- •Теоретические основы электротехники. Теория электромагнитного поля Abstract
- •Введение
- •1. Основные понятия теории электромагнитного поля
- •1.1. Определение электромагнитного поля. Математический аппарат теории электромагнитного поля
- •1.2. Физические величины, характеризующие эмп
- •В соответствии с этим определением электрическая сила, действующая на точечный заряд q равна: , где e измеряется в в/м.
- •1.3. Источники электромагнитного поля
- •Пример применения matlab
- •1.4. Пространственные дифференциальные операторы в теории электромагнитного поля
- •Пример применения matlab
- •1.5. Основные законы теории электромагнитного поля Уравнения эмп в интегральной форме
- •Уравнения Максвелла для неподвижных сред
- •Соотношения между векторами поля и электрофизическими свойствами среды
- •Энергия электромагнитного поля
- •Примеры применения matlab
- •1.6. Граничные условия для векторов эмп. Закон сохранения заряда. Теорема Умова-Пойнтинга Граничные условия для векторов эмп
- •Закон сохранения заряда
- •Граничные условия для плотности тока
- •Теорема Умова-Пойнтинга
- •Пример применения matlab
- •2. Электростатическое поле
- •2.1. Основные уравнения электростатики
- •Граничные условия для векторов электростатического поля
- •Скалярный электрический потенциал. Краевая задача анализа электростатического поля
- •Если в расчетной области свободные заряды отсутствуют, то
- •Скалярная краевая задача электростатики в пакетах расширения matlab
- •Энергия системы заряженных проводников
- •Понятие о методе изображений
- •Фундаментальное решение уравнений Пуассона и Лапласа
- •2.2. Электростатические поля простых геометрических форм Поле электрического диполя
- •В результате получим
- •Окончательно получим
- •Расчёт и визуализация поля электрического диполя в системе matlab
- •Поле бесконечно длинной заряженной оси
- •2.3. Электростатические поля простых двухпроводных линий Поле двух разноименно заряженных осей
- •Поле и емкость параллельных цилиндров с несовпадающими осями
- •Поле и емкость системы цилиндр – плоскость
- •Поле и ёмкость двухпроводной линии
- •Поле и емкость двухпроводной линии с учетом влияния Земли
- •Систему уравнений (2) можно записать иначе
- •2.4. Распределение зарядов и потенциалов в системе заряженных проводников
- •3.2. Граничные условия для векторов электрического поля постоянного тока
- •3.3. Аналогия между электрическим полем постоянного тока в проводнике и электростатическим полем в диэлектрике
- •3.4. Электрическое поле в диэлектрике вблизи проводника с током
- •3.5. Электрическое поле в несовершенных изолирующих средах
- •3.6. Электрическое моделирование физических полей
- •4. Магнитостатическое поле
- •4.1. Основные законы магнитостатики Уравнения магнитостатического поля в интегральной и дифференциальной формах
- •Граничные условия для векторов магнитного поля
- •Векторные уравнения Пуассона и Лапласа
- •Краевая задача магнитостатики для неоднородных сред
- •Магнитное поле элемента тока
- •4.2. Интегральные параметры магнитостатического поля
- •Потокосцепление. Собственная и взаимная индуктивности
- •Вычисление взаимной индуктивности круглых и прямоугольных контуров в системе matlab
- •4.3. Частные случаи плоскопараллельных магнитных полей постоянных токов Распределение векторного потенциала в случае одиночного провода круглого сечения
- •Магнитное поле и индуктивность двухпроводной линии
- •Магнитное поле и индуктивность коаксиального кабеля
- •4.4. Магнитное поле цилиндрической катушки
- •Расчёт распределения напряжённости магнитного поля на оси многослойной цилиндрической катушки в системе matlab
- •4.5. Скалярная краевая задача анализа магнитостатического поля
- •4.6. Магнитное экранирование
- •4.7. Пространственные интегральные уравнения в магнитостатике
- •4.8. Мощность, передаваемая по двухпроводной линии постоянного тока
- •5. Переменное гармоническое электромагнитное поле
- •5.1. Основные уравнения электромагнитного поля в комплексной форме Гармоническое электромагнитное поле. Основные понятия и определения
- •Уравнения Максвелла в комплексной форме
- •Теорема Умова-Пойнтинга в комплексной форме
- •Используя соотношения (3) и (4), можно доказать, что
- •Теорема о единственности
- •5.2. Уравнения математической физики относительно потенциалов гармонического электромагнитного поля Комплексные параметры электрофизических свойств среды
- •Системы электродинамических потенциалов и уравнения математической физики для гармонического электромагнитного поля
- •Излучатель Герца
- •Элементарный магнитный излучатель
- •5.3. Частные приложения теории гармонического электромагнитного поля Понятие о поверхностном эффекте и эффекте близости
- •Плоская волна в однородном проводнике
- •Поверхностный эффект в проводящей пластине
- •Поверхностный эффект в круглом проводе
- •Заключение
5.3. Частные приложения теории гармонического электромагнитного поля Понятие о поверхностном эффекте и эффекте близости
Пусть электромагнитная волна проникает вглубь проводника через его граничную поверхность из окружающего диэлектрика. Тогда по мере проникновения волны в проводник часть ее энергии постепенно рассеивается в виде тепла. Вследствие этого амплитуды всех векторов ЭМП уменьшаются при проникновении вглубь проводника. Этот эффект убывания амплитуд векторов поля от поверхности проводника вглубь по направлению движения волны называется поверхностным эффектом, или скин-эффектом.
