- •Глава 1
- •1.1. Агрегативный комплекс средств неразрушающего контроля. Условное обозначение приборов
- •1.2. Разрушающий и неразрушающий контроль
- •1.3. Классификация дефектов в сталях
- •Глава 2
- •2.1. Общие сведения о ферромагнетизме
- •2.2. Намагничивание вещества (материала)
- •1[100] – Вдоль ребра куба; 2[110] –вдоль диагонали грани; 3[111] – вдоль пространственной диагонали.
- •2.3. Намагничивание тела
- •Глава 3
- •3.1. Классификация магнитных методов контроля
- •3.2. Области применения магнитных методов контроля
- •3.1. Классификация магнитных методов контроля
- •3.3. Магнитные характеристики конструкционных сталей и чугунов
- •3.4. Магнитная дефектоскопия
- •3.4.1. Расчет магнитостатических полей рассеяния поверхностных дефектов
- •3.4.2. Анализ экспериментальных исследований по выявлению полей дефектов
- •Глава 4
- •4.1. Индукционные преобразователи
- •4.2. Пондеромоторные преобразователи
- •4.3. Феррозондовые преобразователи
- •4.4. Магниторезистивые преобразователи
- •4.5. Магнитные порошки как индикаторы магнитных полей
- •4.6. Магнитные ленты (магнитоносители) как промежуточные носители информации о магнитном рельефе
- •Глава 5
- •Глава 5
- •Глава 6
- •6.1. Виды, способы и схемы намагничивания при магнитопорошковом контроле.
- •6.1.1.Циркулярный вид намагничивания.
- •Определение необходимой силы тока при циркулярном намагничивании
- •6.1.2. Продольное (полюсное) намагничивание
- •6.1.3. Комбинированное намагничивание
- •6.1.4. Намагничивание во вращающемся магнитном поле
- •6.2. Выбор рода тока.
- •6.3. Размагничивание объекта контроля
- •6.3.1. Способы размагничивания
- •6.3.1. Оценка качества размагничивания объекта
- •6.4. Источники намагничивающих и размагничивающих полей
- •6.5. Методика магнитопорошкового контроля
- •Структурная схема дефектоскопа для мпд
- •6.6. Магнитные пасты и суспензии
- •6.7. Способы изготовления дефектограмм
- •6.8. Контрольные образцы для проверки качества порошков и
- •6.9. Особенности контроля флуоресцентным порошком.
- •6.10. Автоматические и полуавтоматические установки для мпд
- •6.11. Техника безопасности
- •7. Определение топографии и градиента магнитного поля дефекта
- •7.1. Градуировка ллм
- •8. Сущность магнитографического метода контроля
- •8.1. Требования к намагничивающим устройствам
- •8.2. Свойства магнитоносителя
- •8.3. Запись магнитного рельефа на ленту
- •8.4. Преобразование магнитного отпечатка в электрический сигнал.
- •8.5. Щелевая функция воспроизводящей головки
- •8.6. Форма выходного сигнала
- •8.7. Дефектоскопы для магнитографического контроля
- •8.8. Магнитографический контроль ферромагнитных объектов
- •8.9. Анализ суперпозиции полей, записываемых на магнитную ленту в процессе мгк стыковых сварных соединений
- •8.10. Поле выпуклости шва
- •8.11. Топография поля дефекта на поверхности соединения, выполненного сваркой плавлением
- •8.12. Суперпозиция полей, записываемых на магнитную ленту, в процессе магнитографического контроля
- •8.13. Отстройка от мешающих факторов в магнитной дефектоскопии. Повышение чувствительности и разрешающей способности метода
- •8.14. Устройства для магнитографического контроля различных объектов
- •Повышение селективности контроля
- •Обобщенная структурная схема индукционного дефектоскопа
- •Основные уравнения электромагнитных волн
- •Связь сигналов первичных преобразователей с параметрами объекта контроля Контроль цилиндрических изделий преобразователями с однородным полем
- •Определение эдс измерительной обмотки проходного втп с учетом параметров контролируемого цилиндра
- •Контроль труб и неферромагнитных биметаллических цилиндров
- •Контроль цилиндрических объектов проходными преобразователями с неоднородным полем
- •Дефектоскопия вихретоковыми методами. Решение этих задач.
- •Чувствительность проходных преобразователей к дефектам кругового цилиндра.
- •Чувствительность проходных преобразователей к дефектам трубы 210
- •Втп с импульсным возбуждением
- •Влияние скорости движения преобразователя относительно ок
- •Контролируемые параметры и мешающие факторы
- •1. Применение специальных конструкций преобразователей.
- •2. Двухпараметровые способы отстройки от мешающих факторов.
- •3. Способы стабилизации и вариации режима контроля
- •8. Остаточный ресурс работы ферромагнитного объекта
Контроль труб и неферромагнитных биметаллических цилиндров
Рис. Биметаллический цилиндр в проходном преобразователе
На практике обычно применяется компенсация напряжения холостого хода измерительной обмотки U0, т.е. напряжения, соответствующего отсутствию объекта в зоне контроля. Поэтому, как правило, рассматривают величинуотносительного вносимого комплексного напряжения.
