- •Содержание
- •Введение
- •Глава 1 особенности структуры и технологии наноразмерных объектов
- •1.1 Классификация вещественных объектов
- •1.1.1 Размерные классы частиц
- •1.1.2 Факторы, влияющие на свойства вещества
- •Риcунок 1.11 – Схема возникновения н-центра окраски в цгк типа NaCl
- •1.2 Методы получения низкоразмерных частиц
- •1.3 Модельные представления о структуре и габитусе наноразмерных частиц
- •1.3.1 Методологические подходы к описанию кристаллов
- •1.3.2 Правильные формы кристаллов и их описание
- •Общие простые формы кристаллов и кристаллографические индексы их граней (hkl)
- •Частные простые формы (грань (h 0 0))
- •Частные простые формы кристаллов с единичным направлением (исходная грань (h k 0)).
- •Частные простые формы кристаллов без единичного направления
- •1.3.3 Габитус наночастиц, полученных при диспергировании крупных кристаллов
- •1.4 Теоретическое описание структуры и габитуса наночастиц, полученных конденсированием
- •1.4.1 Шаровые упаковки как модели многоатомных структур
- •1.4.2 Атомные координации в полиэдрах плотнейших атомных упаковок
- •Радиусы координационных сфер и их числа заполнения для гцк-структур
- •Радиусы координационных сфер и их числа заполнения для гпу-структур
- •Радиусы координационных сфер и их числа заполнения для оцк-структур
- •1.4.3 Некристаллографическая симметрия габитуса наноразмерных атомных координационных полиэдров
- •1.4.4 Фуллереноподобные формы нанокристаллов
- •1.4.5 Габитусы наночастиц сложного состава
- •1.5 Структура и свойства наноразмерных частиц, применяемых в функциональном материаловедении
- •1.5.1 Структура и свойства наноразмерных металлических модификаторов функциональных материалов
- •Координационные числа (к) координационных сфер (n – ее номер) при плотнейшей шаровой упаковке
- •Основные параметры, необходимые для описания жидких кластеров металлов (z – порядковый номер, n – плотность атомов, ef – энергия Ферми, rw – радиус Вагнера-Зейтца, w – работа выхода)
- •1.5.2 Наноразмерные углеродсодержащие модификаторы*
- •Размеры кристаллических блоков в алмазосодержащих продуктах детонационного синтеза
- •Р исунок 1.66 – Термограммы tg (а) и dta (б) углеродных нанокластеров. Скорость нагрева 5оС/мин: 1 – удаг; 2 – уда
- •Фазовый состав наномодификаторов, полученных по технологии термолиза прекурсора в технологической среде
- •Характеристики модифицированных углеродных волокон [161]
- •1.5.3 Силикатные наноразмерные частицы
- •Кристаллографические индексы рефлексов (kl) и структурные амплитуды f(20) и f(850) кристалла мусковита при 20оС и после прогрева при 850оС соответственно
- •Характеристики ультрадисперсных керамик (ук), полученных плазмохимическим синтезом [179]
- •Характеристики ультрадисперсных керамик (ук) механохимического синтеза [177]
- •Характеристики ультрадисперсных оксинитридов плазмохимического синтеза [179-180]
- •Некоторые свойства природных и синтетических цеолитов
- •1.6 Заключение к главе 1
- •Глава 2 механизмы модифицирующего действия наноразмерных частиц в полимерных и олигомерных матрицах
- •2.1 Критерии оценки наноразмерности
- •2.1.1 Физические предпосылки к оценке наноразмерности частиц
- •2.1.2 Связь фононных характеристик с наноразмерностью
- •2.1.3 Теорема Блоха и наноразмерность
- •2.1.4 Дебаевская длина волны и максимальный наноразмер
- •2.1.5 Расчет максимального наноразмера на основании уравнения Шредингера
- •2.1.6 Определение предельных размеров частиц веществ с неразрушенными полимерными молекулами
- •2.1.7 Динамические модели кристалла Эйнштейна и Дебая
- •2.1.8 Расчетные значения максимальных размеров наночастиц одноэлементных веществ и некоторых соединений
- •Характеристические температуры ( ) и максимальные размерынанокристаллов некоторых веществ
- •Характеристические температуры и максимальные размеры нанокристаллов некоторых галогенидов
- •Температура Дебая и максимальный наноразмер полупроводников типов
- •Отношение температуры Дебая наночастиц к для объемной фазы некоторых металлов, r – размер частицы
- •Дебаевская температура и наноразмерный максимум одноэлементных веществ
- •2.1.9 Влияние размеров кристаллитов на их физические свойства
- •2.2 Особенности зарядового состояния наноразмерных частиц
