выходами и 12 цифровыми входами/выходами. Передача данных осуществляется через порт USB 2.0, что позволяет подключать устройство к любому компьютеру или ноутбуку. Программирование выполнено в графической среде LabVIEW.

Рис. 10. Малогабаритный виртуальный прибор для измерений ВАХ, выполненный с использованием NI-USB-6009 [8]

Использование плат сбора данных, подобных блоку NI-USB-6009, дает возможность строить компактные виртуальные приборы для различных экспресс-измерений, позволяющие измерять токи и напряжения в приемлемом для современной электроники диапазоне. Реализуемая подобным образом технология виртуальных приборов символизирует переход от обычных приборов к измерительным системам на базе компьютера с соответствующим программным обеспечением.

Заключение

В статье изложены последние результаты по емкостной и адмиттансной спектроскопии наногетероструктур. Показано, что разработанная система комплексной диагностики электрофизических параметров полупроводниковых гетероструктур с одиночными и множественными квантовыми ямами на основе спектроскопии адмиттанса и численного моделирования с учетом квантово-механических эффектов дает -уни кальную количественную информацию о параметрах электронного спектра наноструктур.

139

Полученные количественные результаты и закономерности -по зволяют всесторонне характеризовать важнейшие параметры наногетероструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками и свидетельствуют о том, что спектроскопия адмиттанса является эффективным методом исследования таких квантово-размерных структур.

Список литературы

1.Диагностический комплекс спектроскопии адмиттанса в широком диапазоне температур для исследования гетероструктур: светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN / О. В. Кучерова, В. И. Зубков, Е. О. Цвелев, А. В. Соломонов // Тез. докл. 6-й Всеросс. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия– структуры и прибо-

ры» / Санкт-Петербург, 18–20 июня 2008 г. СПб.: ФТИ, 2008. С. 181–182.

2.Неразрушающая диагностика наногетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN методом температурной спектроскопии адмиттанса / О. В. Кучерова, В. И. Зубков, Е. О. Цвелев и др. // Заводская лаборатория. 2010. Т. 76. № 3. С. 24–28.

3.Зубков В. И. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса. СПб.: Изд-во «Элмор», 2007.

4.Зубков В. И. Емкостная спектроскопия – эффективный метод нанодиагностики квантово-размерных структур // Петербургский журнал электроники. 2006. № 4. С. 52–61.

5.Наблюдение локализованных центров с аномальным поведением

всветоизлучающих гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN / О. В. Кучерова, В. И. Зубков, А. В. Соломонов,

Д. В. Давыдов // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 3. С. 352–357.

6.Determination of band offsets in strained InGaAs/GaAs quantum wells by C–V-profiling and Schrödinger-Poisson self-consistent simulation / V. I. Zubkov, M. A. Melnik, A. V. Solomonov et. all // Phys. Rev. B. 2004. Vol. 70. № 7. P. 075312(1–8).

7.Зубков В. И. Моделирование вольт-фарадных характеристик гетероструктур с квантовыми ямами с помощью самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 10.

С. 1236–1240.

8.Зубков В. И. Компьютерные технологии в научных исследованиях. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2010.

140