- •Введение
- •1. Основы молекулярно- кинетической теории (мкт).
- •1.1 Количественное выражение элементов системы.
- •1.2 Мкт газов.
- •1.3 Изопроцессы
- •1.4 Закон Авагадро.
- •1.5 Закон Дальтона.
- •1.6 Вероятный характер скорости хаотического движения.
- •1.7 Реальные газы
- •2 Термодинамика
- •2.1 Основные понятия и определения термодинамики.
- •2.2 Понятие о тд системах.
- •2.3 Законы начала термодинамики. Их использование.
- •2.4 Термохимия. Использование первого закона тд.
- •2.5 Закон Гесса.
- •2.6 Теплота образования
- •2.7. Теплота растворения
- •2.8 Теплота нейтрализации
- •2.9 Зависимость тепловых эффектов от температуры.
- •3 Второй закон термодинамики
- •3.1 Обратимые и необратимые процессы.
- •3.2 Характеристические функции тд систем.
- •3.3 Направление протекания процессов.
- •3.4 Химический потенциал
- •4.1 Закон действия масс. Константа равновесия.
- •4.2 Правило фаз
- •4.3 Общие представления о диаграммах состояния.
- •4.4 Однокомпонентные системы
- •4.5 Двухкомпонентные системы
- •4.6 Основные виды диаграмм состояния двухкомпонентных систем.
- •4.7 Термический анализ.
- •4.8 Фазовые переходы
- •5 Закон Рауля.
- •6 Физико-химические особенности процессов подготовки подложек при получении эс и микроэлектронных изделий
- •6.1 Поверхностные явления при изготовлении ис, эс
- •6.2. Технология очистки подложек для производства микроэлектронных изделий
- •6.2.1. Важность снижения уровня загрязнений
- •6.2.2. Классификация загрязнений
- •6.2.3. Источники загрязнений
- •6.3. Влияние загрязнений на характеристики микроэлектронных изделий
- •6.3.1. Механические загрязнения
- •6.3.2. Металлические загрязнения
- •6.3.3. Микронеровности поверхности
- •6.3.4. Кристаллические дефекты
- •6.4. Механические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- •6.4.1. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
- •6.4.2. Удаление загрязнений с поверхности пластин в процессах химической обработки
- •6.4.3. Очистка поверхности подложек в перекисно-аммиачном растворе
- •6.5. Методы исследования состояния и характеристик поверхности подложек
- •6.5.1. Методы анализа частиц на поверхности пластин
- •6.5.2. Методы анализа органических загрязнений на поверхности пластин
- •6.5.3. Методы анализа металлических загрязнений на поверхности пластин
- •6.5.4. Методы исследования рельефа поверхности подложек
- •6.6. Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- •6.6.1. "Жидкостная" химическая обработка
- •6.6.2. Методы проведения "жидкостной" химической обработки
- •6.6.3. "Сухая" химическая обработка
- •6.7. Проблемы очистки поверхности полупроводниковых пластин
- •6.7.1. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности Si пластин
- •6.7.2. Проблемы нежелательного формирования слоев оксида на поверхности кремниевых пластин
- •6.7.3. Органические загрязнения на поверхности полупроводниковых пластин
- •7. Физико-химические аспекты получения многослойных структур
- •7.1. Имплантация ионов водорода в кремниевые пластины
- •7.2. Особенности технологии прямого сращивания подложек
- •7.3. Сращивание пластин, покрытых SiO2
- •7.4. Состояние сращенных пластин
- •7.5. Плоскостность пластин
- •7.6. Утончение сращенных пластин
- •7.7. Микродефекты сращенных структур
- •7.8. Радиационные свойства многослойных структур
- •7.9. Движение и залечивание пор на границе сращивания стандартных пластин кремния
- •7.9.1. Скорость движения пор, связанных с диффузионными потоками в объеме матрицы, в поле температурного градиента
- •7.9.2. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов на ее поверхности в поле температурного градиента
- •7.9.3. Скорость перемещения пор за счет диффузии атомов в объеме в поле температурного градиента
- •7.9.4. Скорость движения пор в неоднородном поле напряжений при разных механизмах перемещения
- •7.9.5. Диффузионное движение пор вблизи границы кристалла, обусловленное поверхностной диффузией
- •7.9.6. Диффузионное движение пор под действием сил со стороны дислокаций
- •7.9.7. Рекристаллизация, спекание и залечивание пор
- •7.10. Пористый кремний в технологии прямого соединения
- •7.10.1. Теория и экспериментальные исследования заращивания пористых слоев
- •7.10.2 Осаждение слоев кремния на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей
- •8. Исследование физико-химических свойств многослойных структур
- •8.1. Определение энергии связи прямого связывания пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания
- •8.2. Исследование многослойных структур и материалов, используемых в процессе их производства эс, методами позитронной аннигиляционной спектроскопии
- •8.2.1. Сущность и особенности методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
- •8.2.2. Теория метода ураф и результаты исследований
- •8.2.3. Определение концентрации электронов np в зоне проводимости металлов
- •8.2.4. Исследование полупроводников методом пас
- •8.3. Исследование поверхности пластин
- •8.3.1. Метод масс-спектрометрического исследования процесса термодесорбции с поверхности кремниевых пластин
- •8.3.2. Измерения контактной разности потенциалов подложек
- •8.3.3. Влияние адсорбции на электронные свойства поверхности твердых тел
- •Список литературы к главе 8
2.7. Теплота растворения
В большинстве случаев растворение представляет собой наложение двух процессов физического и химического т.к. при этом происходит равномерное распределение частиц растворяемого вещества среди частиц растворителя, и в то же время эти частицы вступают во взаимодействие с частицами растворителя.
