Билет 57. Сопротивления эмиттерного и коллекторного переходов.

Основными величинами, характеризующими параметры биполярного транзистора, являются коэффициент передачи тока эмиттера α, сопротивление эмиттерного (r_э), и коллекторного (r_к), переходов, а также коэффициент обратной связи эмиттер – коллектор μ_эк.

Дифференциальным коэффициентом передачи тока эмиттера называется отношение приращения тока коллектора к вызвавшему его приращению тока эмиттера при постоянном напряжении на коллекторе: .

Сопротивление эмиттерного перехода r_э, определяется: .

Сопротивление коллекторного перехода r_к, определяется: .

Коэффициентом обратной связи μ_эк называется отношение приращения напряжения на эмиттере к приращению напряжения на коллекторе при постоянном токе через эмиттер:

.

Для коэффициента передачи α можно записать: ,

где – коэффициент инжекции, или эффективность эмиттера,

– коэффициент переноса.

Таким образом,  – доля полезного дырочного тока в полном токе эмиттера J_э, а коэффициент κ показывает долю эмиттерного дырочного тока, без рекомбинации дошедшего до коллекторного перехода.

Билет 58. Объемное сопротивление базы. Коэффициент обратной связи по напряжению. Тепловой ток коллектора.

Билет 59. Динамические параметры транзистора в схеме с ОЭ. Схема с ОК.

Билет 60. Выходные и входные характеристика транзистора по схеме с ОЭ. Эквивалентная схема.

Статистические характеристики транзистора при включении по схеме с ОЭ.

а). Выходные;

б). Входные.

Семейство коллекторных характеристик при работе транзистора в активном режиме U_k<0

Интегральный коэффициент передачи базового

тока (его связь с коэффициентом передачи

эмитерного тока):

Семейство коллекторных характеристик на основе коэффициента передачи базового тока:

.

Последним членом часто пренебрегают, по этому

Билет 61. Динамические параметры транзистора в схеме с ОЭ. Схема с ОК.

Коэффициент передачи базового тока:

Постоянная времени и граничная частота:

Эквивалентное сопротивление коллекторного перехода:

.

На низких частотах:

Билет 62. МДП транзистор. Структура и принцип работы. Типы. Режимы работы.

М ДП-транзистор – 4-хполюсный полупроводниковый прибор, состоящий из подложки с омическим контактом, высоколегированных областей стока и истока с омическими контактами на поверхности, тонкого слоя диэлектрика, неметалического электрода (затвор).

Схематическое изображение МДП-транзисторов с n-каналом (а) и p-каналом (б) (И-исток, З-затвор, С-сток)

Работа МДП-транзистора основана на эффекте поля, который заключается в модуляции проводимости приповерхностного слоя полупорводника между стоком и истоком под действием напряжения, подаваемого на затвор.

Проводящий слой под затвором инверсного по отношению к подложке типа проводимости, соединяющий области стока и истока, называется каналом. В зависимости от способа формированияканала и типа его проводимости различают 4 рсновных модификации МДП-транзисторов: р- и n-канальные, нормально закрытые (с индуцированным каналом) и нормально открытые (со встроенным каналом).

В нормально закрытых при нулевом напряжении Uзи канал отсутствует. В этом случае электрическая цепь сток-исток представляет собой 2 навстречу включенных p-n перехода. И ток в этой цепи равен обратному току закрытого p-n перехода сток-подложка (исток-подложка). Для протекания в цепи исток-сток рабочего тока стока Ic необходимо подать на затвор напряжение выше Uo (пороговое напряжение-напряжение при котором в подложке возникает иверсный слой(канал) с высокой проводимостью).

В нормально открытых канал существует при нулевом напряжении на затворе. Изменяя величину и полярность напряжения на затворе можно уменьшать и увеличивать проводимость канала. Напряжение, при котором канал исчезает, называется напряжением отсечки.

Режимы работы:

\\\Обогащения (Uзи>0, приповерхностная область обогащается электронами, энергетические зоны изгибаются вниз)

\\\Обеднения (Uзи<0, электроны вытесняются с поверх зоны в глубь подложки)

\\\Слабой инверсии (при дальнейшем увеличении отрицат смешения на затворе происходит инверсия проводимости полупроводника, но поверхностная концентрация дырок в инверсном слое значительно меньше концентрации электронов а объёме полупроводника. Поэтому проводимость инверсного слоя очень мала)

• Сильной инверсии (напряжение на затворе, при котором достигается граница сильной инверсии, называется пороговым. Сильный рост концентрации дырок в инверсном слое и возникновение канала).