2011
Усикова М. А. Методы сверхлокального и селективного препарирования кремниевых интегральных схем.
Докторские
Пасынков В. В. Некоторые вопросы электротехники, решаемые с помощью полупроводников. 1955.
Холуянов Г. Ф. Электрические и оптические свойства электроннодырочных переходов и кристаллов карбида кремния и их применение в полупроводниковых приборах. 1967.
Волокобинский Ю. М. Исследование физических процессов в радиокерамике. 1970.
Яськов Д. А. Полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной. 1973.
Таиров Ю. М. Получение, исследование и применение полупроводникового карбида кремния. 1975.
Пихтин А. Н. Оптические явления в полупроводниковых твердых растворах А3В5. 1979.
Цветков В. Ф. Явление политипизма и физические принципы создания новых полупроводников на основе управления политипной структурой кристаллов. 1985.
Сорокин В. С. Термодинамика и кинетика жидкофазной гетеро-
эпитаксии твердых растворов А3В5. 1990.
Кузнецов В. В. Закономерности фазовых превращений при жидкостной гетероэпитаксии многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов. 1994.
Глинский Г. Ф. Экситоны и поляритоны в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами. 1995.
Мошников В. А. Локальные энергетические воздействия в исследовании и получении твердых растворов. 1997.
Афанасьев В. П. Структуры «сегнетоэлектрик – полупроводник»: свойства, технология, применение. 1997.
222
Лучинин В. В. Структура и формообразование микро- и наносистем на основе широкозонных материалов, обладающих полиморфиз-
мом. 1999.
Бестаев М. В. Халькогениды элементов четвертой группы: получение, исследование и применение. 1999.
Соломонов А. В. Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов и квантово-размерных структур. 1999.
Зубков В. И. Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых наногетероструктур. 2007.
Петров А. А. Гетерофазные границы раздела в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе. 2009.
Корляков А. В. Физико-технологические основы формирования базовых элементов микросистемной техники. 2010.
223
«ЧЕЛОВЕЧЕСКИЙ КАПИТАЛ» КАФЕДРЫ
224
225
226
227
228
229
230
Научное издание
Физика и технология микро- и наносистем
Под общей редакцией В. В. Лучинина
Редактор В. В. Малиновский
Оригинал-макет подготовлен коллективом кафедры микро- и наноэлектроники
СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
Подписано в печать 01.11.2011. Формат 70×100 1/16. Бумага офсетная. Печать офсетная. Печ. л. 15,0.
Гарнитура «Times New Roman». Тираж 250 экз. Заказ
Издательство «Русская коллекция» 199178, Санкт-Петербург, В. О., 13-я линия, д. 30, оф. 4
Отпечатано с готовых диапозитивов в типографии ЗАО «Электронстандарт–Принт»
196158, Санкт-Петербург, Московское ш., д. 23, корп. 1, лит. А