- •Кристаллография и минералогия
- •Для студентов высших учебных заведений
- •Предисловие
- •Содержание
- •Введение
- •Основы кристаллографии
- •Глава 1. Аморфные и кристаллические вещества
- •Историческая справка о развитии геолого-минералогических наук. Закон Стенона
- •1.3 Аморфные и кристаллические вещества
- •1.4 Основные свойства кристаллов
- •Глава 2. Зарождение и рост кристаллов
- •2.1 Пути образования кристаллов
- •2.2 Выращивание кристаллов из растворов
- •Факторы, влияющие на облик кристаллов
- •Практическое значение кристаллизации растворов в технологии силикатов
- •2.5 Кристаллизация из расплавов и стекол
- •2.6. Промышленные методы выращивания кристаллов
- •Глава 3. Симметрия кристаллов и их классификация
- •3.1 Элементы симметрии
- •Р исунок 3.1 - Центр симметрии
- •3.2 Взаимодействие между элементами симметрии в кристалле
- •3.3 Классификация кристаллов
- •Глава 4. Простые формы и их комбинации в кристаллах различных сингоний
- •4.1 Распределение простых форм по сингониям и категориям
- •Расшифровка комбинированных форм
- •Глава 5. Установка кристаллов. Определение индексов граней
- •5.1 Понятие о кристаллографических символах
- •Установка кристаллов
- •5.3 Закон Гаюи
- •5.4 Практические рекомендации по определению кристаллографических символов
- •Глава 6. Стереографические проекции кристаллов
- •6.1 Принципы стереографического проектирования
- •6.2 Проектирование элементов симметрии кристаллов
- •Глава 7. Изучение пространственной решетки
- •7.1 Решетки Браве
- •7.2 Определение формульной единицы
- •7.3 Координационные числа и координационные многогранники
- •Глава 8. Плотнейшие упаковки
- •8.1 Понятие о кристаллохимическом радиусе
- •8.2 Виды плотнейших упаковок в структурах
- •8.3 Доля заполненных пустот
- •Глава 9. Типы физико-химических связей в кристаллах
- •9.1 Типы кристаллических структур
- •9.2 Металлический тип связи
- •9.3 Ионная или гетерополярная связь
- •9.4 Ковалентная (гомеополярная) или атомная связь
- •9.6 Водородная связь
- •9.7 Явление поляризации в кристаллических телах
- •Глава 10. Полиморфизм, изоморфизм
- •10.1 Определение полиморфизма, его типы
- •10.2 Примеры полиморфных переходов
- •10.3. Полиморфные превращения в системе SiO2
- •10.4 Понятие об изоморфизме
- •10.5 Виды изоморфизма
- •Глава 11. Главнейшие типы кристаллических структур
- •11.1 Способы моделирования кристаллов. Метод координационных полиэдров
- •11.2 Понятие о структурном типе
- •11.3 Примеры основных структурных типов
- •Тема 12. Кремнекислородные структуры
- •12.1 Особенности строения силикатов
- •12.2 Состав силикатов в виде структурных формул
- •12.3 Классификация силикатов по типу кремнекислородных группировок (радикалов, мотивов)
- •12.4 Особенности структур кварца, тридимита, кристобалита
- •Глава 13. Дефекты кристаллической решетки
- •13.1 Классификация дефектов кристаллической решетки
- •13.2 Нульмерные (точечные) дефекты
- •13.3 Линейные дефекты
- •13.4 Свойства дислокации
- •13.5 Влияние дислокации на скорость роста кристаллов
- •Минералогия
- •Глава 14. Минералогия. Свойства минералов
- •14.1 Наука «минералогия» и объекты ее исследования. Написание формул минералов
- •14.2 Морфология минералов
- •14.3 Явление двойникования и эпитаксии в реальных кристаллах
- •14.4 Физико-химические свойства минералов
- •Тема 15. Геологические процессы образования минералов
- •15.1. Классификация минералов и горных пород по генезису
- •15.2.Эндогенные процессы образования минералов и пород
- •15.3 Экзогенные процессы минералообразования
- •15.4 Метаморфические процессы минералообразования
- •Глава 16. Классификация минералов. Особенности различных классов минералов
- •16.1 Классификация минералов по с.Д. Четверикову
- •16.2 Класс самородных элементов
- •16.3 Сульфиды. Сульфаты
- •16.4 Галоидные соединения. Бораты. Фосфаты
- •16.5 Карбонаты. Нитраты
- •16.6 Оксиды и гидроксиды
- •Глава 17. Силикаты
- •Основные сведения о силикатах
- •17.2 Островные силикаты
- •17.3 Цепочечные и ленточные силикаты
- •17.4 Слоистые силикаты
- •17.5 Каркасные силикаты
- •Литература
9.4 Ковалентная (гомеополярная) или атомная связь
Осуществляется с помощью спаренных электронов. В образовании электронной пары принимают участие оба атома, отдавая по одному электрону.
