- •Содержание
- •Введение
- •Глава 1 особенности структуры и технологии наноразмерных объектов
- •1.1 Классификация вещественных объектов
- •1.1.1 Размерные классы частиц
- •1.1.2 Факторы, влияющие на свойства вещества
- •Риcунок 1.11 – Схема возникновения н-центра окраски в цгк типа NaCl
- •1.2 Методы получения низкоразмерных частиц
- •1.3 Модельные представления о структуре и габитусе наноразмерных частиц
- •1.3.1 Методологические подходы к описанию кристаллов
- •1.3.2 Правильные формы кристаллов и их описание
- •Общие простые формы кристаллов и кристаллографические индексы их граней (hkl)
- •Частные простые формы (грань (h 0 0))
- •Частные простые формы кристаллов с единичным направлением (исходная грань (h k 0)).
- •Частные простые формы кристаллов без единичного направления
- •1.3.3 Габитус наночастиц, полученных при диспергировании крупных кристаллов
- •1.4 Теоретическое описание структуры и габитуса наночастиц, полученных конденсированием
- •1.4.1 Шаровые упаковки как модели многоатомных структур
- •1.4.2 Атомные координации в полиэдрах плотнейших атомных упаковок
- •Радиусы координационных сфер и их числа заполнения для гцк-структур
- •Радиусы координационных сфер и их числа заполнения для гпу-структур
- •Радиусы координационных сфер и их числа заполнения для оцк-структур
- •1.4.3 Некристаллографическая симметрия габитуса наноразмерных атомных координационных полиэдров
- •1.4.4 Фуллереноподобные формы нанокристаллов
- •1.4.5 Габитусы наночастиц сложного состава
- •1.5 Структура и свойства наноразмерных частиц, применяемых в функциональном материаловедении
- •1.5.1 Структура и свойства наноразмерных металлических модификаторов функциональных материалов
- •Координационные числа (к) координационных сфер (n – ее номер) при плотнейшей шаровой упаковке
- •Основные параметры, необходимые для описания жидких кластеров металлов (z – порядковый номер, n – плотность атомов, ef – энергия Ферми, rw – радиус Вагнера-Зейтца, w – работа выхода)
- •1.5.2 Наноразмерные углеродсодержащие модификаторы*
- •Размеры кристаллических блоков в алмазосодержащих продуктах детонационного синтеза
- •Р исунок 1.66 – Термограммы tg (а) и dta (б) углеродных нанокластеров. Скорость нагрева 5оС/мин: 1 – удаг; 2 – уда
- •Фазовый состав наномодификаторов, полученных по технологии термолиза прекурсора в технологической среде
- •Характеристики модифицированных углеродных волокон [161]
- •1.5.3 Силикатные наноразмерные частицы
- •Кристаллографические индексы рефлексов (kl) и структурные амплитуды f(20) и f(850) кристалла мусковита при 20оС и после прогрева при 850оС соответственно
- •Характеристики ультрадисперсных керамик (ук), полученных плазмохимическим синтезом [179]
- •Характеристики ультрадисперсных керамик (ук) механохимического синтеза [177]
- •Характеристики ультрадисперсных оксинитридов плазмохимического синтеза [179-180]
- •Некоторые свойства природных и синтетических цеолитов
- •1.6 Заключение к главе 1
- •Глава 2 механизмы модифицирующего действия наноразмерных частиц в полимерных и олигомерных матрицах
- •2.1 Критерии оценки наноразмерности
- •2.1.1 Физические предпосылки к оценке наноразмерности частиц
- •2.1.2 Связь фононных характеристик с наноразмерностью
- •2.1.3 Теорема Блоха и наноразмерность
- •2.1.4 Дебаевская длина волны и максимальный наноразмер
- •2.1.5 Расчет максимального наноразмера на основании уравнения Шредингера
- •2.1.6 Определение предельных размеров частиц веществ с неразрушенными полимерными молекулами
- •2.1.7 Динамические модели кристалла Эйнштейна и Дебая
- •2.1.8 Расчетные значения максимальных размеров наночастиц одноэлементных веществ и некоторых соединений
