Учитывая высокую радиционную стойкость и высокотемпературность автоэмиссионной электроники, а также ее «импульсные» характеристики следует предположить, что карбид кремния в настоящее время по совокупности электрических, теплофизических параметров и устойчивости к внешним воздействиям, а также по достигнутой«технологичности» превосходит все активно исследуемые, в том числе и «модные» материалы.

Заключение

Авторы выражают благодарность всем сотрудникам кафедры микро- и наноэлектроники, НОЦ «Центр микротехнологии и диагностики» и НОЦ «Нанотехнологии» за их вклад в развитие в СПбГЭТУ «ЛЭТИ» технологии карбида кремния.

Освоение промышленного производства этого материала позволит перейти к серийному отечественному производству технически востребованной и коммерчески эффективной электронной компонентной базы нового поколения.

Достижение указанных целей обеспечит технологическую независимость и конкурентоспособность России в области создания наукоемкой техники нового поколения с ранее недостижимыми параметрами, режимами и условиями эксплуатации.

Работы выполнены при финансовой поддержке Минобрнауки РФ в рамках ФЦП«Исследования и разработки по приоритетным -на

правлениям развития научно-технологического комплекса России на

2007–2012 годы», госконтракт № 16.523.12.3004.

Список литературы

1.7 шагов к созданию бизнеса:Руководство заявителя. Государственная корпорация «РОСНАНО». М., 2008. С. 15.

2.Верма А. А., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кри-

сталлах. М.: Мир, 1969. С. 273.

3.Закономерность эволюции кристаллической структуры при синтезе веществ, обладающих множеством структурно-устойчивых состояний / А. А. Кальнин, В. В. Лучинин, Ф. Нойберт, Ю. М. Таиров //

ЖТФ. 1984. Т. 54. Вып. 7. С. 1388–1390.

83

4.Лучинин В. В., Таиров Ю. М. Гетероэпитаксиальиая композиция: редкий политип карбида кремния 2Н на изолирующей подложке: нитрид алюминия–сапфир // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. Вып. 14. С. 873.

5.Рост слитков карбида кремния политипа4Н на затравках с плоскостью (10-10) / Д. Д. Авров, А. В. Булатов, С. М. Дорожкин и др.

//ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 12. С. 1483–1487.

6.Tairov Yu. M.,Tsvetkov V. F. Investigation of growth processes of ingots of silicon carbide single crystals // J. Crystal Growth. 1978. Vol. 43. P. 209.

7.Методика эпитаксиального наращивания кубического карбида кремния на кремнии по технологии CVD / В. А. Ильин, А. В. Матузов, А. З. Казак-Казакевич, А. С. Петров // Известия вузов России. Материалы электронной техники. 2007. № 3. С. 22–26.

8.Ильин В. А., Матузов А. В., Петров А. С. Исследование процесса получения гетероэпитаксиальных структур3С-карбида кремния на подложках кремния// Известия вузов России. Материалы электронной техники. 2008. № 4. С. 31–34.

9.Пат. РФ №2395867 от 27.07.2010 / А. В. Матузов, А. В. Афа-

насьев, В. А. Ильин и др. Полупроводниковая сэндвич-структура 3СSiC/Si, способ ее получения и чувствительный элемент мембранного типа с ее использованием.

10.Корляков А. В., Костромин С. В. Низкотемпературная эпитаксия композиции SiC–AlN магнетронным распылением // Известия ГЭТУ. 1994. Вып. 471. С. 34–38.

11.Корляков А. В., Костромин С. В. Моделирование химического упорядочения при росте из двухкомпонентного молекулярного потока

//Известия ГЭТУ. 1996. Вып. 495. С. 96–102.

12.Пат. РФ № 2132583 от 27.07.99 / В. В. Лучинин, А. В. Корляков, С. В. Костромин. Способ управления процессом получения эпитаксиальной полупроводниковой структуры

13.Казак-Казакевич А. З., Корляков А. В., Костромин С. В. Процесс химического упорядочения при росте слоев карбида кремния// Из-

вестия ГЭТУ. 1993. Вып. 457. С. 37–41.

