- •Isbn 5-7629-0557-8 © cПбГэту "лэти",
- •Введение
- •Краткое описание работы программ
- •1. Метод Чохральского
- •2. Метод зонной плавки
- •1.2. Эффективный коэффициент распределения
- •1.3. Распределение примеси вдоль слитка при вытягивании кристаллов из расплава
- •1.4. Порядок выполнения работы
- •1.5. Содержание отчета
- •1.6. Контрольные вопросы и задания
- •2.2. Марки полупроводниковых материалов
- •2.3. Порядок выполнения работы
- •2.4. Содержание отчета
- •2.5. Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторная работа 3
- •Определение концентрации легирующих
- •И остаточных примесей и расчет их распределения
- •По длине кристалла
- •3.1. Расчет концентрации легирующей примеси
- •3.2. Расчет массы легирующей примеси
- •3.3. Определение выхода годного материала в пассивных методах выращивания кристаллов
- •3.4. Порядок выполнения работы
- •3.6. Содержание отчета
- •3.7. Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторная работа 4 мЕтод двойного капиллярного тигля
- •4.1. Общие сведения
- •4.2. Выращивание кристаллов методом двойного капиллярного тигля
- •4.3. Распределение примеси вдоль слитка в методе двойного капиллярного тигля
- •4.4. Порядок выполнения лабораторной работы
- •4.5. Содержание отчета
- •4.6. Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторная работа 5 зонная плавка
- •5.1. Метод зонной плавки
- •5.2. Распределение примеси вдоль слитка при зонной плавке
- •5.3. Зонная очистка (проход расплавленной зоны через однородный в среднем образец)
- •5.4. Проход легирующей зоны через чистый исходный образец
- •5.5. Метод целевой загрузки
- •При соблюдении условия (5.13) из выражения (5.12) получим:
- •5.6. Порядок выполнения работы
- •5.7. Содержание отчета
- •5.8. Контрольные вопросы и задания
- •Термодинамические характеристики германия и кремния и некоторых легирующих элементов
- •Параметры межатомного взаимодействия в твердой и жидкой фазах для некоторых бинарных систем на основе кремния и германия
- •Равновесные коэффициенты распределения k0 примесей в некоторых полупроводниках
- •Коэффициенты диффузии d [см2/с] основных легирующих примесей в расплавах германия и кремния при температуре плавления
- •Соотношение между удельным сопротивлением и концентрацией носителей заряда в кремнии п- и р-типа электропроводности
- •Продолжение таблицы 5
- •Окончание таблицы 5
- •Значение подвижности носителей заряда в кристаллах германия
- •Линейные коэффициенты испарения α [см/с] наиболее распространенных примесей в германии и кремнии
- •Физико-химические и электрические свойства важнейших полупроводников
- •Список рекомендуемой литературы
- •Технология полупроводниковых материалов
- •197376, С-Петербург, ул. Проф. Попова, 5
Окончание таблицы 5
|
п-тип |
р-тип |
||||||
|
ρ, Ом.см |
п, см–3 |
ρ, Ом.см |
п, см–3 |
ρ, Ом.см |
р, см–3 |
ρ, Ом.см |
p, см–3 |
|
5,8 |
8,37.1014 |
80 |
5,89.1013 |
5,6 |
2,32.1015 |
75 |
1,69.1014 |
|
6,0 |
8,08.1014 |
85 |
5,54.1013 |
5,8 |
2,24.1015 |
80 |
1,58.1014 |
|
6,2 |
7,81.1014 |
90 |
5,24.1013 |
6,0 |
2,16.1015 |
85 |
1,49.1014 |
|
6,4 |
7,56.1014 |
95 |
4,96.1013 |
6,2 |
2,09.1015 |
90 |
1,41.1014 |
|
6,6 |
7,33.1014 |
100 |
4,71.1013 |
6,4 |
2,03.1015 |
95 |
1,33.1014 |
|
6,8 |
7,11.1014 |
|
|
6,6 |
1,96.1015 |
100 |
1,26.1014 |
|
7,0 |
6,90.1014 |
|
|
6,8 |
1,90.1015 |
|
|
Таблица 6
Значение подвижности носителей заряда в кристаллах германия
|
Диапазон удельного сопротивления ρ, Ом.см |
Подвижность электронов μп , см2 /В.с |
Подвижность дырок μр, см2 /В.с |
|
0,1…0,23 |
1800 |
1300 |
|
0,24…0,49 |
2300 |
1400 |
|
0,50…0,89 |
2600 |
1500 |
|
0,90…2,40 |
3100 |
1600 |
|
2,50…5,90 |
3300 |
1760 |
|
6,00…15,9 |
3400 |
1760 |
|
16,0…45,0 |
3600 |
1760 |
Таблица 7
Линейные коэффициенты испарения α [см/с] наиболее распространенных примесей в германии и кремнии
|
Расплав |
Условия испарения |
P |
Sb |
As |
|
Кремний |
Вакуум |
5.10–4 |
3.10–5 |
– |
|
Инертный газ |
1.10–4 |
– |
– |
|
|
Германий |
Вакуум |
1,2.10–4 |
2,7.10–4 |
4,1.10–5 |
Tаблица 8