- •Характеристические температуры ( ) и максимальные размерынанокристаллов некоторых веществ
- •Характеристические температуры и максимальные размеры нанокристаллов некоторых галогенидов
- •Температура Дебая и максимальный наноразмер полупроводников типов
- •Отношение температуры Дебая наночастиц к для объемной фазы некоторых металлов, r – размер частицы
- •Дебаевская температура и наноразмерный максимум одноэлементных веществ
- •2.1.9 Влияние размеров кристаллитов на их физические свойства
- •2.2 Особенности зарядового состояния наноразмерных частиц
- •2.2.1 Зарядовое состояние дисперсных частиц слоистых минералов
- •2.3 Зарядовое состояние металлических компонентов функциональных материалов и металлополимерных систем
- •2.3.1 Модельные представления о механизме модифицирования полимерных матриц нанокомпозиционными частицами
- •Зависимость размеров областей когерентного рассеяния (l ǻ) от массовой концентрации (с, мас.%) ультрадисперсного углерода (шихты)
- •Значения радиусов (r, ǻ) и относительных координационных чисел (окч) для композитов с различной массовой концентрацией (с, мас.%) наполнителя
- •2.4 Заключение к главе 2
Общие простые формы кристаллов и кристаллографические индексы их граней (hkl)
№ |
ТГ(n) |
Многогранник |
(hkl)ф |
1 |
1(1) |
моноэдр (педион) |
(hkl) |
2 |
(2) |
пинакоид |
(hkl) |
3 |
2(2)
|
диэдр (осевой) |
|
4 |
m(2) |
диэдр планальный (плакательный) |
|
5 |
2/m(4) |
ромбическая призма |
|
6 |
222(4)
|
ромботетраэдр |
|
7 |
mm2(4) |
ромбическая пирамида |
|
8 |
mmm(8)
|
ромбическая бипирамида |
|
9 |
3(3)
|
тригональная пирамида |
R) ( hkl ) H) ( hki l) |
10 |
|
ромбоэдр |
R) ( hkl ) H) ( hki l) |
11 |
3m(6) |
дитригональная пирамида |
R) {hkl} H) ( hkil ) |
12 |
32(6) |
тригональный трапецоэдр |
R) ( hkl ) H) ( hki l ) |
13 |
|
тригональный скаленоэдр |
H) {hkl} H) ( hki l ) и ( hik ) |
14
|
4(4) |
тетрагональная пирамида |
( (hk)l) и ( ) |
15 |
|
тетрагональный тетраэдр |
( (hk)l) и ( ) |
16 |
4/m(8) |
тетрагональная бипирамида |
((hk) l) и ( ) |
17 |
4mm(8) |
дитетрагональ- ная пирамида |
|
18 |
422(8) |
тетрагональный трапецоид |
( (hk)l), ( )
|
19 |
|
тетрагональный скаленоэдр |
|
20 |
4/mmm (16) |
дитертраго-нальная бипирамида |
|
|
|
|
|
21 |
6(6)
|
гексагональная пирамида |
( hki l) |
22 |
|
тригональная бипирамида |
( hki l) |
23 |
6/m(12) |
гексагональная бипирамида |
(hki ) |
24 |
622(12)
|
гексагональный трапецоид |
(hki ), (hki ) |
25 |
6mm(12) |
дигексагональная пирамида |
({hki}l) |
26 |
|
дитригональная бипирамида |
( hki ) и ( ) |
27 |
6/mmm(24)
|
дигексагональ-ная бипирамида |
({hki} l) |
28 |
23(12) |
пентагон-тритетраэдр |
|
29 |
m3(24) |
дидодэкаэдр
|
( ) |
30 |
|
гексоктаэдр |
|
31 |
432(24) |
пентагон-триоктаэдр |
|
32 |
m3m(48) |
гексатетраэдр |
|
** ТГ – точечная группа в международном обозначении и ее порядок (п), которому равно число граней. Сингонии отделены друг от друга горизонтальными линиями
Для гексагональных и тригональных кристаллов в гексагональной установке (Н-установке) осей вводится индекс i=-h-k. В этом случае, например, записи ([hki]l) для группы 3 и ({hki}l) для группы 3m означают соответственно (h,k,(-h-k),l), (h,(-h-k),k,l) ((-h-k),k h l) и (h,k,(-h-k)l, (h,(-h-k),k,l), (k,h(-k-h)l), (k,(-k-h),h,l), ((-h-k),h,k,l), ((-h-k)k,h,l).
Если в качестве исходной грани взять плоскость (0 0 l), то для полярных кристаллов с единичным направлением вдоль оси Z простая форма – моноэдр, для неполярных – пинакоид. В этом легко убедиться, если взять индексы граней соответствующих общих форм и подставить значения h=k=0.
