- •Содержание
- •Введение
- •Глава 1 особенности структуры и технологии наноразмерных объектов
- •1.1 Классификация вещественных объектов
- •1.1.1 Размерные классы частиц
- •1.1.2 Факторы, влияющие на свойства вещества
- •Риcунок 1.11 – Схема возникновения н-центра окраски в цгк типа NaCl
- •1.2 Методы получения низкоразмерных частиц
- •1.3 Модельные представления о структуре и габитусе наноразмерных частиц
- •1.3.1 Методологические подходы к описанию кристаллов
- •1.3.2 Правильные формы кристаллов и их описание
- •Общие простые формы кристаллов и кристаллографические индексы их граней (hkl)
- •Частные простые формы (грань (h 0 0))
- •Частные простые формы кристаллов с единичным направлением (исходная грань (h k 0)).
- •Частные простые формы кристаллов без единичного направления
- •1.3.3 Габитус наночастиц, полученных при диспергировании крупных кристаллов
- •1.4 Теоретическое описание структуры и габитуса наночастиц, полученных конденсированием
- •1.4.1 Шаровые упаковки как модели многоатомных структур
- •1.4.2 Атомные координации в полиэдрах плотнейших атомных упаковок
- •Радиусы координационных сфер и их числа заполнения для гцк-структур
- •Радиусы координационных сфер и их числа заполнения для гпу-структур
- •Радиусы координационных сфер и их числа заполнения для оцк-структур
- •1.4.3 Некристаллографическая симметрия габитуса наноразмерных атомных координационных полиэдров
- •1.4.4 Фуллереноподобные формы нанокристаллов
- •1.4.5 Габитусы наночастиц сложного состава
- •1.5 Структура и свойства наноразмерных частиц, применяемых в функциональном материаловедении
- •1.5.1 Структура и свойства наноразмерных металлических модификаторов функциональных материалов
- •Координационные числа (к) координационных сфер (n – ее номер) при плотнейшей шаровой упаковке
- •Основные параметры, необходимые для описания жидких кластеров металлов (z – порядковый номер, n – плотность атомов, ef – энергия Ферми, rw – радиус Вагнера-Зейтца, w – работа выхода)
- •1.5.2 Наноразмерные углеродсодержащие модификаторы*
- •Размеры кристаллических блоков в алмазосодержащих продуктах детонационного синтеза
- •Р исунок 1.66 – Термограммы tg (а) и dta (б) углеродных нанокластеров. Скорость нагрева 5оС/мин: 1 – удаг; 2 – уда
- •Фазовый состав наномодификаторов, полученных по технологии термолиза прекурсора в технологической среде
- •Характеристики модифицированных углеродных волокон [161]
- •1.5.3 Силикатные наноразмерные частицы
- •Кристаллографические индексы рефлексов (kl) и структурные амплитуды f(20) и f(850) кристалла мусковита при 20оС и после прогрева при 850оС соответственно
- •Характеристики ультрадисперсных керамик (ук), полученных плазмохимическим синтезом [179]
- •Характеристики ультрадисперсных керамик (ук) механохимического синтеза [177]
- •Характеристики ультрадисперсных оксинитридов плазмохимического синтеза [179-180]
- •Некоторые свойства природных и синтетических цеолитов
- •1.6 Заключение к главе 1
- •Глава 2 механизмы модифицирующего действия наноразмерных частиц в полимерных и олигомерных матрицах
- •2.1 Критерии оценки наноразмерности
- •2.1.1 Физические предпосылки к оценке наноразмерности частиц
- •2.1.2 Связь фононных характеристик с наноразмерностью
- •2.1.3 Теорема Блоха и наноразмерность
- •2.1.4 Дебаевская длина волны и максимальный наноразмер
- •2.1.5 Расчет максимального наноразмера на основании уравнения Шредингера
- •2.1.6 Определение предельных размеров частиц веществ с неразрушенными полимерными молекулами
- •2.1.7 Динамические модели кристалла Эйнштейна и Дебая
- •2.1.8 Расчетные значения максимальных размеров наночастиц одноэлементных веществ и некоторых соединений
- •Характеристические температуры ( ) и максимальные размерынанокристаллов некоторых веществ
- •Характеристические температуры и максимальные размеры нанокристаллов некоторых галогенидов
- •Температура Дебая и максимальный наноразмер полупроводников типов
- •Отношение температуры Дебая наночастиц к для объемной фазы некоторых металлов, r – размер частицы
- •Дебаевская температура и наноразмерный максимум одноэлементных веществ
- •2.1.9 Влияние размеров кристаллитов на их физические свойства
- •2.2 Особенности зарядового состояния наноразмерных частиц
