Давыд Цуриков. Диссертация. 2015 г

151

Литература

1.Winkler R. Spin-orbit coupling effects in two-dimensional electron and hole systems. Berlin: Springer-Verlag, 2003. 194 p.

2.Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников. М.: Наука, 1978. 328 с.

3.Киттель Ч. Квантовая теория твёрдых тел. М.: Наука, 1967. 492 с.

4.Borisenko V.E., Ossicini S. What is What in the Nanoworld. Weinheim: Wiley-VCH, 2008. 522 p.

5.Biswas Sett S., Bose C. Field emission from finite barrier quantum structures // Phys. B. 2014. V. 450, P. 162–166.

6.Грэхем Р., Кнут Д., Паташник О. Конкретная математика. Основание информатики.

М.: Мир, 1998. 703 с.

7.Константинов О.В., Шик А.Я. Плазменные поверхностные состояния в полупровод-

никах // ЖЭТФ, 1970. Т. 58, С. 1662–1674.

8.Stern F. Iteration methods for calculating self-consistent fields in semiconductor inversion layers // J. Comput. Phys. 1970. V. 6. P. 56–67.

9. Stern F. Self-consistent results for n-type Si inversion layers // Phys. Rev. B, 1972. V. 5.

P.4891–4899.

10.Stern F. Quantum properties of surface space charge layers // Crit. Rev. Sol. St. Sci. 1974.

V.4, P. 499–514.

11.Pals I.A. Quantization effects in semiconductor inversion and accumulation layers // Phil. Res. Repts. Suppl. 1972. V. 7. P. 84.

12.Андо Т., Фаулер Ф., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. М.: Мир, 1985. 416 с.

13.Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984. 254 с.

14.Yafyasov A., Ivankiv I. Self-consistent quantum calculation of space charge region for accumulation and inversion band bending // Phys. Stat. Sol. (B). 1998. V. 208. I. 1. P. 41–49.

15.Yafyasov A.M., Ivankiv I.M., Bogevolnov V.B. Quantization of the free charge carriers on InSb at room temperature // Appl. Surf. Sci. V. 142. P. 629–632.

16.Wang L., Asbeck P.M., Taur Y. Self-consistent 1-D Schrödinger-Poisson solver for III-V heterostructures accounting for conduction band non-parabolicity // Sol.-St. Elec. 2010.

V.54. I. 11. P. 1257–1262.

17.Edmonds M.T., Pakes C.I., Ley L. Self-consistent solution of the Schrödinger-Poisson equations for hydrogen-terminated diamond // Phys. Rev. B. 2010. V. 81. I. 8. № 085314.

152

18.Davies J.H. The physics of low-dimensional semiconductors. Cambridge: Cambridge University Press, 1998. 438 p.

19.Цуриков Д.Е., Яфясов А.М. Дифференциальная ёмкость полупроводниковой плёнки //

ФТП. 2010. Т. 44. В. 10. С. 1336–1340.

20.Калиткин Н.Н. Численные методы. М.: Наука, 1978. 512 с.

21.Давыдов А.С. Квантовая механика. М.: Наука, 1973. 704 с.

22.Levinshtein M., Rumyantsev S., Shur M. Handbook series on Semiconductor Parameters. World Scientific Singapore–New Jersey–London–Hong Kong, 1999. V. 2. 200 p.

23.Mikhailova A.B., Pavlov B.S., Prokhorov L.V. Intermediate Hamiltonian via Glazman’s splitting and analytic perturbation for meromorphic matrix-functions // Math. Nachr. 2007.

V.280. I. 12. P. 1376–1416.

24.Pavlov B. A Solvable Model for Scattering on a Junction and Modified Analytical Perturbation Procedure // Operator Theory. Advanced and Applications. 2009. V. 197. P. 281–336.

25.Datta S. Electronic transport in mesoscopic systems. Cambridge: Cambridge University Press, 1999. 377 p.

26.Лесовик Г.Б., Садовский И.А. Описание квантового электронного транспорта с помо-

щью матриц рассеяния // УФН. 2011. Т. 181, № 10. С. 1041–1096.

27.Wulf U., Kucera J., Racec P.N., Sigmund E. Transport through quantum systems in the R- matrix formalism // Phys. Rev. B, 1998. V. 58. I. 24. P. 16209–16220.