В тригональных кристаллах при установке оси 3 параллельно [111] (R – установка) для получения пинакоида (группы ) или моноэдра (группы 3, 3m) в качестве исходной необходимо взять плоскость (111).
Общие простые формы приведены на рис. 1.34 соответствующими многогранниками и индексами граней при исходной грани с индексами (hkl). Изображения многогранников общей правильной формы для всех 32 точечных групп приведены на рис. 1.34, причем эти многогранники будут сохранять свой вид для любых неравных друг другу hkl, но при этом могут меняться их геометрические размеры, например, будут увеличиваться или уменьшаться их высота для точечных групп с единичным направлением, которые относятся по всем сингониям, кроме кубической.
Сингонии |
М н о г о г р а н н и к и |
||||||
Триклинная, моноклинная |
Моноэдр педион
|
Пинакоид |
Диэдр осевой |
Диэдр безосный |
Призма |
|
|
Ромбическая |
|
|
Тетраэдр |
Пирамида |
Бипирамида |
|
|
Тригональная |
Пирамида |
Ромбоэдр |
Трапецоэдр |
Дитириг. пирамида |
Скаленоэдр |
|
|
Тетрагональная |
Пирамида |
Бипирамида |
Трапецоэдр |
Дитетрагон пирамида |
Дитетрагон бипирамида |
Тетраэдр |
Скаленоэдр |
Гексагональная |
Пирамида |
Бипирамида |
Трапецоэдр |
Дигексаген пирамида |
Дигексаген бипирамида |
Тригональная бипирамида |
Дитригона-льная бипирамида |
Кубическая |
Пентаго-тритетра-эдр |
Дидодекаэдр |
Пентагон-триоктаэдр |
Гексатетра-эдр |
Гексоктаэдр |
|
|
Рисунок 1.34 – Многогранники общих правильных форм кристаллов (таблица 1.2)
Реальные кристаллы могут иметь грани, относящиеся к разным формам, когда их грани соответствуют кристаллографическим плоскостям с различными индексами, что и приводит к различным формам одни и тех же кристаллов.Кроме того, на форму кристаллов влияют не только симметрия их решетки, но и характер взаимодействия между атомами. Если, например, в кристалле атомы расположены слоями, причем в пределах слоя межатомная связь намного сильнее, чем связь между слоями, как в кристаллах гранита и слюд, то, несмотря на их различные сингонии (графит относится к гексагональной, а слюда – к моноклинной сингонии), кристаллы у этих веществ имеют одинаковую форму тонких пластинок – чешуек. У этих кристаллов атомы в слоях связаны валентными силами, а межслоевое воздействие имеет Ван-дер-Ваальсову природу.
При диспергировании кристалла, когда поверхностные силы не играют существенную роль в формировании габитуса частицы, продукты диспергирования имеют форму полиэдров. Кристалл при его механическом дроблении ограничивается плоскостями с наибольшей ретикулярной плоскостью, то есть с наибольшим числом атомов на единицу поверхности.
На рис. 1.35 приведены формулы симметрий каждой из 32 точечных групп кристаллов, здесь же указан их симметрический комплект, а также международное обозначение точечной группы. Так как в теоретической физике, в структурной химии и в других разделах науки до сих пор сохраняется обозначения точечных групп по Шенфлису, то на рис. 1.36 приведены эти обозначения.
Если в качестве исходной плоскости для кристаллов с единичным направлением взят боковой пинакоид (плоскости (h 0 0) или (0 k 0)), то наряду с рассмотренным возникают некоторые новые простые формы, которые для кристаллов с единичным направлением приведены в табл. 1.3. Если правильная форма встречалась ранее, то указан ее номер в предыдущей таблице.
При исходной грани (0 k 0), когда , возникают новые формы кристаллов с единичным направлением (табл. 1.4). Исходные грани типа (h 0 l), (0 k l) или (h h 0) для кристаллов с единичным направлением не приводят к возникновению новых форм.
В кристаллах без единичного направления (кубическая сингония) наряду с общими простыми формами, возможны частные при исходных плоскостях: , . Очевидно, что частные простые формы могут быть получены из общих простых форм кристаллов соответствующих точечных групп при подстановке индексов исходной грани частной формы.
Рисунок 1.35 – Комплексы элементов симметрии 32 точечных групп, их обозначения по Шенфлису – международное.
Рисунок 1.36 – Пояснения к рис. 1.35
Таблица 1.3