Ковалентная связь строго направлена, её сила зависит от числа спаренных электронов и их энергетического уровня.
Число связей (или спаренных электронов) обусловлено стремлением атомов обрести устойчивую 8-ми электронную оболочку. Каждый атом связан с (8 – N) атомами, где N – порядковый номер его группы в таблице Менделеева.
Наиболее выраженную атомную связь имеют элементы 4-й группы: углерод, кремний, германий. Для структур характерны малые координационные числа, отсутствие плотнейших упаковок. Пример: структура алмаза с координационным числом 4, каждый атом углерода с 4-мя ближайшими атомами связан ковалентно. Все связи направлены по ребрам кубического тетраэдра.
Чем ниже в таблице Менделеева распложен атом 4-й группы, тем его тенденция к ковалентному типу связи ослабевает и усиливается тенденция к металлическому типу: C (ковалентная), Si (ковалентная), Ge (ковалентная) Sn (серое олово – ковалентная, белое олово – металлическая), Pb (металлическая).
Ковалентная связь очень прочная, поэтому кристаллы имеют высокие значения твердости (алмаз, карборунд), температуры плавления, проводимость колеблется в широких пределах: от хороших проводников до диэлектриков.
Очень часто связи бывают не чисто ионные или ковалентные, а имеют ионно-ковалентный характер.
Ковалентная связь образуется не только между однородными атомами, но и между разнородными. Например, элементы 3-й группы таблицы Менделеева (B, Al) соединяясь с элементами 5-й группы(N, P, As ) образуют полупроводниковые соединения типа А3В5, где А – катион, В – анион, 3,5 – индексы, которые соответствуют номеру столбца в таблице Менделеева.
В таких соединениях имеется доля ионной связи, которая рассчитывается по электроотрицательностям взаимодействующих атомов. При взаимодействии разнородных атомов существенна их способность захватывать или отдавать электроны, что характеризуется величиной называемой электроотрицательностью ,
где: I- потенциал ионизации – энергия, которую надо сообщить атому, чтобы оторвать внешний электрон;
Е – сродство к электрону, т. е. энергия присоединения.
Если электроотрицательности атомов равны или очень близки, то связи ковалентные, а если сильно отличаются то связи – ионные.
Так, кислородные соединения кремния содержат силоксановую связь Si – O, процент доли ионной связи, вычисленный по отношению электроотрицательностей ионов Si4+ и O2- составляет ≈ 50% , связи Al – O в α-Al2O3 – 41%, связи Ті – О в ТіО2 – 40%.
9.5 Ван-дер-ваальсовские (молекулярные) связи
Или, как их еще называют, остаточные связи действуют между электрически нейтральными молекулами. Возникновение их обусловлено образованием мгновенно меняющихся дипольных моментов между молекулами. В чистом виде такие связи наблюдаются у благородных газов, органических соединений, переходящих в кристаллическое состояние при очёнь низких температурах.
Эти связи значительно слабее ковалентных и ионных, но могут действовать на значительном расстоянии. Характерны обычно малые координационные числа.
Физические свойства молекулярных кристаллов: летучесть, легкоплавкость, низкие электро- и теплопроводность, небольшая твердость.
Пример: ромбическая сера.
Такая связь, в сочетании с другими видами, наблюдается в некоторых природных материалах, которые характеризуются наличием пакетов в структурах – монтмориллонит: Al2O3 4SiO2 H2O n H2O. В пакетах ионно-коваленая связь, а между пакетами ван-дер-ваальсовская.