- •2.2.1 Зарядовое состояние дисперсных частиц слоистых минералов
- •2.3 Зарядовое состояние металлических компонентов функциональных материалов и металлополимерных систем
- •2.3.1 Модельные представления о механизме модифицирования полимерных матриц нанокомпозиционными частицами
- •Зависимость размеров областей когерентного рассеяния (l ǻ) от массовой концентрации (с, мас.%) ультрадисперсного углерода (шихты)
- •Значения радиусов (r, ǻ) и относительных координационных чисел (окч) для композитов с различной массовой концентрацией (с, мас.%) наполнителя
- •2.4 Заключение к главе 2
Координационные числа (к) координационных сфер (n – ее номер) при плотнейшей шаровой упаковке
N |
K |
N |
K |
N |
K |
N |
K |
1 |
12 |
26 |
24 |
51 |
48 |
76 |
72 |
2 |
6 |
27 |
96 |
52 |
72 |
77 |
96 |
3 |
24 |
28 |
48 |
53 |
72 |
78 |
0 |
4 |
12 |
29 |
24 |
54 |
32 |
79 |
96 |
5 |
24 |
30 |
0 |
55 |
144 |
80 |
24 |
6 |
8 |
31 |
96 |
56 |
0 |
81 |
108 |
7 |
48 |
32 |
6 |
57 |
96 |
82 |
96 |
8 |
6 |
33 |
96 |
58 |
72 |
83 |
120 |
9 |
36 |
34 |
48 |
60 |
48 |
85 |
144 |
10 |
24 |
36 |
36 |
61 |
120 |
86 |
24 |
11 |
24 |
36 |
36 |
61 |
120 |
86 |
24 |
12 |
24 |
37 |
120 |
62 |
0 |
87 |
144 |
13 |
72 |
38 |
24 |
63 |
144 |
88 |
24 |
14 |
0 |
39 |
48 |
64 |
12 |
89 |
96 |
15 |
48 |
40 |
24 |
65 |
48 |
90 |
72 |
16 |
12 |
41 |
48 |
66 |
48 |
91 |
144 |
17 |
48 |
42 |
48 |
67 |
168 |
92 |
48 |
18 |
30 |
43 |
120 |
68 |
48 |
93 |
144 |
19 |
72 |
44 |
24 |
69 |
96 |
94 |
0 |
20 |
24 |
45 |
120 |
70 |
48 |
95 |
48 |
21 |
48 |
46 |
0 |
71 |
48 |
96 |
8 |
22 |
24 |
47 |
96 |
72 |
30 |
97 |
240 |
23 |
48 |
48 |
24 |
73 |
192 |
98 |
54 |
24 |
8 |
49 |
108 |
74 |
24 |
99 |
120 |
25 |
84 |
50 |
30 |
75 |
120 |
100 |
84 |
Поверхностная энергия при плотнейшей упаковке составляющих ее N шаровых частиц при приближении капельной модели, определяется условием:
, (1.44)
где А – удельная поверхность энергии кластера.
Из формул (1.41-1.44) следует:
, (1.44)
то есть критерий устойчивости кластера примет вид:
. (1.45)
Естественно, полученная формула нуждается в экспериментальной проверке. Но приведенные в работе [104] данные для кластеров инертных газов показывают, что расхождение ее с экспериментом не превышает 10 %. В этой же работе утверждается, что для металлов и полимерных волокон эта формула приводит к более строгому согласию с экспериментом.
На устойчивость и размеры кластеров значительное влияние оказывает облучение вещества сверхсильными ультракороткими лазерными импульсами, длительность которых составляет несколько десятков периодов лазерного поля [105]. Возбуждение электронной подсистемы становится в этих условиях значительно большим, по сравнению с изолированными атомами и молекулами, потому что в течение столь короткого воздействия в отсутствие отвода теплоты ионы расположены в кластерной электронной плазме. Вследствие электрон-электронных столкновений устанавливается их максвелловское распределение по скоростям. Часть электронов с большой скоростью может покинуть кластер, и он приобретает положительный заряд. Кластер, особенно это характерно для частиц металлов, можно представить в виде сферической капли жидкости с резкой границей и размерами, много меньшими, чем длина волны лазерного импульса. Подобная электронная система достаточно подвижна, но ограничивается объемом кластера, отсюда следует название «модель желе».
Потенциал ионизации [103-104] нейтрального кластера равен работе выхода (W) для данного металла. Если заряд кластера , то надо учесть кулоновскую энергию отрыва электрона (Wk). Если заряд равномерно распределен по поверхности кластера, а именно это предполагается в модели, то:
, (1.46)
где R – радиус кластера в «модели желе».
Тогда
. (1.47)
Радиус Вагнера-Зейтца, концентрация атомов и энергия Ферми ряда металлов, для которых выполнены исследования их кластеров, приведены в табл. 1.13 [105]. В указанной работе обосновывается утверждение, что для описания квантовомеханического распределения электронов в холодных металлических кластерах (Т0 К) применима численная модель Томас-Ферми. При исследовании динамических процессов в кластерной плазме вводится малое монокристаллическое возмущение электронного потенциала в капле, что соответствует собственным колебаниям электронного облака в кластере.
Таблица 1.13