При поверхностном эффекте распределение индуцированной плотности тока носит преимущественно поверхностный характер в проводнике. Близость других проводящих тел также влияет на распределение плотности тока в проводнике. Это явление называется эффектом близости.
Плоская волна в однородном проводнике
Рассмотрим электропроводящее полупространство , на которое из диэлектрического полупространства z<0 набегает плоская гармоническая электромагнитная волна (рис. 1).
Рис. 1.
Уравнения ЭМП внутри проводника без учета токов смещения имеют вид:
; (1)
= const; =const
Из (1) следует, что ;(2)
Из (1) можно получить независимые уравнения математической физики отноcительно и.
; ;
Учитывая (2), получаем:
; ,
отсюда
; (3)
Если обозначить , то решение уравнений (3) можно записать в виде:
; ;
; ;
; .
Можно доказать, что
.
Волновое сопротивление проводящей среды имеет индуктивный характер. Величину называют глубиной проникновения ЭМП вглубь проводника. На этой глубине векторыизатухают по амплитуде или по действующему значению вe раз.
Поверхностный эффект в проводящей пластине
Рис. 2.
Пусть внешний источник ЭМП создает в пластине магнитный поток на единицу длины (рис. 2), тогда векторво всех точкахx будет иметь одну составляющую .
Будем считать, что , тогда в соответствии с уравнением (3)
;;
;
Во многих технических приложениях величину называют эффективной абсолютной магнитной проницаемостью пластины или пакета пластин.
–это тангенс угла магнитных потерь энергии в магнитопроводе, изготовленном в виде пакета пластин.
Применяя теорему Умова-Пойнтинга, можно доказать, что средняя объемная плотность мощности потерь энергии на вихревые токи при перемагничивании такого пакета равна
или
В более общем виде:
Это комплексная мощность, потребляемая единицей длины листа (в направлении оси y) шириной h (в направлении оси x), толщиной 2a.
Вычислительный сценарий расчёта поверхностного эффекта в плоской пластине
Ниже приведён текст вычислительного сценария расчёта поверхностного эффекта.
% PLASTINA - Расчёт гармонического электромагнитного полq в плоской проводqщей пластине
%
% Входные данные: mu - проницаемость; f - частота; gam - уд.проводимость;
% a - половина толщины пластины; h - ширина пластины;
% Fm - амплитуда магнитного потока.
if exist('mu','var'), smu=num2str(mu); else smu='100'; end
if exist('f','var'), sf=num2str(f); else sf='50'; end
if exist('gam','var'), sgam=num2str(gam); else sgam='1E7'; end
if exist('a','var'), sa=num2str(a); else sa='5E-4'; end
if exist('h','var'), sh=num2str(h); else sh='5E-2'; end
if exist('Fm','var'), sFm=num2str(Fm); else sFm='5E-6'; end
SS=inputdlg({'mu','f','gam','a','h','Fm'},...
'Ввод исходных данных',1,{smu,sf,sgam,sa,sh,sFm});
%[mu,f,gam,a,h,Fm]=eval(SS);
mu=eval(SS{1}); f=eval(SS{2}); gam=eval(SS{3}); a=eval(SS{4}); h=eval(SS{5}); Fm=eval(SS{6});
disp(['mu=',num2str(mu),'; f=',num2str(f),'; gam=',num2str(gam),'; a=',num2str(a),'; h=',num2str(h),'; Fm=',num2str(Fm)])
mu0=4e-7*pi;
om=2*pi*f;
p=sqrt(j*om*gam*mu0*mu);
muef=mu*tanh(p*a)/p/a % Эффективная комплексная магнитная проницаемость
tandm=-imag(muef)/real(muef) % Эффективный тангенс угла магнитных потерь
Bmsr=Fm/2/a/h % Среднее значение магнитной индукции по сечению пластины
Bmya=Bmsr*p*a/tanh(p*a) % Комплексная магнитная индукция на поверхности
Bmy0=Bmya/cosh(p*a) % То же в середине пластины
b=real(p);
dPv_dy=om*b*abs(Fm)^2/4/mu0/mu/h*(sinh(b*2*a)-sin(b*2*a))/(cosh(b*2*a)-cos(b*2*a))
% Здесь активная мощность тепловых потерь на единицу длины пластины