- •Введение
- •1. Основы молекулярно- кинетической теории (мкт).
- •1.1 Количественное выражение элементов системы.
- •1.2 Мкт газов.
- •1.3 Изопроцессы
- •1.4 Закон Авагадро.
- •1.5 Закон Дальтона.
- •1.6 Вероятный характер скорости хаотического движения.
- •1.7 Реальные газы
- •2 Термодинамика
- •2.1 Основные понятия и определения термодинамики.
- •2.2 Понятие о тд системах.
- •2.3 Законы начала термодинамики. Их использование.
- •2.4 Термохимия. Использование первого закона тд.
- •2.5 Закон Гесса.
- •2.6 Теплота образования
- •2.7. Теплота растворения
- •2.8 Теплота нейтрализации
- •2.9 Зависимость тепловых эффектов от температуры.
- •3 Второй закон термодинамики
- •3.1 Обратимые и необратимые процессы.
- •3.2 Характеристические функции тд систем.
- •3.3 Направление протекания процессов.
- •3.4 Химический потенциал
- •4.1 Закон действия масс. Константа равновесия.
- •4.2 Правило фаз
- •4.3 Общие представления о диаграммах состояния.
- •4.4 Однокомпонентные системы
- •4.5 Двухкомпонентные системы
- •4.6 Основные виды диаграмм состояния двухкомпонентных систем.
- •4.7 Термический анализ.
- •4.8 Фазовые переходы
- •5 Закон Рауля.
- •6 Физико-химические особенности процессов подготовки подложек при получении эс и микроэлектронных изделий
- •6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс
- •6.2. Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий
- •6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений
- •6.2.2. Классификация загрязнений
- •6.2.3. Источники загрязнений
- •6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий
- •6.3.1. Механические загрязнения
- •6.3.2. Металлические загрязнения
- •6.3.3. Микронеровности поверхности
- •6.3.4. Кристаллические дефекты
- •6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- •6.4.1. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
- •6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки
- •6.4.3. Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
- •6.5. Методы исследования состояния и характеристик поверхности подложек
- •6.5.1. Методы анализа частиц на поверхности пластин
- •6.5.2. Методы анализа органических загрязнений на поверхности пластин
- •6.5.3. Методы анализа металлических загрязнений на поверхности пластин
- •6.5.4. Методы исследования рельефа поверхности подложек
- •6.6. Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- •6.6.1. "Жидкостная" химическая обработка
- •6.6.2. Методы проведения "жидкостной" химической обработки
- •6.6.3. "Сухая" химическая обработка
- •6.7. Проблемы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- •6.7.1. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности Si пластин
- •6.7.2. Проблемы нежелательного формирования слоев оксида на поверхности кремниевых пластин
- •6.7.3. Органические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- •7. Физико-химические аспекты получения многослойных структур
- •7.1. Имплантация ионов водорода в кремниевые пластины
- •7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
- •7.3. Сращивание пластин, покрытых SiO2
- •7.4. Состояние сращенных пластин
- •7.5. Плоскостность пластин
- •7.6. Утончение сращенных пластин
- •7.7. Микродефекты сращенных структур
- •7.8. Радиационные свойства многослойных структур
- •7.9. Движение и залечивание пор на границе сращивания стандартных пластин кремния
- •7.9.1. Скорость движения пор, связанных с диффузионными потоками в объеме матрицы, в поле температурного градиента
- •7.9.2. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов на ее поверхности в поле температурного градиента
- •7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
- •7.9.4. Скорость движения пор в неоднородном поле напряжений при разных механизмах перемещения
- •7.9.5. Диффузионное движение пор вблизи границы кристалла, обусловленное поверхностной диффузией
- •7.9.6. Диффузионное движение пор под действием сил со стороны дислокаций
- •7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
- •7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения
- •7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
- •7.10.2 Осаждение слоев кремния на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей
- •8. Исследование физико-химических свойств многослойных структур
- •8.1. Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания
- •8.2. Исследование многослойных структур и материалов, используемых в процессе их производства эс, методами позитронной аннигиляционной спектроскопии
- •8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
- •8.2.2. Теория метода ураф и результаты исследований
- •8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
- •8.2.4. Исследование полупроводников методом пас
- •8.3. Исследование поверхности пластин
- •8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
- •8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
- •8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
- •Список литературы к главе 8
8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
В настоящее время накоплен обширный экспериментальный материал измерения КРП широкого круга поверхностей твердых тел различной природы (металлов, полупроводников, изоляторов) и структуры (моно- и поликристаллы), а также большого числа разных адсорбатов при различных температурах. В связи с этим в табл.8.2 и 8.3 приведены некоторые данные, из которых следует:
- потенциалы поверхностей одинаковой природы существенно отличаются при адсорбции на них различных молекул (табл.8.2);
- потенциалы поверхностей разных твердых тел близки, если на них адсорбируются молекулы воды (см. табл.8.3);
- имеет место корреляция характера изменения КРП с полярностью молекул (полярные молекулы снижают КРП).