Растворение газов всегда сопровождается выделением тепла.
Жидкости растворяются большей частью с выделением тепла. Например: растворение кислот в воде, спиртов в воде, оксидобензола в кислоте и т.д. А, например, растворение жидкого сероуглерода в спирте, в эфире, в воде, уксусной и др. кислотах сопровождается поглощением тепла. Т.е. среди жидкостей есть исключения.
Растворение солей, как правило, сопровождается выделением тепла если они способны вступать в химическое взаимодействие с растворителем и образовывать сольваты (гидраты при растворении в воде). Например, растворяется в воде хлористый кальций, йодистый барий, сульфаты натрия, меди и др. с выделением тепла. А соли не дающие при растворении сольватов, а также сами сольваты растворяются с поглощением теплоты.
Знак теплового эффекта, очевидно, определяется тем, какой из процессов преобладает при растворении:
разрушение структуры вещества сопровождается поглощением тепла;
процесс сольватации связан с выделением тепла.
Количественное соотношение растворенного вещества и растворителя имеет большое значение для определения теплоты образования растворов разного состава из одних и тех же ингредиентов (компонентов).
Теплотой растворения (ТР) принято называть количество теплоты выделяемой или поглощаемой при растворении 1 моля вещества в таком количестве растворителя, при котором дальнейшее прибавление растворителя уже не вызывает изменения температуры раствора.
Обычные табличные значения теплот растворения относятся к растворению 1 моля вещества в 200-400 молях растворителя (не менее).
Термохимические уравнения в случае образования водных растворов записываются следующим образом:
HCl+a*q= HCl*a*q+18.5 Ккал.
KOH+a*q=KOH*a*q+13.0 Ккал.
NH4OH+a*q=NH4OH*a*q-6.0 Ккал.
a*q-растворитель (водный).
Зная теплоту растворения безводной соли и ее кристаллогидратов можно, например, определить теплоту образования кристаллогидратов. Так, например опытом установлено:
Na2CO3+a*q=Na2CO3*a*q+6 Ккал.
Na2CO3*10Н2O+a*q= Na2CO3*a*q-16 Ккал.
Следовательно, по закону Гесса, разность теплот обоих процессов соответствует ТО кристаллогидрата соды:
Na2CO3+10Н2O= Na2CO3*10Н2O+22 Ккал.
2.8 Теплота нейтрализации
Согласно теории электролитической диссоциации молекулы электролитов, т.е. солей, кислот и оснований обладают способностью диссоциировать в растворе на ионы. Причем сильные электролиты распадаются нацело.
Пример: KCl=K++Cl-
HCl=H++Cl-
NaOH=Na++OH-
Вода почти не диссоциирует на ионы, поэтому нейтрализацию едкого калия с соляной кислотой
HCl+KOH=KCl+H2O.
В ионной форме:
H++Cl-+K++OH-=K++Cl-+H2O.
Иначе говоря, принимая во внимание неизменность ионов K+ и Cl- стоящих в левой и правой частях уравнения получим сокращенное ионное уравнение:
H++ OH- = H2O.
По аналогии взаимная нейтрализация сильных оснований и кислот состоит в нейтрализации ионов H- и OH- , а следовательно тепловой эффект всех подобных реакций должен быть одинаковым. Точные опыты показали, что количество теплоты выделяющейся при нейтрализации сильных оснований с сильными кислотами во всех случаях практически одинаково и равно теплоте образования воды и следующих ионов:
LiOH+HCl=LiCl+H2O+13,7 Ккал.
KOH+HNO3= KNO3+ H2O+13,7 Ккал.
NaOH+HCl=NaCl+H2O+13,7 Ккал.
Т.е. H++ OH- = H2O+13,7 Ккал.