- •Федеральное агентство по образованию и науке Российской Федерации
- •Лабораторная работа №1 Изучение технологии изготовления и основных параметров резисторов Цель работы:
- •Теоретические сведения.
- •Общие сведения о резисторах постоянного сопротивления Основные параметры резисторов постоянного сопротивления
- •Непроволочные резисторы
- •Проволочные резисторы
- •Основные сведения о технологиях изготовления постоянных резисторов
- •Резисторы переменного сопротивления
- •Основные параметры резисторов
- •Переменные регулировочные резисторы
- •Переменные подстроечные резисторы
- •Основные сведения о технологии изготовления переменных композиционных резисторов
- •Специальные резисторы Полупроводниковые терморезисторы
- •Основные параметры и характеристики
- •Технология изготовления терморезисторов
- •Полупроводниковые варисторы
- •Основные параметры и характеристики
- •Технология изготовления варисторов
- •Полупроводниковые фоторезисторы
- •Основные параметры фоторезисторов
- •Технология изготовления фоторезисторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Измерительные приборы, оснастка, образцы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение 1 Цветовая маркировка миниатюрных резисторов постоянного сопротивления
- •Маркировка буквенно-цифровая
- •Маркировка переменных резисторов
- •Система обозначений
- •Маркировка специальных резисторов Маркировка термисторов
- •Система обозначений термисторов
- •Система обозначений варисторов
- •Лабораторная работа № 2 Изучение конструкции и технологии изготовления дискретных конденсаторов и оценка их электрических параметров.
- •Теоретические сведения
- •Классификация конденсаторов
- •Конденсаторы с органическим диэлектриком
- •Конденсаторы с неорганическим диэлектриком
- •Конденсаторы с оксидным диэлектриком
- •Конденсаторы с газообразным диэлектриком
- •Конструкции конденсаторов
- •Система условных обозначений и маркировка конденсаторов
- •Технология изготовления керамических конденсаторов Получение керамического шликера
- •Технология приготовления шликера
- •Технология литья пленки
- •Керамические материалы
- •Технология изготовления танталовых чип-конденсаторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •100.(Сизм – Сном )/Сном.
- •Технологическое оборудование, оснастка, измерительные приборы и материалы
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Основные параметры ки
- •Конструкции и технологии изготовления ки
- •Классификация магнитных материалов. Ферриты
- •Порядок расчета
- •Пример расчета
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Технологическое оборудование, оснастка, измерительные приборы и материалы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Соединители и прочие коммутационные устройства
- •Электрические соединители. Классификация электрических соединений по их применению включает:
- •Токосъем – или
- •Соединение –
- •Основные параметры соединителей
- •У электростатического реле (рис 6,г) принцип действия основан на использовании кулоновских сил, которые обеспечивают притяжение подвижного электрода с мембраной к неподвижному.
- •Электронные реле (рис.6,д) представляют собой обычный электронный ключ, например на транзисторах (на биполярных, либо на кмоп или моп структурах и др.) (рис.7).
- •Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочие дискретные пассивные и активные эрк.
- •Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочие дискретные пассивные и активные эрк.
- •Общие сведения о корпусах дискретных полупроводниковых приборов
- •Общие сведения об устройствах индикации
- •Корпуса интегральных схем
- •Понятие о фильтрах и линиях задержки
- •Общие представления о резонаторах
- •Понятие о криоэлектронных приборах
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Инструменты приспособления и макетные образцы
- •Порядок выполнения работы
- •Результаты изучения компонентов в составе ячейки эвс
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №5 Изучение технологии изготовления жидкокристаллических индикаторов
- •Теоретические сведения
- •Общие сведения о жидких кристаллах и их свойствах
- •Принцип работы жки
- •Особенности конструкции жки и технология её изготовления
- •Сравнительные характеристики разных типов индикаторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Макетные образцы
- •Порядок выполнения работы.
- •Требования к отчёту
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение 1 Индикаторы на светоизлучающих диодах
- •Физические основы работы сид
- •Приложение 2 Индикаторы на электронно-лучевых трубках
- •Газоразрядные индикаторы
- •Вакуумные люминесцентные индикаторы
- •Приложение 5 Электролюминесцентные индикаторы
- •Накальные индикаторы
- •Электрохромные индикаторы
- •Электрофорезные индикаторы
- •Приложение 9 Электромеханические индикаторы
- •Лабораторная работа № 6
- •Линии передачи
- •Подложки и проводники мпл
- •Элементы, узлы и устройства
- •Фильтры
- •Генератор свч колебаний на лавинно-пролетном диоде (глпд)
- •Малошумящий усилитель (мшу)
- •Технология свч гис
- •Технология изготовления свч гис и мсб
- •Технологический маршрут изготовления свч гис и мсб
- •Аппаратура
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Технологические среды и материалы для изготовления кристаллодержателя на гибком носителе (гн).