28.Racec P.N., Racec E.R., Neidhardt H. R-matrix Formalism for Electron Scattering in Two Dimensions with Applications to Nanostructures with Quantum Dots. Trends in Nanophysics, Engineering Materials. Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2010. P. 149–174.

29.Berthod C., Gagel F., Maschke K. Dc transport in perturbed multichannel quantum wires // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. I. 24. P. 18299–18311.

30.Mizuta H. Three-dimensional scattering matrix simulation of resonant tunnelling via quasibound states in vertical quantum dots // Microelectron. J. 1999. V. 30. I. 10. P. 1007–1017.

31.Heinz F.O., Schenk A. Self-consistent modeling of longitudinal quantum effects in nanoscale double-gate metal oxide semiconductor field effect transistors // J. Appl. Phys. 2006. V. 100.

I.8. № 084314.

32.Adamyan A., Pavlov B., Yafyasov A. Modified Krein Formula and Analytic Perturbation Procedure for Scattering on Arbitrary Junction // Operator Theory. Advanced and Applications. 2009. V. 190. P. 3–26.

33.Bagraev N.T., Pavlov B.S., Yafyasov A.M. Resonance quantum switch: search of the working parameters // International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and De-

153

vices. September 3–5. 2003. Boston. USA. «Modeling and Simulation Issues in Strained Si MOSFET’s». P. 275–278.

34.Bagraev N.T., Mikhailova A.B., Pavlov B.S., Prokhorov L.V., Yafyasov A.M. Parameter regime of the resonance quantum switch // Phys. Rev. 2006. V. 71. P. 165308–165324.

35.Mello P.A., Kumar N. Quantum Transport in Mesoscopic Systems: Complexity and Statistical Fluctuations. Oxford: Oxford University Press, 2004. 401 p.

36.Smrčka L. R-matrix and the coherent transport in mesoscopic systems // Superlattices and Microstructures. 1990. V. 8. I. 2. P. 221–224.

37.Fraenkel A.A., Bar-Hillel Y., Levy A. Foundations of set theory. Elsevier Studies in Logic,

V.67, Ed. 2, revised, 1973. 412 p.

38.Hatano N. Distribution of Resonant Eigenvalues of Quantum Potential Scattering // eprint arXiv:0909.2463. 2009.

39.Xu H.Q. Electrical properties of three-terminal ballistic junctions // Appl. Phys. Lett. 2001.

V.78. I. 14. P. 2064–2066.

40.Shorubalko I., Xu H.Q., Maximov I., Omling P., Samuelson L., Seifert W. Nonlinear operation of GaInAs/InP-based three-terminal ballistic junctions // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79.

I.9. P. 1384–1386.

41.Xu H.Q. A novel electrical property of three-terminal ballistic junctions and its applications in nanoelectronics // Phys. E. 2002. V. 13. P. 942–945.

42.Xu H.Q., Shorubalko I., Maximov I., Seifert W., Omling P., Samuelson L. A novel device principle for nanoelectronics // Mater. Sci. Eng. C. 2002. V. 19. P. 417–420.

43.Csontos D., Xu H.Q. Quantum effects in the transport properties of nanoelectronic threeterminal Y-junction devices // Phys. Rev. B. 2003. V. 67. I. 23. № 235322. P. 2353221– 23532210.

44.Wallin D., Shorubalko I., Xu H.Q., Cappy A. Nonlinear electrical properties of three-terminal junctions // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. I. 9. № 092124.

45.Irie H., Diduck Q., Margala M., Sobolewski R., Feldman M. J. Nonlinear characteristics of T-branch junctions: Transition from ballistic to diffusive regime // Appl. Phys. Lett. 2008.

V.93. I. 5. № 053502.

46. Meng F., Sun J., Graczyk M., Zhang K., Prunnila M., Ahopelto J., Shi P., Chu J., Maximov I., Xu H.Q. Nonlinear electrical properties of Si three-terminal junction devices // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. I. 24. № 242106.

47.Palm T., Thylén L. Analysis of an electron-wave Y-branch switch // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. I.2. P. 237–239.

