- •Кристаллография и минералогия
- •Для студентов высших учебных заведений
- •Предисловие
- •Содержание
- •Введение
- •Основы кристаллографии
- •Глава 1. Аморфные и кристаллические вещества
- •Историческая справка о развитии геолого-минералогических наук. Закон Стенона
- •1.3 Аморфные и кристаллические вещества
- •1.4 Основные свойства кристаллов
- •Глава 2. Зарождение и рост кристаллов
- •2.1 Пути образования кристаллов
- •2.2 Выращивание кристаллов из растворов
- •Факторы, влияющие на облик кристаллов
- •Практическое значение кристаллизации растворов в технологии силикатов
- •2.5 Кристаллизация из расплавов и стекол
- •2.6. Промышленные методы выращивания кристаллов
- •Глава 3. Симметрия кристаллов и их классификация
- •3.1 Элементы симметрии
- •Р исунок 3.1 - Центр симметрии
- •3.2 Взаимодействие между элементами симметрии в кристалле
- •3.3 Классификация кристаллов
- •Глава 4. Простые формы и их комбинации в кристаллах различных сингоний
- •4.1 Распределение простых форм по сингониям и категориям
- •Расшифровка комбинированных форм
- •Глава 5. Установка кристаллов. Определение индексов граней
- •5.1 Понятие о кристаллографических символах
- •Установка кристаллов
- •5.3 Закон Гаюи
- •5.4 Практические рекомендации по определению кристаллографических символов
- •Глава 6. Стереографические проекции кристаллов
- •6.1 Принципы стереографического проектирования
- •6.2 Проектирование элементов симметрии кристаллов
- •Глава 7. Изучение пространственной решетки
- •7.1 Решетки Браве
- •7.2 Определение формульной единицы
- •7.3 Координационные числа и координационные многогранники
- •Глава 8. Плотнейшие упаковки
- •8.1 Понятие о кристаллохимическом радиусе
- •8.2 Виды плотнейших упаковок в структурах
- •8.3 Доля заполненных пустот
- •Глава 9. Типы физико-химических связей в кристаллах
- •9.1 Типы кристаллических структур
- •9.2 Металлический тип связи
- •9.3 Ионная или гетерополярная связь
- •9.4 Ковалентная (гомеополярная) или атомная связь
- •9.6 Водородная связь
- •9.7 Явление поляризации в кристаллических телах
- •Глава 10. Полиморфизм, изоморфизм
- •10.1 Определение полиморфизма, его типы
- •10.2 Примеры полиморфных переходов
- •10.3. Полиморфные превращения в системе SiO2
- •10.4 Понятие об изоморфизме
- •10.5 Виды изоморфизма
- •Глава 11. Главнейшие типы кристаллических структур
- •11.1 Способы моделирования кристаллов. Метод координационных полиэдров
- •11.2 Понятие о структурном типе
- •11.3 Примеры основных структурных типов
- •Тема 12. Кремнекислородные структуры
- •12.1 Особенности строения силикатов
- •12.2 Состав силикатов в виде структурных формул
- •12.3 Классификация силикатов по типу кремнекислородных группировок (радикалов, мотивов)
- •12.4 Особенности структур кварца, тридимита, кристобалита
- •Глава 13. Дефекты кристаллической решетки
- •13.1 Классификация дефектов кристаллической решетки
- •13.2 Нульмерные (точечные) дефекты
- •13.3 Линейные дефекты
- •13.4 Свойства дислокации
- •13.5 Влияние дислокации на скорость роста кристаллов
- •Минералогия
- •Глава 14. Минералогия. Свойства минералов
- •14.1 Наука «минералогия» и объекты ее исследования. Написание формул минералов
- •14.2 Морфология минералов
- •14.3 Явление двойникования и эпитаксии в реальных кристаллах
- •14.4 Физико-химические свойства минералов
- •Тема 15. Геологические процессы образования минералов
- •15.1. Классификация минералов и горных пород по генезису
- •15.2.Эндогенные процессы образования минералов и пород
- •15.3 Экзогенные процессы минералообразования
- •15.4 Метаморфические процессы минералообразования
- •Глава 16. Классификация минералов. Особенности различных классов минералов
- •16.1 Классификация минералов по с.Д. Четверикову
- •16.2 Класс самородных элементов
- •16.3 Сульфиды. Сульфаты
- •16.4 Галоидные соединения. Бораты. Фосфаты
- •16.5 Карбонаты. Нитраты
- •16.6 Оксиды и гидроксиды
- •Глава 17. Силикаты
- •Основные сведения о силикатах
- •17.2 Островные силикаты
- •17.3 Цепочечные и ленточные силикаты
- •17.4 Слоистые силикаты
- •17.5 Каркасные силикаты
- •Литература
3.3 Классификация кристаллов
Класс симметрии – это полная совокупность элементов симметрии многогранника (вид симметрии, кристаллографическая формула).
Классы симметрии объединяются в сингонии (переводится «сходноугольные»). Сингонией называется группа видов симметрии, обладающих одним или несколькими элементами симметрии (табл. 3.2) при одинаковом числе единичных направлений.
