- •ВВЕДЕНИЕ
- •§1. Краткие сведения по квантовой механике
- •§2. Уравнение Шредингера
- •§3. Энергетические состояния электронов в водородоподобных системах
- •РАЗДЕЛ 1. ОСНОВЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
- •1.1. Полупроводники
- •Энергетические (зонные) диаграммы полупроводников.
- •Уровень Ферми
- •Физические процессы в полупроводниках
- •Беспримесный полупроводник.
- •Процесс генерации пар зарядов.
- •Примеси в полупроводниках.
- •Дырочный полупроводник (р-типа).
- •1.2 Типы рекомбинации
- •1.3. Электронно-дырочный переход.
- •§1. Классификация. Методы изготовления.
- •§2. Свойства р-n-перехода.
- •Р-n-переход при прямом включении.
- •P-n-переход при обратном включении
- •Учет дополнительных факторов, влияющих на вольт-амперную характеристику диода. Пробой.
- •РАЗДЕЛ 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
- •2.1. Полупроводниковые диоды
- •§ 1. ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ.
- •§2. ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 3. ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 4. СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 5. СТАБИЛИТРОНЫ.
- •§ 6. ВАРИКАПЫ.
- •§ 8. ОБРАЩЕННЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 9. РАБОЧИЙ РЕЖИМ ДИОДА.
- •2.2. Биполярные транзисторы
- •§ 1. Общие сведения. Устройство.
- •§ 2. Физические процессы, протекающие в VT. Токи VT.
- •§3. Основные схемы включения транзисторов.
- •§4 Влияние температуры на статические характеристики VTа.
- •§5 Эквивалентные схемы замещения транзистора.
- •§6 Представление транзистора в виде четырехполюсника и системы статистических параметров.
- •§7 Эл. пар-ры, классификация и система обозначений VTов.
- •2.3 Полевые транзисторы
- •§1. Полевые транзисторы с управляющим переходом.
- •§2. Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
- •§3. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •2.4. Тиристоры (VS)
- •§ 1. Принцип действия.
- •§ 2. Математический анализ работы тиристора (не нужно).
- •§ 3. Вольт – амперная характеристика тиристора.
- •§ 4. Типы тиристоров.
- •§ 5. Особенности работы и параметры тиристоров.
- •2.5. Оптоэлектронные полупроводниковые приоры.
- •Полупроводниковые излучатели
- •Фотоприемники (общие сведения)
- •Фоторезисторы
- •Фотодиоды
- •Фотоэлементы
- •Фототранзисторы
- •Фототиристоры
- •Оптроны
- •2.6. Интегральные микросхемы
- •РАЗДЕЛ 3. УСИЛИТЕЛИ
- •§1. Анализ процесса усиления электрических сигналов
- •§2. Работа УЭ с нагрузкой.
- •Динамические х-ки.
- •Нагруз. линии У и их построение.
- •Сквозная характеристика У на биполярном VT.
- •§3. Стр - рная схема У. Классификация У.
- •Общие сведения.
- •Классификация У.
- •§4 Основные параметры и характеристики усилителей.
- •§5 Обратная связь в усилителях.
- •Режимы работы УЭ.
- •РАЗДЕЛ 4. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
- •Общие сведения
- •Инвертирующий усилитель
- •Интегратор
- •Содержание
|
§5 Обратная связь в усилителях. |
|
|
|
|
|||
|
ОС называют передачу части мощности с-ла с выхода устройства или |
|||||||
какого-либо промежуточного звена на его вход |
|
|
|
|
||||
|
Упрощённая структурная схема У с ОС приведена на рис.19 цепь прямой передачи |
|||||||
характеризующаяся коэффициентом усиления: |
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
вх |
1 |
в |
|
|
|
|
|
|
вх |
1 |
вы |
|
Цепь ОС –коэффициентом передачи цепи |
|
|
ос ос |
|
|||
ОС γ: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где Uос= ,γ , Uвых |
- напряжение на выходе |
|
|
|
|
||
четырёхполюсника ОС |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Доля мощности, |
передаваемая с выхода усилителя |
по цепи ОС на вход, обычно |
|||||
значительно меньше мощности, |
отдаваемой в нагрузку. |
|
|
|
||||
|
ОС может вводиться специально для получения необходимых характеристиках |
|||||||
усилителя, а может возникнуть случайно |
(паразитные |
|
|
|
||||
ОС). |
ОС может охватывать индивидуальные каскады |
|
|
|
||||
или усилитель в целом. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
В связи с этим различают системы |
с |
|
|
|
|||
однопетлевой ОС( рис. 19) и многопетлевой |
(рис. 20). |
|
|
|
|
|||
|
Различают положительную ОС |
(ПОС) |
и |
|
|
|
||
отрицательную(ООС) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
При ПОС напряжение ОС поступает на вход в фазе со входным сигналом, в |
|||||||
результате чего напряжение на входе усилителя складывается. |
При ООС напряжение ОС |
|||||||
поступает на вход в противофазе со входным сигналом, в результате чего напряжение на |
||||||||
входе усилителя определяется разностью напряжений, |
поступающих от источника |
|||||||
сигнала и ОС. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ОС может быть. частотно-зависимой и частотно-независимой. |
|
||||||
|
Цепь ОС может быть подключена ко входу и выходу усилителя различными |
|||||||
способами. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
По способу подключения цепи ОС к выходу усилителя различают: |
|
||||||
1 |
ОС по напряжению, |
когда напряжение ОС пропорционально выходному |
||||||
|
напряжению в этом случае вход цепи ОС присоединён || |
нагрузке |
(рис. 20,а) |
|||||
2 |
ОС по току, когда напряжение ОС пропорционально току. В этом случае вход цепи |
|||||||
|
подключен последовательно с нагрузкой ( рис 20, б) |
|
|
|
||||
3 |
Комбинировать ОС, когда напряжение ОС пропорционально |
как выходному |
||||||
|
напряжению, так и току (рис. 20, в). |
|
|
|
|
|
|
вых |
ш |
|
|
|
|
|
вых |
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
вых |
|
|
вых |
|
|
|
|
ш |
2 |
|
|
|
|
|
|
а) |
|
б) |
|
|
в) |
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 20 |
|
|
|
|
По способу подачи напряжения ОС на вход У различают: |
||
1 |
Последовательную |
ОС, когда напряжение источника сигнала включено |
|
|
последовательно с напряжением ОС (суммирование напряжений ) ( рис 21, а). |
||
2 |
Параллельную ОС |
, когда напряжение ОС и напряжение источника сигнала |
|
|
складываются на общем вх. Сопротивлении Уя ( суммирование токов) (рис |
||
|
21,б) |
|
|
3 |
Комбинированную ОС |
(смешанную) , которая представляет собой сочетание |
|
|
последовательной и параллельной по входу ОС ( рис. 21,в) |
вх |
1 |
вх |
ос |
а)
Рассмотрим в качестве примера влияние ОС в У с последовательной ОС по напряжению (рис. 22).
