- •ВВЕДЕНИЕ
- •§1. Краткие сведения по квантовой механике
- •§2. Уравнение Шредингера
- •§3. Энергетические состояния электронов в водородоподобных системах
- •РАЗДЕЛ 1. ОСНОВЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
- •1.1. Полупроводники
- •Энергетические (зонные) диаграммы полупроводников.
- •Уровень Ферми
- •Физические процессы в полупроводниках
- •Беспримесный полупроводник.
- •Процесс генерации пар зарядов.
- •Примеси в полупроводниках.
- •Дырочный полупроводник (р-типа).
- •1.2 Типы рекомбинации
- •1.3. Электронно-дырочный переход.
- •§1. Классификация. Методы изготовления.
- •§2. Свойства р-n-перехода.
- •Р-n-переход при прямом включении.
- •P-n-переход при обратном включении
- •Учет дополнительных факторов, влияющих на вольт-амперную характеристику диода. Пробой.
- •РАЗДЕЛ 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
- •2.1. Полупроводниковые диоды
- •§ 1. ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ.
- •§2. ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 3. ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 4. СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 5. СТАБИЛИТРОНЫ.
- •§ 6. ВАРИКАПЫ.
- •§ 8. ОБРАЩЕННЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 9. РАБОЧИЙ РЕЖИМ ДИОДА.
- •2.2. Биполярные транзисторы
- •§ 1. Общие сведения. Устройство.
- •§ 2. Физические процессы, протекающие в VT. Токи VT.
- •§3. Основные схемы включения транзисторов.
- •§4 Влияние температуры на статические характеристики VTа.
- •§5 Эквивалентные схемы замещения транзистора.
- •§6 Представление транзистора в виде четырехполюсника и системы статистических параметров.
- •§7 Эл. пар-ры, классификация и система обозначений VTов.
- •2.3 Полевые транзисторы
- •§1. Полевые транзисторы с управляющим переходом.
- •§2. Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
- •§3. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •2.4. Тиристоры (VS)
- •§ 1. Принцип действия.
- •§ 2. Математический анализ работы тиристора (не нужно).
- •§ 3. Вольт – амперная характеристика тиристора.
- •§ 4. Типы тиристоров.
- •§ 5. Особенности работы и параметры тиристоров.
- •2.5. Оптоэлектронные полупроводниковые приоры.
- •Полупроводниковые излучатели
- •Фотоприемники (общие сведения)
- •Фоторезисторы
- •Фотодиоды
- •Фотоэлементы
- •Фототранзисторы
- •Фототиристоры
- •Оптроны
- •2.6. Интегральные микросхемы
- •РАЗДЕЛ 3. УСИЛИТЕЛИ
- •§1. Анализ процесса усиления электрических сигналов
- •§2. Работа УЭ с нагрузкой.
- •Динамические х-ки.
- •Нагруз. линии У и их построение.
- •Сквозная характеристика У на биполярном VT.
- •§3. Стр - рная схема У. Классификация У.
- •Общие сведения.
- •Классификация У.
- •§4 Основные параметры и характеристики усилителей.
- •§5 Обратная связь в усилителях.
- •Режимы работы УЭ.
- •РАЗДЕЛ 4. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
- •Общие сведения
- •Инвертирующий усилитель
- •Интегратор
- •Содержание
|
|
|
|
|
Содержание |
|
ВВЕДЕНИЕ .............................................................................................................. |
1 |
|||||
§1. |
|
Краткие сведения по квантовой механике.............................................. |
2 |
|||
§2. |
|
Уравнение Шредингера ............................................................................ |
7 |
|||
§3. |
|
Энергетические состояния электронов в водородоподобных |
|
|||
системах............................................................................................................. |
9 |
|||||
РАЗДЕЛ |
1. ОСНОВЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ............................... |
13 |
||||
1.1. |
Полупроводники ...................................................................................... |
13 |
||||
|
Энергетические (зонные) диаграммы полупроводников...................... |
13 |
||||
|
Уровень Ферми .......................................................................................... |
14 |
||||
|
Физические процессы в полупроводниках ............................................. |
15 |
||||
|
Беспримесный полупроводник. ............................................................... |
15 |
||||
|
Процесс генерации пар зарядов. .............................................................. |
16 |
||||
|
Примеси в полупроводниках.................................................................... |
18 |
||||
|
Электронный полупроводник (n-типа) ................................................... |
18 |
||||
|
Дырочный полупроводник (р-типа). ....................................................... |
19 |
||||
1.2 |
|
Типы рекомбинации ................................................................................. |
21 |
|||
1.3. |
Электронно-дырочный переход............................................................. |
23 |
||||
|
§1. |
|
Классификация. Методы изготовления. ........................................... |
23 |
||
|
§2. |
|
Свойства р-n-перехода........................................................................ |
24 |
||
|
Р-n-переход при прямом включении....................................................... |
26 |
||||
|
P-n-переход при обратном включении.................................................... |
28 |
||||
|
Учет дополнительных факторов, влияющих на вольт-амперную |
|
||||
|
характеристику диода. Пробой. ............................................................... |
29 |
||||
|
Импульсные свойства р-n перехода. (динамические процессы в р-n- |
|
||||
|
переходе) .................................................................................................... |
30 |
||||
РАЗДЕЛ |
2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ......................................... |
36 |
||||
2.1. |
Полупроводниковые диоды.................................................................... |
36 |
||||
|
§ 1. |
ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ. ...................................................... |