- •Анализ способов и методов сборки и монтажа кристаллодержателя на гн и выбор наиболее целесообразного.
- •Последовательность в изготовлении кристаллодержателя на гибком носителе.
- •Структура полиимидных носителей.
- •Конструкционные материалы.
- •Конструкции ленточных носителей
- •Полиимидный носитель с алюминиевыми выводами
- •Домашнее задание.
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приготовление керамического шликера Состав керамического шликера
- •Минеральная составляющая
- •Растворители
- •Пластификаторы
- •Поверхностно-активное вещество (пав)
- •Этапы технологии приготовления шликер
- •Технология литья пленки
- •Изготовление заготовок слоев
- •Металлизация слоев
- •Изготовление основания кристаллодержателя
- •Герметизация корпусов
- •Материалы для производства керамических кристаллодержателей
- •Пасты для изготовления керамических кристаллодержателей
- •Требования к проводниковым пастам
- •Определение реологических требований к пасте
- •Реологические свойства пасты
- •Вязкость
- •Поверхностное натяжение
- •Исследования методов нанесения паст
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Материалы для выполнения лабораторной работы.
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету.
- •Контрольные вопросы.
- •Литература
- •Содержание
Принцип работы жки
“Твист – эффект” используется в ЖКИ на отражение, где изображение рассматривается в отражённом свете. На рис.2. показаны упрощенная структура индикатора и путь прохождения светового луча Sпад и S’пад в двух случаях: управляющее напряжение отсутствует (левая часть рисунка), управляющее напряжение приложено к слою ЖК между двумя электродами круговой формы (правая часть рисунка).
Рис.2. Принцип работы холестерического ЖКИ на отражение: 1 – горизонтальный поляризатор; 2 – слой ЖК; 3 – вертикальный поляризатор; 4 – зеркало; 5 – управляющее напряжение; 6 – прозрачные электроды.
Структура индикатора состоит из слоя ЖК толщиной несколько десятков микрон, заключённого между двумя прозрачными стеклянными пластинами. На эти пластины нанесены тонкие прозрачные плёночные электроды из окиси олова SnO. При включении напряжения молекулы ориентируются перпендикулярно поверхности пластин вдоль линий поля. Сверху и снизу от слоя ЖК расположены пластины скрещенных поляризаторов, причём верхний поляризует свет горизонтально, а нижний – вертикально, как показано широкими стрелками. За нижним поляризатором установлено зеркало, отражающее свет к наблюдателю.
Проходя через верхний поляризатор, луч Sпад в левой части рисунка приобретает горизонтальную поляризацию L и далее падает на слой ЖК. Проходя через слой ЖК, благодаря “твист – эффекту” вектор L закручивается по часовой стрелке на угол 90о, и луч выходит из слоя ЖК вертикально поляризованным. Поэтому он проходит без потерь нижний поляризатор и отражается от зеркала. При отражении поляризация L не изменяется и нижний поляризатор луч снова проходит без потерь. В слое ЖК происходит обратная раскрутка L против часовой стрелки на 90о, и на выходе луч имеет горизонтальную поляризацию L. Верхний поляризатор проходится без потерь, и отражённый луч Sотр направляется к наблюдателю. Таким образом, эта часть индикатора в отражённом свете кажется наблюдателю светлой.
В правой части рис. 2 луч Sпад также поляризуется и попадает в слой ЖК. Но при включении напряжения молекулы ЖК ориентируются вдоль линий электрического поля, “твист – эффект” пропадает, и луч падает на нижний поляризатор по-прежнему горизонтально поляризованным. Вертикальный поляризатор полностью задерживает этот луч. Отражённого луча нет, и наблюдателю эта часть индикатора кажется тёмной или чёрной. Таким образом, включая напряжение, можно формировать тёмные символы на белом фоне. Символам – электродам можно придать любую форму: сегментов индикатора, мнемонических знаков, графических символов и др.
Аналогично можно построить индикатор на просвет, для которого потребуется дополнительный источник света вместо зеркала. Под действием электрического поля молекулы ЖК переориентируются параллельно полю. На рис.3а. показано действие индикатора в выключенном состоянии, при котором свет поляризуется, благодаря “твист – эффекту”, и под действие электрического поля (рис.3б), когда свет через поляризаторы не проходит.
Рис.3. Принцип действия ЖКИ на просвет: а – выключенное состояние; б – под действием электрического поля.
Такой индикатор способен работать в полной темноте, но требует значительных затрат мощности на питание источника света.