- •Содержание
- •1. Геометрическая оптика Краткая теория
- •Обратимости светового луча;
- •Постулат Ферма, называемый принципом наименьшего времени:
- •2. Дисперсия и поляризация света Краткая теория
- •Интенсивность света, прошедшего через оба поляроида, будет
- •Задачи для самостоятельного решения
- •3. Интерференция и дифракция света Краткая теория
- •Интерференция в тонких пленках
- •Изображение колец Ньютона
- •4. Элементы квантовой оптики Краткая теория
- •Для серого тела
- •При этом условии средняя энергия осциллятора оказалась равной
- •Формула для массы фотона
- •5. Элементы квантовой физики. Принцип неопределенности гейзенберга. Краткая теория
- •Задачи для самостоятельного решения
- •6. Квантовые состояния. Уравнения шредингера. Краткая теория
- •Вопросы для самоподготовки
- •Задачи для самостоятельного решения
- •7. Атом водорода. Сериальные закономерности. Краткая теория
- •Задачи для самостоятельного решения
- •8. Элементы ядерной физики Краткая теория
- •Размер ядра характеризуется радиусом ядра, имеющим условный смысл ввиду размытости границ ядра.
- •Вопросы для самоподготовки
- •Задачи для самостоятельного решения
- •Приложения
- •Список использованной литературы
При этом условии средняя энергия осциллятора оказалась равной
Соответственно испускательная способность абсолютно черного тела
|
(4.13) |
где - квант энергии, - частота, - скорость света, - постоянная Больцмана, Т – абсолютная температура.
Квант энергии должен быть пропорционален частоте :
|
(4.14) |
где h - универсальная постоянная, получившая название постоянной Планка. Окончательное выражение формулы Планка для испускательной способности абсолютно черного тела имеет вид
|
(4.15) |
где h = - постоянная Планка, - частота, - скорость света, - постоянная Больцмана, Т – абсолютная температура.
Г. Герц обнаружил (1887), что при освещении отрицательного электрода искрового разрядника ультрафиолетовыми лучами разряд происходит при меньшем напряжении между электродами, чем в отсутствие такого освещения. Это явление, как показали опыты В. Гальвакса (1888) и А. Г. Столетова (1888 - 1890), обусловлено выбиванием под действием света отрицательных зарядов из металлического катода разрядника.
Схема экспериментов Столетова представлена на рис. 4.4.
Рис. 4.4.
Схема экспериментов Столетова
Плоский конденсатор, одной из обкладок которого служила медная сетка С, а в качестве второй — цинковая пластина D, был включен через гальванометр G в цепь аккумуляторной батареи Б. При освещении отрицательно заряженной пластины D светом от источника S в цепи возникал электрический ток, называемый фототоком. Сила фототока была пропорциональна освещенности пластины D. Освещение положительно заряженной обкладки С конденсатора не приводило к возникновению фототока. Тем самым было экспериментально доказано, что под действием света металл теряет отрицательно заряженные частицы. Измерения удельного заряда этих частиц по их отклонению в магнитном поле показали, что они представляют собой электроны. Явление вырывания электронов из твердых и жидких веществ под действием света получило название внешнего фотоэлектрического эффекта (внешнего фотоэффекта).
Ионизация атомов или молекул газа под действием света называется фотоионизацией.
Экспериментальным путем установлены следующие основные законы внешнего фотоэффекта:
I. Максимальная начальная скорость фотоэлектронов определяется частотой света и не зависит от его интенсивности.
II. Для каждого вещества существует красная граница фотоэффекта, т. е. минимальная частота света, при которой еще возможен внешний фотоэффект. Величина зависит от химической природы вещества и состояния его поверхности.
III. Число фотоэлектронов п, вырываемых из катода за единицу времени, пропорционально интенсивности света (фототок, насыщения пропорционален энергетической освещенности Е катода).
А. Эйнштейн развил квантовую гипотезу Планка. Анализируя флуктуации энергии излучения абсолютно черного тела, Эйнштейн доказал, что всю энергию излучения можно рассматривать сосредоточенной в отдельных порциях. Это позволило считать, что свет излучается, распространяется в пространстве и поглощается веществом в виде отдельных порций энергии — квантов электромагнитного излучения. Следовательно, распространение электромагнитного излучения нужно рассматривать не как непрерывный волновой процесс, а как поток локализованных в пространстве дискретных квантов, движущихся со скоростью с распространения света в вакууме. Эти кванты электромагнитного излучения были впоследствии названы фотонами. Для монохроматического излучения с частотой v все фотоны обладают одинаковой энергией, равной hv. Процесс поглощения света веществом сводится к тому, что фотоны передают всю свою энергию частицам этого вещества. Очевидно, что процесс поглощения света происходит прерывно как в пространстве, так и во времени.
Эти идеи Эйнштейна легли в основу квантовой теории света, которая позволила успешно объяснить законы фотоэффекта и многие другие оптические явления.
Рассмотрим с квантовой точки зрения внешний фотоэффект в металлах. Известно, что для выхода из металла электрон должен совершить работу выхода А. В результате поглощения фотона электрон приобретает энергию hv. Если hv A, то электрон может совершить работу выхода и вырваться из металла. В соответствии с законом сохранения энергии максимальная кинетическая энергия фотоэлектрона
|
(4.16) |
где - кинетическая энергия вырываемых фотоэлектронов, А – работа выхода электронов из соответствующего металла, - энергия электрона (h = - постоянная Планка, - частота).
Это уравнение впервые было предложено Эйнштейном и называется уравнением Эйнштейна для внешнего фотоэффекта.
В кристаллических полупроводниках и диэлектриках помимо внешнего фотоэффекта наблюдается внутренний фотоэффект, состоящий в том, что под действием облучения увеличивается электропроводность этих веществ за счет возрастания в них числа свободных носителей тока (электронов проводимости и дырок). Это явление часто называют еще фотопроводимостью.
Особый практический интерес представляет вентильный фотоэффект (фотоэффект в запирающем слое), состоящий в возникновении электродвижущей силы вследствие внутреннего фотоэффекта вблизи поверхности контакта между металлом и полупроводником или двумя полупроводниками р- и n - типа, обладающего односторонней проводимостью. Причина односторонней проводимости таких контактов, состоит в обеднении слоев полупроводников, прилегаюших к поверхности контакта, подвижными носителями заряда (электронами проводимости и дырками) света, пропорциональна его интенсивности, так как зависит от числа фотонов, падающих за единицу времени на единицу площади поверхности контактного слоя.
Фотоэффект широко используется в науке и технике для регистрации и измерения световых потоков, для непосредственного преобразования энергии света в энергию электрического тока, для преобразования световых сигналов в электрические. Приборы, действие которых основано на использовании фотоэлектрического эффекта, называются фотоэлементами.
До сих пор при объяснении квантовых оптических явлений мы использовали только одну характеристику фотона - его энергию . Помимо энергии фотон обладает также массой и импульсом (количеством движения).