- •2.2.1 Зарядовое состояние дисперсных частиц слоистых минералов
- •2.3 Зарядовое состояние металлических компонентов функциональных материалов и металлополимерных систем
- •2.3.1 Модельные представления о механизме модифицирования полимерных матриц нанокомпозиционными частицами
- •Зависимость размеров областей когерентного рассеяния (l ǻ) от массовой концентрации (с, мас.%) ультрадисперсного углерода (шихты)
- •Значения радиусов (r, ǻ) и относительных координационных чисел (окч) для композитов с различной массовой концентрацией (с, мас.%) наполнителя
- •2.4 Заключение к главе 2
1.4.4 Фуллереноподобные формы нанокристаллов
Возникновение частиц с габитусами некристаллографических симметрий (оси 5 или 10) вытекает из принципов классической кристаллографии [45-51] и соответствует правилам построения шаровых установок. В то же время эти правила ограничивают число возможных внешних форм с осями, порядки которых отличаются от кристаллографических. Интерес к таким формам особенно возрос после открытия квазикристаллов и фуллеренов [54-56]. Анализ структуры фуллеренов логично начать с ГПУ-решетки, которая, строго говоря, не является решеткой в математическом смысле, так как невозможно построить параллелепипед с осью шестого порядка. В работе [47] показано, что гексагональную упаковку можно рассматривать как трехмерную проекцию четырехмерной кубической решетки. Матрица-генератор группы вращения вокруг оси 6, совпадающей с осью t в ортогональной системе координат xyzt, имеет вид
(1.21)
Квазикристаллы, получаемые при резком охлаждении расплава, описываются группой вращения в 6-тимерном пространстве при матрице-генераторе, определяющей повороты вокруг осей и [57, 58].
, . (1.22)
По аналогии с гексагональными и квазикристаллическими структурами матрицы с элементами 0, ±1, причем ±1 в каждой строке и столбце встречаются один раз, могут быть записаны для пространства любой размерности. В краткой записи этих матриц надо указать номера элементов, равных ±1 с указанием знака. Например, матрицы (1.21) и (1.22) в виде матрицы-строки и матрицы-столбца (для сокращения объема записи приведены строкой) имеют вид
. (1.23)
Свойства матриц и при описания многомерных симметрий рассмотрены в работе [58]. Там же показано, что группа 5 может быть описана в 3-хмерном пространстве матрицей-генератором
, (1.24)
где – «золотое отношение».
Для описания точечных групп пента- и декагональной (оси 5 и 10) симметрий необходимо вместо кристаллических решеток [49] брать, так называемые, обобщенные решетки (ОР). 2-х мерные ОР известны как сетки Пенроуза. Матрица (6) описывает локальную симметрию, то есть ось 5 в структуре единственная. Для описания 3-хмерных сеток Пенроуза, то есть для 3D-ОР группы 5, ее матричное представление имеет вид:
. (1.25)
Следовательно, объекты с некристаллографической симметрией могут быть описаны на основе ОР теми же методами, что и применяемые в классической кристаллографии.
На рис. 1.45 приведены формы фуллеренов с различными числами атомов углерода, которые совпадают с результатами экспериментальных исследований [59].
Рисунок 1.45 – Модели фуллеренов, полученные в модели обобщенных решеток: a – C60, b – C72, с – С80, d – C120, e – C132, f – C140
Примеры фуллереноподобных структур, которые получены на основе метода ОР и которые могут соответствовать габитусам наночастиц, приведены на рис. 10. На этом рисунке описаны и формы, и число полигонов, образующих грани фуллереноподобного полиэдра [60, 61].
Рисунок 1.46– Фуллереноподобные полиэдры, полученные на основе трехмерных обобщенных решеток. Форма и число граней: a – 6 пг, 18 трг; b - 6 пг, 6 тетрг, 18 трг; с – 14ддг, 12 дг, 24 пг, 168‑тетрг, 120 трг; d – 8 нг, 42 тетрг. Сокращения: ддг – додекагон; дг – декагон; нг – наногон; пг – пентагон, тетрг – тетрагон; трг - тригон
Следовательно, фуллерены, квазикристаллы и в целом наночастицы, полученные путем выращивания вокруг отдельного атома или группы атомов, характеризуются габитусами, которые строятся на основе регулярных обобщенных решеток. В этом случае объясняется появление фуллереноподобных полиэдров с гранями, точечная симметрия которых отличается от кристаллографической, а сама частица может иметь оси вращения 5, 10 или других порядков.