154

48.Palm T., Thylén L., Nilsson O., Svensson C. Quantum interference devices and field-effect transistors: A switch energy comparison // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. I. 1. P. 687–694.

49.Wesström J.-O. J. Self-gating effect in the electron Y-branch switch // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 82. I. 12. P. 2564–2567.

50.Forsberg E., Wesström J.-O. J. Self-consistent simulations of mesoscopic devices operating under a finite bias // Solid-State Electron. 2004. V. 48. I. 7. P. 1147–1154.

51.Heigl A., Wachutka G. Simulation of quantum-ballistic nanoswitches // J. Comput. Electron. 2007. V. 6. P. 97–100.

52.Jones G. M., Yang C. H. Quantum steering of electron wave function in an InAs Y-branch switch // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. № 073117.

53.Reitzenstein S., Worschech L., Hartmann P., Kamp M., Forchel A. Capacitive-coupling-

enhanced switching gain in an electron Y-branch switch // Phys. Rev. Lett. 2002. V. 89.

I.22. P. 2268041–2268044.

54.Hartmann D., Worschech L., Hofling S., Forchel A., Reithmaier J. P. Self-gating in an electron Y-branch switch at room temperature // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. I. 12. № 122109.

55.Palm T., Thylén L. Designing logic functions using an electron waveguide Y-branch switch // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. I. 10. P. 8076–8081.

56.Forsberg E. Reversible logic based on electron waveguide Y-branch switches. // Nanotechnology. 2004. V. 15. I.4. P. S298–S302.

57.Reitzenstein S., Worschech L., Hartmann P., Forchel A. Logic AND/NAND gates based on three-terminal ballistic junctions // Electron. Lett. 2002. V. 38. I. 17. P. 951–953.

58.Xu H.Q., Shorubalko I., Wallin D., Maximov I., Omling P., Samuelson L., Seifert W. Novel nanoelectronic triodes and logic devices with TBJs // IEEE Electron Device Lett. 2004.

V.25. I. 4. P. 164–166.

59.Wallin D., Xu H.Q. Electrical properties and logic function of multibranch junction structures // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. I. 25. № 253510. P. 1–3.

60.Blakemore J.S. Semiconducting and other major properties of gallium arsenide // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. № 10. P. r123–r181.

61.Хайкин С. Нейронные сети. Полный курс, 2-e изд. М.: Вильямс, 2006. 1104 с.

62.Kim R., M. Lundstrom. Notes on Fermi-Dirac Integrals // eprint arXiv:0811.0116. 2008.

63.Цуриков Д. Е., Яфясов А. М. Границы применимости асимптотических выражений для кейновского интеграла // Вестн. С.-Петерб. ун-та. Сер. 4. 2006. Вып. 2. C. 20–28.

64.Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. Теоретическая физика: в 10 т. Т. 5.

М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. 616 с.

155

65.Цуриков Д. Е. Графическое правило для термодинамических величин // Вестн. С.-

Петерб. ун-та. Сер. 4. 2010. Вып. 1. C. 161–163.

66.Гуртов В.А. Твердотельная электроника. М. 2005. 492 с.

67.Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 791 с.

68.Цуриков Д.Е., Яфясов А.М., Павлов Б.С. Эффект Рашбы в полубесконечном цилиндре: точное решение, спиновое вырождение // Вестн. С.-Петерб. ун-та. Сер. 4. 2008. Вып. 2. C. 17–26.

69.Цуриков Д.Е., Зубкова А.В., Яфясов А.М. Эффект Рашбы в кольце: структура энергетического спектра // Вестн. С.-Петерб. ун-та. Сер. 4. 2010. Вып. 1. C. 51–55.

70.Ларман К. Применение UML 2.0 и шаблонов проектирования. Практическое руководство, 3-е изд. М.: Вильямс, 2013. 736 с.

71.Страуструп Б. Язык программирования C++. Специальное издание. М.: Бином, 2011. 1136 с.

72.Рутковская Д., Пилиньский М., Рутковский Л. Нейронные сети, генетические алго-

ритмы и нечёткие системы. М.: Горячая линия – Телеком, 2006. 452 с.

73.Липпман С.Б., Лажойе Ж., My Б.Э. Язык программирования C++. Базовый курс, 5-е

изд. М.: Вильямс, 2014. 1120 c.