другим способом наносят резистивный слой (для проволочных резисторов накручивают проволоку). Объемно-композиционные резисторы не имеют специального основания. Выводы соединяются с резистивным слоем с помощью латунных колпачков, надеваемых на концы керамической трубки. Защитное покрытие предохраняет резистивный слой от воздействий среды, а цвет его помогает определить тип резистора.
Конструкция резистора зависит от его назначения, материала резистивного элемента и для большинства типов постоянных резисторов довольно проста. Конструкция наиболее распространенного в электронных устройствах (ЭУ) металлопленочного резистора типа МЛТ показана на рис 3.
Рис. 3. Конструкция металлопленочного резистора МЛТ. 1-изоляционное основание; 2-резистивная пленка; 3-контактный узел; 4-защитное покрытие; 5-выводы.
Подавляющим большинством выпускаемых резисторов являются непроволочные резисторы широкого применения, среди которых более 80% составляют тонкослойные.
Непроволочные резисторы можно разделить на ряд групп в зависимости от назначения и способа выполнения токопроводящего элемента.
Углеродистые резисторы типа ВС и металлопленочные резисторы типа МЛТ и их разновидности (ОВС, ОМЛТ и др.) являются самыми массовыми резисторами общего применения.
Высокомегаомные резисторы, а это обычно композиционные резисторы, выпускаются с номинальными значениями сопротивления от десяти мегаом до многих тераом и рассчитаны на эксплуатацию при малых электрических нагрузках. Такие резисторы используются в измерительной аппаратуре, в цепях с малыми токами, в приборах ночного видения, дозиметрах.
Высоковольтные резисторы изготовляют с сопротивлениями, доходящими до 105МОм и предназначающимися для работы при напряжениях свыше 1кВ. Применяются в качестве делителей напряжения, поглотителей в высоковольтных установках, эквивалентов антенн, для искрогашения в зарядных и разрядных высоковольтных цепях.
Высокочастотные резисторы предназначены для работы в импульсных схемах, в высокочастотных и сверхвысокочастотных цепях, кабелях, волноводах, в качестве согласующих нагрузок, эквивалентов антенн. Эти резисторы обладают малой собственной емкостью и индуктивностью и предназначаются для эксплуатации на частотах свыше 10МГц.
Прецизионные и сверхпрецизионные резисторы отличаются высокой точностью изготовления и стабильностью параметров при эксплуатации. Прецизионные резисторы изготовляются с допустимым отклонением сопротивления от номинального ±0,01-0,1%, а сверхпрецизионные, или, как их иногда называют, высокоточные, ±0,0001 и ±0,5%. Применяются они в точных измерительных приборах, счетно-решающих устройствах, магазинах сопротивлений, релейных системах, системах автоматики. Номинальные сопротивления лежат в пределах от 1Ом до 1МОм. Мощность рассеяния сравнительно невелика – обычно не более 2Вт, т.к. при большой мощности рассеяния трудно обеспечить стабильность параметров резистора.
Углеродистые резисторы. Резистивный элемент таких резисторов представляет собой тонкую пленку пиролитического углерода (толщиной в десятые доли микрометра), полученного путем разложения углеводородов при высокой температуре в вакууме или в среде инертного газа, и осажденную на изоляционное основание. В качестве оснований углеродистых резисторов используются керамические стержни или трубки, а основания некоторых типов высокочастотных резисторов изготовляют в виде дисков, шайб или пластин. Для уменьшения распределенной емкости и диэлектрических потерь высокочастотные резисторы в ряде случаев выполняются без защитного покрытия.
Углеродистые резисторы отличаются повышенной стабильностью параметров, низким уровнем шумов, небольшим отрицательным по знаку температурным коэффициентом, малой зависимостью сопротивления от частоты и приложенного напряжения, а бороуглеродистые резисторы типа БЛП по стабильности параметров в ряде случаев могут конкурировать с проволочными резисторами.