где - комплексное напряжение измерительной обмотки ВТП при наличии объекта в преобразователе.
- то же при его отсутствии.
- модуль вектора напряжения холостого хода измерительной обмотки ВТП (т.е. при отсутствии ОК в обмотке)
Рис. Годографы относительного напряжения наружного проходного ВТП при контроле проходного неферромагнитного и ферромагнитного цилиндра
Под чувствительностью ВТП к влияющему параметру Pследует понимать предел отношения приращения выходного параметра к вызвавшему его малому приращению контролируемого (влияющего) параметраP.
Из практических соображений для определения чувствительности часто используют не абсолютные значения приращений, а относительные:
Sp– безразмерная комплексная величина.P– номинальное значение контролируемого параметра.
Чувствительность к изменению радиуса цилиндрического объекта:
SR
Чувствительность к изменению удельной электрической проводимости σ:
S=
Рассмотрим диаграммы чувствительности проходного ВТП к изменениям радиуса и удельной электрической проводимости цилиндра. Диаграммы построены для η=1и μ=1.
Рис. Диаграммы чувствительности наружного проходного ВТП к изменениям радиуса (а) и удельной электрической проводимости кругового цилиндра
На рисунке слева показана диаграмма чувствительности проходного ВТП к изменениям радиуса немагнитного цилиндра. Из диаграммы следует, что при x=0 чувствительность к изменению радиусаSR=0, приSR – 2, т.е. чувствительность проходного ВТП в пределе при максимальных частотах стремится к постоянной величине 2.
Из диаграммы, представленной на рисунке справа, следует, что при S 0, приS 0 . Оптимальные условия имеют место при:
, т.е. при
Рассмотрим диаграмму чувствительности SR2для сплошного цилиндра () и для биметаллических цилиндров с отношением α12=0,6; 0,8; 0,9. и значениями==2; 0,25; 0,5.
Для сопоставления на этом же графике построена кривая SR2для тубы (γ12=0 при α12=0,8 – пунктирная кривая). Из диаграммы видно, что для случая, когда внешний слой биметаллического цилиндра более проводящий, чем внутренний (γ12<1) чувствительностьSR2 для большинства значений обобщенного параметраxбольше, чем для сплошного цилиндра, причем она возрастает с увеличением α12. Максимальных значений чувствительность достигает при 3<х<4.
Контроль цилиндрических объектов проходными преобразователями с неоднородным полем
Рис. Цилиндрический объект в проходном ВТП с неоднородным полем
Часто в преобразователях по конструктивным соображениям возбуждающая и измерительная обмотки располагаются не в одной плоскости, а на некотором расстоянии друг друга, причем не выполняется требование: гдеL– длина возбуждающей обмотки.
Т.е. создаваемое возбужденной обмоткой поле неоднородно. Сравнение показывает, что основные зависимости, характеризующие преобразователь с однородным и неоднородным полем, подобны. Одна из особенностей преобразователей с неоднородным полем состоит в том, что амплитуда и фаза измерительной обмотки ВТП зависит не только от параметров ОК, но и от расстояния Zмежду возбуждающей и измерительно
й обмоткой.
Рис. Зависимость модуля относительного вносимого сопротивления проходного параметрического преобразователя от изменения его длины
На рисунке представлена зависимость модуля относительного вносимого сопротивления проходного параметрического преобразователя от изменения его длины:
Вносимое сопротивление – это сопротивление в отсутствии ОК. Из рисунка видно, что при изменении L*от 0 до 410-2 Zвн*возрастает приблизительно в 2 раза, но при измененииL*от 4*10до 10*10 Zвн*возрастает не более, чем на 15% . Другими словами, преобразователи сL*>4*10практически можно считать преобразователями с однородным полем.
Рис. Годографы относительного вносимого комплексного напряжения проходных ВТП с неоднородным полем для разнесенных и совмещенных обмоток в сравнении с для преобразователя с однородным полем
Рис. Зависимость приращения относительно напряжения проходного ВТП от относительной глубины залегания дефекта при различных значениях обобщенного параметра х2 .
Кривая () соответствует случаю однородного магнитного поля, создаваемого возбуждающей обмоткой ВТП, т.е..
Анализ годографов показывает, что при возрастании Zотносительное вносимое комплексное напряжение увеличивается, причем для преобразователей с разнесенными катушками модуль относительного вносимого комплексного напряжения больше, чем для преобразователей с однородным полем (), а для преобразователей с совмещенными катушками () – меньше. Это говорит о том, что относительная чувствительность преобразователей с совмещенными короткими катушками меньше, а с разнесенными – больше (конечно, в некоторых пределах), чем для преобразователей с однородным полем.
Основной недостаток преобразователей с неоднородным полем состоит в сильном влиянии радиальных перемещений и переносов ОК в преобразователе, что необходимо учитывать при их использовании. Особенно сильное это влияние при больших радиусах контролируемых объектов. Для необходимого ослабления влияния радиальных перемещений контролируемых объектов в преобразователе рекомендуется располагать измерительную катушку ВТП на расстоянииот возбуждающей.
Кардинальным решением проблемы в этом случае является обеспечение механической стабилизации ОК в преобразователе.