ФОЭБ ЭВС

Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники: Учебное пособие. Юрай-издат:2009

Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учеб. Пособие для вузов / И.П. Степаненко. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2004. – 488 с.: ил. М.: Лаб. баз. знаний, 2004

Королёв М. А., Крупкина Т. Ю., М.А. Ревелева Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем, ч. 1 БИНОМ. Лаборатория знаний, 2007

Королёв М. А., Крупкина Т. Ю., Путря М. Г., Шевяков В. И. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем, ч. 2 БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009

Транзисторы: Лаб. Практикум по физике полупроводниковых приборов / Под ред. Ю.А. Парменова. – М.: МИЭТ, 2005.

Полупроводниковые диоды. Диоды Шоттки: Лаб. Практикум по физике полупроводниковых приборов /. Под ред. Ю.А. Парменова. – М.: МИЭТ, 2005.

Г.Я. Красников, Н.А. Зайцев Система кремний – диоксид кремния субмикронных СБИС. М.: Техносфера, 2003

Королев М.А., Ревелева М.А. Технология и конструкции интегральных микросхем, ч.1 М: МИЭТ, 2000

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

http://avnsite.narod.ru/physic/pp/teor_p2.htm

http://www.techno.edu.ru/db/msg/7457.html

№

Содержание

1. 1

Основы зонной теории. Классификация твердых тел на металлы, полупроводники и диэлектрики. Дырки-носители заряда в валентной зоне. Зонная структура основных полупроводников.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

2. 2

Примеси в полупроводниках. Уровень Ферми. Собственные и примесные полупроводники. Доноры и акцепторы.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

3. 3

Неравновесные носители заряда в полупроводниках. Время жизни. Модель Шокли-Рида-Холла.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

4. 4,5

Подвижность и коэффициент диффузии, соотношение Эйнштейна, длины диффузии и дрейфа. Механизмы рассеяния носителей заряда. Диффузно-дрейфовое приближение.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

5. 6,7

Образование p-n перехода, база диода. Зонная энергетическая диаграмма перехода. Распределение свободных носителей в переходе. Ступенчатые и линейные переходы. Токи, протекающие через p-n переход в состоянии равновесия. Принцип детального равновесия. Процессы, протекающие в переходе при прямом и обратном смещении

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

6. 8,9

Особенности ВАХ реального диода. Токи генерации и рекомбинации в p-n переходе. Омическое вырождение ВАХ диода. Температурная зависимость ВАХ диода. ТКН. ВАХ диода при высоком уровне инжекции. Пробой p-n перехода. Типы пробоя. Зависимость пробивного напряжения от температуры. Л.2., Л.7

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

7. 10,11

Структура, схемы включения и режимы работы биполярного транзистора. Транзисторный эффект. Усилительные свойства биполярного транзистора при различных схемах включения. Эквивалентная схема Эберса- Молла для идеального транзистора.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

8. 12,13

Уравнение Эберса –Молла. Основные статистические параметры идеального транзистора. Входные ВАХ идеального транзистора в схеме ОБ и ОЭ. Выходные ВАХ идеального транзистора в схеме ОБ и ОЭ. ВАХ идеального транзистора в схеме ОК.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

9. 14,15

ВАХ реального транзистора. Сопротивления тел коллектора и базы в схеме Эберса-Молла. Эффект Эрли и его отображение на эквивалентной схеме транзистора. Статистические параметры биполярного транзистора. Пробой коллекторного перехода. Прокол базы.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

10. 16,17

Структура и принцип работы МПД-транзистора. Физическая причина насыщения тока стока. Отсечка канала. Выходная ВАХ идеального МДП-транзистора в схеме ОИ. Проходная ВАХ идеального МДП транзистора. Типы транзисторов.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

№

Содержание

1. 1

Вольт-амперная характеристика биполярного диода

Программные продукты

Не предусматриваются

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

2. 2

Изучение пробойных явлений в полупроводниковым диоде.

Программные продукты

Не предусматриваются

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

3. 3

Вольт-амперная характеристика биполярного транзистора

Программные продукты

Не предусматриваются

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

4. 4

Вольт-амперная характеристика МДП-транзистора

Программные продукты

Не предусматриваются

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

№

Темы ЭМИРС

Используемый ПП

1. 1

Тест 1 «Физика полупроводников»

Windows, IE

2. 2

Тест 2 «Физика п/п приборов»

Windows, IE