- •Isbn 5-7629-0557-8 © cПбГэту "лэти",
- •Введение
- •Краткое описание работы программ
- •1. Метод Чохральского
- •2. Метод зонной плавки
- •1.2. Эффективный коэффициент распределения
- •1.3. Распределение примеси вдоль слитка при вытягивании кристаллов из расплава
- •1.4. Порядок выполнения работы
- •1.5. Содержание отчета
- •1.6. Контрольные вопросы и задания
- •2.2. Марки полупроводниковых материалов
- •2.3. Порядок выполнения работы
- •2.4. Содержание отчета
- •2.5. Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторная работа 3
- •Определение концентрации легирующих
- •И остаточных примесей и расчет их распределения
- •По длине кристалла
- •3.1. Расчет концентрации легирующей примеси
- •3.2. Расчет массы легирующей примеси
- •3.3. Определение выхода годного материала в пассивных методах выращивания кристаллов
- •3.4. Порядок выполнения работы
- •3.6. Содержание отчета
- •3.7. Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторная работа 4 мЕтод двойного капиллярного тигля
- •4.1. Общие сведения
- •4.2. Выращивание кристаллов методом двойного капиллярного тигля
- •4.3. Распределение примеси вдоль слитка в методе двойного капиллярного тигля
- •4.4. Порядок выполнения лабораторной работы
- •4.5. Содержание отчета
- •4.6. Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторная работа 5 зонная плавка
- •5.1. Метод зонной плавки
- •5.2. Распределение примеси вдоль слитка при зонной плавке
- •5.3. Зонная очистка (проход расплавленной зоны через однородный в среднем образец)
- •5.4. Проход легирующей зоны через чистый исходный образец
- •5.5. Метод целевой загрузки
- •При соблюдении условия (5.13) из выражения (5.12) получим:
- •5.6. Порядок выполнения работы
- •5.7. Содержание отчета
- •5.8. Контрольные вопросы и задания
- •Термодинамические характеристики германия и кремния и некоторых легирующих элементов
- •Параметры межатомного взаимодействия в твердой и жидкой фазах для некоторых бинарных систем на основе кремния и германия
- •Равновесные коэффициенты распределения k0 примесей в некоторых полупроводниках
- •Коэффициенты диффузии d [см2/с] основных легирующих примесей в расплавах германия и кремния при температуре плавления
- •Соотношение между удельным сопротивлением и концентрацией носителей заряда в кремнии п- и р-типа электропроводности
- •Продолжение таблицы 5
- •Окончание таблицы 5
- •Значение подвижности носителей заряда в кристаллах германия
- •Линейные коэффициенты испарения α [см/с] наиболее распространенных примесей в германии и кремнии
- •Физико-химические и электрические свойства важнейших полупроводников
- •Список рекомендуемой литературы
- •Технология полупроводниковых материалов
- •197376, С-Петербург, ул. Проф. Попова, 5
Физико-химические и электрические свойства важнейших полупроводников
|
Свойство |
Si |
Ge |
GaAs |
GaР |
InP |
|||||
|
Тип структуры |
Алмаз |
Алмаз |
Сфалерит |
Сфалерит |
Сфалерит |
|||||
|
Параметр решетки, нм |
0,5431 |
0,5658 |
0,5653 |
0,5451 |
0,5869 |
|||||
|
Плотность твердой фазы, г/см3 |
2,33 |
5,33 |
5,32 |
4,07 |
4,78 |
|||||
|
Плотность жидкой фазы, г/см3 |
2,53 |
5,62 |
5,71 |
4,60 |
5,15 |
|||||
|
Концентрация собственных атомов, см–3 |
5.1022 |
4,4.1022 |
2,2.1022 |
2,5.1022 |
2,0.1022 |
|||||
|
Атомная (молекулярная) масса, у. е. |
28,08 |
72,59 |
144,64 |
100,69 |
145,79 |
|||||
|
Температура плавления, °С |
1417 |
936 |
1238 |
1467 |
1070 |
|||||
|
Давление паров в точке плавления, Па |
– |
– |
1,0.105 As |
35.105 P |
25.105 P |
|||||
|
Кинематическая вязкость расплава, см2/с |
3,48.10–3 |
1,35.10–3 |
2.10–3 |
2.10–3 |
2.10–3 |
|||||
|
Ширина запрещенной зоны (300 К), эВ |
1,12 |
0,665 |
1,43 |
2,26 |
1,35 |
|||||
|
Собственная концентрация носителей заряда (300 К), см–3 |
.1010 |
2,5.1013 |
1,3.106 |
|
6,9.107 |
|||||
|
Подвижность электронов в беспримесном полупроводнике (300 К), см2/В.с |
1400 |
3900 |
9500 |
190 |
4600 |
|||||
|
Подвижность дырок в беспримесном полупроводнике (300 К), см2/В.с |
480 |
1900 |
450 |
120 |
150 |
|||||
Список рекомендуемой литературы
Таиров Ю. М., Цветков В. Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. Учебник для вузов. 3 изд. / Изд-во «Лань». СПб., 2003.
Крапухин В. В., Соколов И. А., Кузнецов Г. Д. Технология материалов электронной техники / МИСИС. М., 1995.
Справочник по электротехническим материалам: В 3 т. Т. 3 / Под ред. Ю. В. Корицкого, В. В. Пасынкова, Б. М. Тареева. Л.: Энергоатомиздат, 1988.
Технология и автоматизация производства материалов и изделий электронной техники: Учеб. пособие / Б. Л. Антипов, Н. А. Смирнова, Е. Л. Солодовникова, В. С. Сорокин; СПбГЭТУ. СПб., 1992.
Нашельский А. Я. Технология полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1981.
Мильвидский М. Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.: Наука, 1986.
СОДЕРЖАНИЕ
|
Введение |
3 |
|
Краткое описание работы программ |
4 |
|
Лабораторная работа 1. Легирование кристаллов при выращивании методом Чохральского |
6 |
|
Лабораторная работа 2. Легирование кристаллов при выращивании методом Чохральского в случае летучей примеси |
19 |
|
Лабораторная работа 3. Определение концентрации легирующих и остаточных примесей и расчет их распределения по длине кристалла |
27 |
|
Лабораторная работа 4. Метод двойного капиллярного тигля |
37 |
|
Лабораторная работа 5. Зонная плавка |
46 |
|
Приложение |
59 |
|
Список рекомендуемой литературы |
66 |
Александрова Ольга Анатольевна, Сорокин Валерий Сергеевич