- •4. Загальна класифікація матеріалів електронної техніки.
- •5. Тверді розчини. Системи з необмеженою розчинністю в твердому стані.
- •7. Механізм і кінетика росту кристалів з рідкої і твердої фаз.
- •9. Обмежені тверді розчини. Діаграми стану двокомпонентних систем з обмеженими твердими розчинами евтектичного типy.
- •10. Обмежені тверді розчини. Діаграми стану двокомпонентних систем з обмеженими твердими розчинами перитектичного типy.
- •11. Фізико-хімічні принципи легування матеріалів з різним типом хімічного зв’язку. Методи легування кристалів.
- •12. Методи вирівнювання складу кристалів ( активні і пасивні
- •13. Особливості легування склоподібних напівпровідників
- •14.Хімічний склад металевих сплавів високого опору, фізичні і хімічні властивості та використання в електроніці.
- •15.Технологічний процес одержання, характерні фізичні властивості та застосування кремнію.
- •16. Методи вирощування кристалів. Рекристалізація і перекристалізація.
- •17. Методи вирощування кристалів. Нормально напрямлена кристалізація розплаву. Метод Чалмерса,
- •18. Метод вирощування кристалів Чохральського
- •19.Провідникові матеріали на основі окислів металів, технологія, фізичні властивості і застосування.
- •20. Методи вирощування кристалів. Нормально напрямлена кристалізація розплаву. Методи Бріджмена, Бріджмена-Стокбаргера.
- •21. Трьохкомпонентні і багатокомпонентні системи. Зображення складу трьохкомпонентних систем. Трикутник Гіббса. Загальний метод зображення діаграми стану багатокомпонентних систем.
- •22. Тугоплавкі провідникові метали. Порошкова технологія та особливості виготовлення електротехнічних елементів на основі тугоплавких металів і їх застосування.
- •23. Піроелектричний ефект, матеріали піроелектрики і їх застосування в електроніці.
- •24. Технологічний процес одержання, характерні фізичні властивості та застосування германію.
- •25. Технологія алюмінію, фізичні властивості, промислові марки та застосування в електроніці
- •26. Фізико-хімічні основи процесів очистки та розділення сировинних компонент. Сорбційні методи очистки.
- •27. Вплив зовнішніх факторів на властивості матеріалів. Пластична деформація і термічна обробка металів і напівпровідників.
- •28. Класифікація провідникових матеріалів по типу і величині провідності, хімічному складу, температурі плавлення.
- •29. Аморфні матеріали: метали, напівпровідники, діелектрики. Халькогенідні склоподібні напівпровідники. Аморфний гідрогенізований кремній
- •32. Матеріали для твердотілих лазерів. Вимоги до активатора і матеріалу пасивного діелектрика. Будова робочого тіла yag лазерів
- •33. Двокомпонентні системи конденсованого типу. Діаграми стану з утворенням хімічної сполуки.
- •35. Одержання кристалів з рідких та твердих розчинів. Методи одержання кристалів з газової фази.
- •36. Фізико-хімічні основи процесів очистки та розділення сировинних компонент. Методи, які базуються на перегонці через газову фазу.
- •38. Ректифікація.
- •39. Нанокристалічні і наноструктуровані матеріали. Властивості і використання.
- •40. Електрети. Технологія властивості і застосування.
- •41. Полімерні електроізоляційні матеріали.
- •42. П’єзоелектричні кристали: характерні властивості, матеріали і застосування.
38. Ректифікація.
Ректифікація– розділення рідких сумішей, що містять два або кілька компонентів різної питомої ваги, багаторазовим випаровуванням суміші й конденсацією пари.
Принцип дії та апаратурне оформлення
Рушійна сила Р. – різниця між фактичними і рівноважними концентраціями компонентів у паровій фазі, що відповідають складу рідкої фази.
Для Р., як правило, використовують колонні апарати, що дозволяє реалізувати багаторазовий контакт між потоками рідкої і газоподібної фаз.
Застосування[ред. код]
Застосовують у хімічній, нафтовій, спиртовій промисловості, а також для розділення ізотопів, виділення індивідуальних речовин тощо.
39. Нанокристалічні і наноструктуровані матеріали. Властивості і використання.
Наноматеріали (НМ) — це практично будь-які об’єкти, речовини або їх композиції, розміри структурних елементів яких знаходяться в «нанодіапазоні» (від 1 до 100 нм) і призначені для виробництва, виготовлення виробів, корисних людині. Ці матеріали з незвичайною атомно-кристалічною решіткою та унікальними властивостями називають також ультрадисперсними матеріалами (УДМ), ультрадисперсними системами (УДС), або наноструктурованими матеріалами (НСМ). Уперше термін «НСМ» був уведений у 1981 р. одним із провідних розробників Н. професором Гербертом Гляйтером (Herbert Gleiter).
Способи отримання Н. можна розподілити на дві групи: «збірник з атомів» та «диспергування макроскопічних матеріалів».
За геометричними ознаками Н. можна розділити на нольмірні атомні кластери та частки, одно- і двомірні мультишари, покриття та ламінарні структури, тривимірні об’ємні нанокристалічні та нанофазні матеріали. До цієї групи належать також «нано-нано» композити, які містять більше ніж одну фазу, але всі фази разом менші за 100 нм. За складом Н. поділяють на неорганічні (кераміка, метали і сплави), органічні (у тому числі полімерні й біологічні наноструктури), а також органо-неорганічні (у тому числі метал-органічні та метал-полімерні).
Наноструктурованими бувають однокомпонентні матеріали, що кристалізуються, напр., метали або жорстколанцюгові полімери. Подібні речовини, в яких кристалічні зерна поділені аморфними прошарками або дефектами решітки (дислокаціями), називають нанокристалічними. За фазовим станом вони поділяються на: однофазні (нанокристаліти, розділені міжкристальними кордонами, кристал із нанорозмірними дефектами (порами), острівкові плівки тощо); двофазні однокомпонентні системи (аморфно-кристалічні, мікродоменні сополімерні структури). Переважна більшість Н. містить два або більше компонентів і має назву «нанокомпозити»
Виняткові властивості Н. і можливості супермініатюризації пристроїв на їх основі зумовлюють перспективи широкого їх застосування у галузях цифрової електроніки, телекомунікаціях, технологіях перетворення та збереження енергії тощо, які швидко розвиваються.
Особливе значення Н. мають для медицини та фармації. Їх мізерний розмір дозволяє нанопристроям проникати в будь-які важкодоступні ділянки людського тіла. Це дає величезні можливості використання Н. при створенні нанопристроїв і наноліків, перспективних для: ранньої діагностики захворювань; цільової доставки ЛП; відновлення ушкоджених органів і тканин; лікування тяжковиліковних захворювань; дезінфекції, детоксикації тощо.
Наноструктурны матеріали-це штучні матеріали, у яких необхідназонная структура забезпечується вибором речовин, у тому числі виготовляються окремі верстви,толщинами верств, зміною зв'язок між верствами. Ці підходи дополупроводниковим наноструктур дозволили створити лазери близького і далекогоИК-диапазона,фотоприемники, високочастотні транзистори із високим рухливістю електронів,одноелектронние транзистори, різноманітних сенсори. Поруч із напівпровідниковиминаноструктурами застосовуються і альтернативні наноматеріали: магнітні наноструктури, молекулярні наноструктури, фотонні кристали,фуллереноподобние матеріали, конструкційні наноматеріали.