Влияние адсорбции Н2О на величину КРП может быть различным. Эта адсорбция в зависимости от условий эксперимента может происходить в виде отдельных диполей (ассоциативная адсорбция), либо осложняться диссоциацией на фрагменты, имеющие дипольный момент, или образующие водородные связи.
Таблица 8.2. КРП поверхностей различных адсорбатов
Тип твердого тела |
Адсорбат |
Температура адсорбции, К |
Характер адсорбции |
КРП, В |
Al поликристалл |
Cl2 |
295 |
— |
-1,6 |
Al поликристалл |
O2 |
295 |
асс |
+0,2 |
Al поликристалл |
O2 |
473 |
дисс |
+0,4 |
Cu (111) |
O2 |
298 |
асс |
+0,125 |
Cu (100) |
O2 |
298 |
асс |
+0,39 |
Cu (110) |
O2 |
298 |
асс |
+0,675 |
Cu (100) |
I2 |
300 |
дисс |
-0,2 |
Si (100) |
O2 |
100 900 |
асс |
-0,3 |
Si (100) |
H2 |
100 900 |
асс |
-0,3 |
Примечание: асс – ассоциативная; дисс – диссоциативная.
Таблица 8.3. КРП поверхностей при адсорбции воды
Тип твердого тела |
Температура адсорбции, К |
Характер адсорбции |
КРП, В |
1 |
2 |
3 |
4 |
Fe (поликристалл) |
77 |
асс |
-0,97 |
Со (поликристалл) |
77 |
асс |
-1,20 |
Со (001) |
100 |
асс |
-1,20 |
Ag (110) |
80 |
асс |
-0,80 |
Ag (110) |
80 |
дисс |
-0,80 |
Al (100) |
100 |
асс |
-1,20 |
Al поликристалл |
298 |
асс |
-1,20 |
Ni поликристалл |
77 |
асс |
-1,10 |
Ni (110) |
150 |
асс |
-1,20 |
Cu поликристалл |
77 |
асс |
-0,73 |
Cu (110) |
90 |
асс |
-0,92 |
Ti поликристалл |
293 |
— |
-0,72 |
Au поликристалл |
77 |
асс |
-0,60 |
Au поликристалл |
298 |
асс |
-1,10 |
Au пленка |
298 |
— |
-0,60 |
Pt (111) |
100 |
асс |
-1,50 |
Pt (110) |
100 – 200 |
асс |
-1,0 |
Si (111) 7x7 |
298 |
асс |
-0,70 |
Si (100) |
100 – 900 |
асс |
-0,90 |
TiO2 (110) |
250 – 300 |
асс |
-1,10 |
На рис.8.13 приведен обобщенная зависимость КРП от степени покрытия поверхности молекулами Н2О (числа слоев n). Из рисунка следует, что адсорбция воды в пределах монослоя приводит к существенному снижению потенциала (до 1 В). Однако большое количество молекул Н2О, образующее полислои (либо покрытие ОН-группами, связанными водородными связями), приводит к росту КРП.
Данные, приведенные в табл.8.2, 8.3 и рис.8.13, указывают, что решающими моментами, определяющими потенциал поверхности, являются полярность молекул, из которых состоит поверхностная фаза, и ориентация молекул по отношению к поверхности. Молекулы (или их фрагменты), ориентированные нормально к поверхности, снижают работу выхода электрона (КРП) и, напротив, расположенные параллельно поверхности, приводят к увеличению КРП.
Рис.8.13. Зависимость КРП от числа слоев сорбированной Н2О
Важную роль играет также величина удельной поверхности. В случае плоской поверхности электронное облако внутри твердого тела не имеет резкой границы. Оно распространяется и на область вне поверхности, что приводит к перераспределению электронов в объеме вещества и к образованию около поверхности двойного слоя с отрицательным полюсом снаружи. Поэтому плотно упакованные кристаллические грани характеризуются высокими значениями работы выхода, а атомно-шероховатые или не плотноупакованные грани – низкими. При адсорбции на более развитой поверхности количество диполей в поверхностной фазе велико, что также снижает КРП (при постоянной площади измерительного зонда).
Вопросы для самопроверки:
1. Каким образом можно определить энергию связи прямого связывания пластин кремния
2. Изобразить зависимость поверхностной энергии от времени распространения трещин для пары пластин кремния
3. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
4. Рассказать особенности исследования полупроводников методом ПАС
5. Привести особенности методов исследования поверхности пластин
6. Охарактеризовать метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
7. Измерения контактной разности потенциалов подложек
8. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
9. Привести зависимость КРП от числа слоев сорбированной Н2О