Углеродистые резисторы типа ВС рассчитаны на работу в интервале рабочих температур (–60 ÷ +100)°С. Для резисторов в тропическом исполнении рабочая температура может быть повышена до 125°С. Резисторы выпускаются с допускаемыми отклонениями от номинальных значений сопротивлений в ±5, ±10, ±20%. Уровень собственных шумов резисторов группы А не более 1 мкВ/В, а группы Б – не более 5 мкВ/В. Резисторы типа ОВС обладают повышенной надежностью.
Бороуглеродистые прецизионные резисторы БЛП конструктивно аналогичны резисторам ВС и предназначены для работы при температуре от (–60 ÷ +100)°С. У резисторов группы А ТКС составляет не более 1,510-4°С-1, а группы Б – не более 2,510-4°С-1.
Углеродистые резисторы ИВС предназначены для работы в импульсных схемах. Углеродистые полупрецизионные резисторы УЛИ работают в том же диапазоне температур, что и резисторы БЛП. Габариты их в 1,5 – 2 раза больше габаритов резисторов ВС такой же мощности. ТКС резисторов сопротивлением до 10 Ом не более 310-4°С-1, а для остальных – не более 1010-4°С-1.
В последние годы резисторы УЛИ вытесняются углеродистыми резисторами С1-8 и металлопленочными С2-8. Высокочастотные углеродистые резисторы изготовляют в виде трубок, стержней, дисков, пластинок и т. п. Контакты на краях оснований резисторов наносят методом вжигания серебра или серебряной пасты.
Металлопленочные резисторы. Резистивный элемент таких резисторов представляет собой очень тонкую (десятые доли микрометра) токопроводящую пленку, осажденную на изоляционное основание, в качестве которого используют керамику, стекло, слоистые пластики, ситаллы и другие материалы.
Наиболее распространенные постоянные металлопленочные резисторы – резисторы типа МЛТ – имеют резистивный слой из металлосилицидных сплавов, состоящих из нескольких компонентов. Эти резисторы имеют примерно в 2-3 раза меньшие размеры, чем углеродистые резисторы типа ВС (в обычном исполнении), имеющие такую же номинальную мощность, обладают большей тепло- и влагостойкостью, более стабильны. Недостатком металлопленочных резисторов типа МЛТ является меньшая надежность резисторов повышенной мощности, особенно при импульсной нагрузке, в результате перегрева в местах микронеоднородностей.
Промышленность выпускает ряд металлопленочных резисторов: МЛТ – металлопленочные, лакированные, теплостойкие; ОМЛТ – особые (с повышенной надежностью) металлопленочные, лакированные, теплостойкие; МТ – металлопленочные, теплостойкие, с повышенной механической прочностью; МУН – металлопленочные, ультравысокочастотные, незащищенные; МГП – металлопленочные, герметизированные, прецизионные; С2-10 – металлопленочные, ультравысокочастотные, прецизионные и ряд других.
Резисторы МТ, ОМЛТ, МЛТ и МУН выпускаются с допустимыми отклонениями сопротивления от номинального ±5, ±10, ±20%, а МГП - ±0,5, ±1 и ±2%. ТКС этих резисторов не превышает ±2010-4 °С-1, а уровень шумов для резисторов группы А не более 1 мкВ/В и для группы В не более 5 мкВ/В.
Резисторы МГП обладают малым ТКС, малым коэффициентом напряжения и высокой стабильностью параметров. Срок службы резисторов МЛТ, ОМЛТ и МТ при нормальных условиях эксплуатации составляет 10000ч., а для МУН, МГП и МУП – 5000ч.
Металлоокисные резисторы получают на основе окислов металлов, чаще всего двуокиси олова. Они отличаются высокой теплостойкостью и хорошей стабильностью. Металлоокисные резисторы не уступают металлопленочным резисторам типа МЛТ по термостабильности, превосходя их по стойкости к импульсным перегрузкам и механическому износу.
Резисторы МОН (металлоокисные, низкоомные) дополняют шкалу номинальных значений сопротивлений резисторов МЛТ. По конструкции и размерам они аналогичны МЛТ и выпускаются с номинальной мощностью 0,5, 1 и 2 Вт и сопротивлением от 1 до 100 Ом. Диапазон рабочих температур 213-398 К, ТКС не более ±810-4°С-1.