36 |
|||
|
§2. |
|
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ. ................................................... |
38 |
||
|
§ 3. |
ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ................................................................. |
39 |
|||
|
§ 4. |
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ. ................................... |
40 |
|||
|
§ 5. |
СТАБИЛИТРОНЫ. .......................................................................... |
41 |
|||
|
§ 6. |
ВАРИКАПЫ. .................................................................................... |
43 |
|||
|
§ 8. |
ОБРАЩЕННЫЕ ДИОДЫ............................................................... |
43 |
|||
|
§ 8. |
СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ |
|
|||
|
ДИОДОВ. ................................................................................................... |
44 |
||||
|
§ 9. |
РАБОЧИЙ РЕЖИМ ДИОДА. ....................................................... |
44 |
|||
2.2. |
Биполярные транзисторы........................................................................ |
46 |
||||
|
§ 1. |
Общие сведения. Устройство........................................................... |
46 |
|||
|
§ 2. |
Физические процессы, протекающие в VT. Токи VT..................... |
47 |
|||
|
§3. |
|
Основные схемы включения транзисторов. ..................................... |
52 |
||
|
§4 |
|
Влияние температуры на статические характеристики VTа............ |
59 |
||
|
§5 |
|
Эквивалентные схемы замещения транзистора. ............................... |
61 |
||
|
§6 Представление транзистора в виде четырехполюсника и |
|
||
|
системы статистических параметров. ..................................................... |
63 |
||
|
§7 Эл. пар-ры, классификация и система обозначений VTов. ............. |
71 |
||
2.3 |
|
Полевые транзисторы............................................................................... |
72 |
|
|
§1. |
Полевые транзисторы с управляющим переходом.......................... |
72 |
|
|
§2. |
Статические характеристики полевого транзистора с |
|
|
|
управляющим p-n-переходом................................................................... |
73 |
||
|
§3. |
Полевые транзисторы с изолированным затвором.......................... |
78 |
|
2.4. |
Тиристоры (VS)........................................................................................ |
80 |
||
|
§ 1. |
Принцип действия. ............................................................................. |
81 |
|
|
§ 2. |
Математический анализ работы тиристора (не нужно). ................ |
82 |
|
|
§ 3. |
Вольт – амперная характеристика тиристора.................................. |
84 |
|
|
§ 4. |
Типы тиристоров. ............................................................................... |
85 |
|
|
§ 5. |
Особенности работы и параметры тиристоров. .............................. |
87 |
|
2.5. |
Оптоэлектронные полупроводниковые приоры. ................................. |
90 |
||
|
Полупроводниковые излучатели ............................................................. |
90 |
||
|
Фотоприемники (общие сведения) .......................................................... |
92 |
||
|
Фоторезисторы........................................................................................... |
92 |
||
|
Фотодиоды ................................................................................................. |
93 |
||
|
Фотоэлементы ............................................................................................ |
94 |
||
|
Фототранзисторы....................................................................................... |
95 |
||
|
Фототиристоры .......................................................................................... |
96 |
||
|
Оптроны...................................................................................................... |
97 |
||
2.6. |
Интегральные микросхемы .................................................................... |
98 |
||
РАЗДЕЛ 3. УСИЛИТЕЛИ..................................................................................... |
99 |
|||
§1. |
|
Анализ процесса усиления электрических сигналов............................ |
99 |
|
§2. |
|
Работа УЭ с нагрузкой. .......................................................................... |
101 |
|
|
Динамические х-ки.................................................................................. |
101 |
||
|
Нагруз. линии У и их построение.......................................................... |
102 |
||
|
Сквозная характеристика У на биполярном VT.................................. |
105 |
||
§3. |
|
Стр - рная схема У. Классификация У. ................................................ |
107 |
|
|
Общие сведения....................................................................................... |
107 |
||
|
Классификация У..................................................................................... |
108 |
||
§4 |
Основные параметры и характеристики усилителей........................... |
110 |
||
§5 |
Обратная связь в усилителях.................................................................. |
111 |
||
|
Режимы работы УЭ. ................................................................................ |
113 |
||
РАЗДЕЛ 4. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ................................................ |
115 |
|||
Общие сведения ............................................................................................ |
115 |
|||
Инвертирующий усилитель......................................................................... |
116 |
|||
Интегратор..................................................................................................... |
117 |
|||
Содержание .......................................................................................................... |
119 |
|||