Таблица 3.2 - Категории и сингонии
Категория |
Сингонии |
Характерные элементы симметрии |
Число единичных направлений |
Низшая |
Триклинная |
L ; C |
Все |
Моноклинная |
L2+P=1 или 2 |
Множество |
|
Ромбическая |
L2+P=3 или 6 |
Три |
|
Средняя |
Тригональная |
L3 |
Одно |
Тетрагональная |
L4( ) |
Одно |
|
Гексагональная |
L6( ) |
Одно |
|
Высшая |
Кубическая |
4L3 |
Нет |
Единичным направлением в кристалле называется направление, которое не повторяется. Например, в тригональной призме есть одна ось третьего порядка L3, в гексагональной - одна ось шестого порядка – L6. В кубе нет единичных направлений. Так как любое направление повторяется несколько раз, они называются симметрично-равными. В кристалле, имеющем только центр симметрии, нет симметрично-равных направлений. Все направления здесь единичны. По числу единичных направлений все сингонии сгруппированы в три категории.
Вещества распределяются по 32 классам крайне неравномерно. Например, в классе №5 всего три элемента симметрии. Для минералов именно эта симметрия удобной и предпочтительной; в этом классе кристаллизуется почти половина всех минералов. А гораздо более симметричный класс №30 выбрали всего пять веществ для своих кристаллов.
Металлы почти все сосредоточены в двух классах симметрии №20 и №32.
Незыблемо строго установлено: симметрия любого кристалла может быть описана одним из 32 классов симметрии.
Глава 4. Простые формы и их комбинации в кристаллах различных сингоний
4.1 Распределение простых форм по сингониям и категориям
Простой формой называют совокупность граней, выводящихся друг из друга при помощи элементов симметрии. К одной простой форме относятся те грани, которые имеют одинаковые форму и размер.
Перебрав 32 комбинации кристаллографических формул с учетом теорем взаимодействия, находим, что в природе может существовать всего лишь 47 простых форм.
Названия большинства форм основаны на следующих древнегреческих словах:
-
1 - моно
5- пента
12-додека
2 –ди
6 – гекса
пинакэ - доска
3 – три
7 – гепта
эдр - грань
4 - тетра
8 - окта
гон - угол
Простые формы подразделяются на открытые (не замыкающие полностью пространство) – моноэдр, диэдр, пинакоид, призмы, пирамиды, и закрытые (полностью замыкающие пространство) – дипирамиды, ромбоэдр, трапецоэдры, куб, октаэдр, скаленоэдры, тетраэдры, додекаэдры и др.
Все простые формы распределяются по категориям и сингониям: для кристаллов низшей категории возможны 7 простых форм, средней – 25 и высшей – 15.
П ростые формы низшей категории (рис.4.1) - это:
М оноэдр – одна грань любой формы (в единственном числе)
П инакоид – две параллельные грани любой формы.
Диэдр – две драни, пересекающиеся под углом
Ромбическая призма – призма, в сечении которой ромб, грани параллельны главной оси симметрии
Пирамида ромбическая
Дипирамида ромбическая
Тетраэдр ромбический – четыре грани в форме разностороннего треугольника
Рисунок 4.1 – Простые формы низшей категории
Простые формы средней категории (табл. 4.1).
К средней категории относится 25 простых форм. Кроме того, в кристаллах средней категории встречаются еще 2 простые формы из низшей категории – моноэдр и пинакоид.
Таблица 4.1 - Простые формы средней категории
Сингония |
Тригональная |
Тетрагональная |
Гексагональная |
Главная ось |
L3 |
L4 ( ) |
L6 ( ) |
Характерное поперечное сечение (перпендикулярное главной оси) |
тригон дитригон |
тетрагон дитетрагон |
гексагон динексагон |
Призмы – грани параллельные главной оси симметрии. Кроме тригональной сингонии, они еще и попарно параллельны |
тригональная дитригональная |
тетрагональная дитетрагональная |
гексагональная дигексагональная |
Пирамиды – грани наклонены друг к другу и пересекают главную ось в одной точке |
тригональная дитригональная |
тетрагональная дитетрагональная |
гексагональная дигексагональная |
Дипирамиды – пирамиды, сложенные донышками |
тригональная дитригональная |
тетрагональная дитетрагональная |
гексагональная дигексагональная |
Трапецоэдры |
тригональный |
тетрагональный |
гексагональный |
Тетраэдр - верхняя грань расположена симметрично относительно двух нижних |
- |
тетрагональный ( ) |
- |
Ромбоэдр– сплюснутый или вытянутый вдоль оси L3 куб, верхняя грань расположена симметрично относительно двух нижних |
|
- |
- |
Скаленоэдры – грани пересекают главную ось в двух точках и нижняя пара граней расположена симметрично относительно двух пар верхних граней |
тригональный |
тетрагональный |
- |
Простые формы высшей категории (кубической сингонии) (рис. 4.2).
Рисунок 4.2 – Простые формы кубической сингонии
Из них различают исходные формы и производные. К исходным формам относят:
тетраэдр кубический (грани - 4 равносторонних треугольника);
гексаэдр (куб);
октаэдр (грани - 8 равносторонних треугольников);
ромбододекаэдр (12 граней в виде ромба);
пентагондодекаэдр (12 граней в виде пятиугольника).
Производные формы образуются из исходных путем надстраивания различных пирамид на гранях исходной формы, причем размножение исходной грани может происходить в 2, 3, 4 и 6 раз.
Надстраивание производных форм строятся следующим образом:
Тригонтритетраэдр:
тригон - форма новой грани, образовавшейся на исходной грани,
три – количество новых граней на одной исходной,
тетраэдр – название исходной формы.
Простые формы кубической сингонии легко определяются по количеству граней, относящихся к одному сорту:
если грани четыре, то это кубический тетраэдр
если таких граней шесть, то это куб
если их восемь – октаэдр.
Гексаоктаэдр (48 граней) – максимальное количество граней в природе.