Резисторы МОУ (металлоокисные ультравысокочастотные) предназначаются для работы в качестве поглотителей на СВЧ. Эти резисторы рис.4 изготовляются трех видов: стержневые, трубчатые и шайбовые. Номинальные значения сопротивлений 4,5-150 Ом. Интервал рабочих температур 210-470 К, ТКС не более 510-4°С-1.
Рис. 4. Конструкции металлоокисных резисторов: а – МОН; б – МОУ; в – МОУ-Ш
Композиционные резисторы. Резистивный элемент этих резисторов получают на основе композиций, состоящих из механической смеси порошкообразного проводника (например, сажа, графит) со связывающим органическим или неорганическим диэлектриком. Различают композиции металлокерамические, металлостеклянные, углесажевые и др. Композиционные резисторы выпускают объемного типа и пленочного – с толщиной пленки более 3 мкм, т.е. заметно большей, чем толщина пленки углеродистых и металлопленочных резисторов. Объемные резистивные элементы изготовляют в виде массивного проводящего стержня, получаемого прессованием композиционной смеси. Пленочные – путем нанесения композиционной суспензии на изоляционное основание.
Наиболее распространенные объемные резисторы ТВО (теплостойкие влагостойкие объемные) имеют сравнительно большое сечение резистивного элемента и защищены оболочкой. Поэтому они стойки к большим импульсным и механическим перегрузкам. Кроме того, они характеризуются высокой теплостойкостью и могут работать в интервале температур от –60 до +155°С. Конструкция объемного резистора типа ТВО приведена на рис. 5, а параметры в табл. 1.
Рис. 5. Конструкция объемных постоянных резисторов ТВО: а – мощностью до 10Вт; б – более 10Вт; 1 – проводящая композиция; 2 – изоляционное основание; 3 – защитный слой; 4 – выводы.
Таблица 1
Основные сведения об объемных резисторах
Тип резистора |
Номинальная мощность рассеяния, Вт |
Диапазон Rномин. |
Предельное рабочее напряжение |
Размеры, мм |
Масса, г (не более) | ||
L |
B |
H | |||||
ТВО-0,125 |
0,125 |
3 Ом-0,1 МОм |
100 В |
8 |
1,4 |
2,5 |
0,2 |
ТВО-0,25 |
0,25 |
3 Ом-0,51 МОм |
300 В |
13,5 |
2,2 |
3,7 |
0,6 |
ТВО-0,5 |
0,5 |
10 ОМ-1МОм |
400 В |
19 |
2,2 |
3,7 |
0,7 |
ТВО-1 |
1 |
10 ОМ-1МОм |
500 В |
29,5 |
4 |
5 |
2,6 |
ТВО-2 |
2 |
10 ОМ-1МОм |
750 В |
36,5 |
5 |
6 |
4,1 |
ТВО-5 |
5 |
27 Ом-1 МОм |
1500 В |
77 |
9,5 |
11,5 |
3,0 |
ТВО-10 |
10 |
27 Ом-1 МОм |
3000 В |
112 |
10,5 |
15 |
6,0 |
ТВО-20 |
20 |
24 Ом-0,1 МОм |
1400 В |
112 |
19,5 |
22,5 |
150 |
ТВО-60 |
60 |
24 Ом-0,1 МОм |
2450 В |
186 |
28 |
47 |
350 |
Для использования в высоковольтной аппаратуре выпускают пленочные резисторы КЭВ (композиционные, эмалированные, высоковольтные).
Конструкция пленочных резисторов с композиционным лакосажевым резистивным слоем показана на рис. 6
Рис. 6. Конструкция композиционных пленочных резисторов: а – резистор КЛМ; б – КВМ; в – КИМ-0,125; 1- изоляционное основание; 2 – вывод; 3 – резистивный слой; 4 – контактный слой
Композиционные резисторы недорогие, обладают повышенной надежностью в эксплуатации и широко применяются в аппаратуре общего назначения.
Недостатками композиционных резисторов являются, как правило, худшие (чем у металлопленочных) электрические параметры – сравнительно большой уровень собственных шумов и большая зависимость сопротивления от приложенного напряжения, рассеиваемой мощности, температуры окружающей среды, частоты.