14.www.yole.fr

84

15. www.cree.com

16. Высоковольтные (3,3 кВ) JBS-диоды на основе4H-SiC / П. А. Иванов, И. В. Грехов, Н. Д. Ильинская и др. // ФТП. 2011. Т. 45.

№5. С. 677–681.

17.Бланк Т. В., Гольдберг Ю. А. Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра// ФТП. 2003. Т. 37. № 9. С. 1025–1054.

18.Эффект усиления фототока в МОП-структурахAu/SiO2/n-6H-

SiC с туннельно-тонким диэлектриком / И. В. Грехов, М. И. Векслер,

П. А. Иванов и др. //ФТП. 1998. Т. 32. № 9. С. 1145–1148.

19.Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Сресели О. М. Фотоответ и электролюминесценция структур «кремний – пористый кремний – химически осажденный металл» // ФТП. 2000. Т. 34. № 11. С. 1386–1390.

20.Особенности технологии и свойств фотодетекторов на основе структур «металл – пористый карбид кремния» / А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, Н. М. Коровкина и др. // ПЖТФ. 2005. Т. 31. № 15. С. 1–6.

21.Корляков А. В., Лучинин В. В. Перспективная элементная база микросистемной техники // Микросистемная техника. 1999. № 1. С. 12–15.

22.Пат. РФ 2163409, МПК H 01L21/3065 № 2000119226/28 от

21.07.2000 / В. В. Лучинин, А. В. Корляков, А. П. Сазанов, И. Г. Лютецкая. Способ микропрофилирования композиции «SiC–AlN».

23.Пат. РФ 2137249, МПК H 01L21/203 № 98105174/25 от

31.03.1998 / В. В. Лучинин, А. В. Корляков. Способ изготовления микромеханических приборов.

24.Корляков А. В., Лучинин В. В., Мальцев П. П. Микроэлектромеханические структуры на основе композиции«карбид кремния – нитрид алюминия» // Микроэлектроника. 1999. № 3. С. 201–212.

25.Микромеханические гироскопы: конструкции, характеристики, технологии, пути развития / Л. А. Северов, В. К. Пономарев, А. И. Панферов и др. // Известия вузов России. Приборостроение. 1998.

Т. 41. № 1–2. С. 57–73.

26.Корляков А. В., Лучинин В. В., Субботин О. В. Датчики давления на основе SiC для экстремальных условий эксплуатации// Из-

вестия ГЭТУ. 1998. Вып. 517. С. 115–120.

85

27.Получение текстурированных слоев нитрида алюминия для микромеханических актюаторов / А. М. Ефременко, А. В. Корляков, А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин // Вакуумная техника и технология. 2007. Т. 17. № 3. С. 189–198.

28.Корляков А. В. Сверхтонкие мембраны в микросистемной технике // Нано- и микросистемная техника. 2007. № 8. С. 17–26.

29.Корляков А. В., Лучинин В. В., Никитин И. В. Применение SiC-микронагревательных систем в микросистемной технике // Микроситемная техника. 2000. № 2. С. 27–31.

30.Инфракрасный микроизлучатель на основе пленочных структур «SiC на диэлектрике» / А. В. Корляков, С. В. Костромин, М. М. Косырева и др. // Оптический журнал. 2001. Т. 68. № 12. С. 109–114.

31.Микросенсор для контроля остаточного давления на основе

периодического теплового режима/ О. С. Бохов, А. П. Бройко, А. В. Корляков, В. В. Лучинин // Нано- и микросистемная техника . 2010. № 2. С. 14–17.

32.Пат. РФ 2165663 МПК H01L33/00 № 99114575/28 от

13.07.1999 / В. В. Лучинин, А. В. Корляков, С. В. Костромин, И. В. Никитин. Источник инфракрасного излучения.

33.Пат. РФ 2171467 МПК G 01N27/00 № 2000116849/28 от

30.06.2000 / В. В. Лучинин, А. В. Корляков, Т. М. Зимина, И. В. Никитин. Микрореактор для химического и генетического тестирования.

34.Пат. РФ 2193804 МПК H 01L27/00 № 2001128523/28 от

22.10.2001 / В. В. Лучинин, А. В. Корляков, И. В. Никитин. Полупроводниковый термомеханический микроактюатор.

86