Определим коэффициент усиления такого Уя.
Пусть К и V величины некомплексные, т.е. без фазовых углов, тогда:
ос 1
вх
б) Рис. 21
вх |
1 |
|
ос |
|
вх |
|
1 |
1 |
|
2 |
|
|
ос |
|
в) |
вых |
н |
Это режим возбуждения или генерации:
|
а) если этот режим выполняется для одной гармоники, то полученное |
|
устройство |
называется генератором синусоидального напряжения. |
|
|
б) если этот режим выполняется для многих гармоникто генератор |
|
импульсного напряжения или релаксационных колебаний. |
||
Усилители с ПОС применяются очень редко. |
||
|
При ООС |
т.е. при введении ООС КU усилителя |
уменьшается, |
однако ООС существенно улучшает остальные параметры усилителя, |
|
поэтому в схемах усилителей ООС нашла широкое применение (уменьшение нелинейных |
||
искажений, напряжений помех) |
|
|
|
ОС существенно |
изменяет входные и выходные сопротивления усилителя, |
влияет на АЧХ и другие характеристики усилителя.
|
Режимы работы УЭ. |
|
||||||||||||
В зависимости от назначения У к |
||||||||||||||
ним |
могут |
|
быть |
|
предъявлены |
|||||||||
следующие |
требования: |
|
получение |
|||||||||||
заданного КU У с определенной его |
||||||||||||||
частотной |
|
|
|
|
и |
|
|
|
фазовой |
|||||
характеристикой; |
|
|
|
|
заданной |
|||||||||
стабильности |
|
параметров |
|
У |
и |
|||||||||
заданных нелинейных искажений, а |
||||||||||||||
также |
|
возможно |
|
максимального |
||||||||||
КПД У. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Заданные |
|
характеристики |
У |
|||||||||||
обеспечиваются |
|
|
|
|
|
выбором |
||||||||
соответствующих |
|
схем, |
|
|
числом |
|||||||||
каскадов У, |
|
введением ОС и т.д.; |
||||||||||||
КПД У зависит от режима работы |
||||||||||||||
УЭ, особенно в оконечном каскаде. |
||||||||||||||
Различают |
|
следующие |
|
режимы |
||||||||||
работы УЭ: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Режим А. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
В этом режиме точку покоя УЭ |
||||||||||||||
выбирают |
таким |
образом, |
|
чтобы |
||||||||||
выходной |
ток |
протекал |
в |
течение |
||||||||||
всего |
периода, |
|
т.е. |
точка покоя |
||||||||||
должна |
|
находится |
|
в |
|
середине |
||||||||
используемой |
|
|
|
|
|
|
рабочей |
|||||||
характеристике |
(рис. 32,а). |
|
|
|
||||||||||
Режим |
|
|
|
А |
|
характеризуется |
||||||||
сравнительно |
|
|
|
|
небольшими |
|||||||||
нелинейными искажениями, |
однако |
|||||||||||||
КПД У довольно низкий, |
т.к. |
|||||||||||||
независимо от амплитуды входного, |
||||||||||||||
а отсюда |
следует, |
|
и |
выходного |
||||||||||
сигнала, |
в выходной цепи протекает |
|||||||||||||
постоянный ток |
Iвых о, амплитудное значение которого: |
|||||||||||||
Im вых ≤ Iвых о. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
- |
0 |
Ø |
|
0 |
Ø |
|
|
|
2 |
При активной нагрузке, включенной непосредственно в выходную цепь, амплитудное |
||
значение выходного |
напряжения оказывается несколько меньше постоянной |
|
составляющей Uвых о, т.е. |
|
|
Um вых ≤ Uвых о ≈ Е / 2. |
|
|
Тогда КПД каскада: |
|
|
η = Р~ / Ро = Um вых· Im вых / 2 Iвых о· Е = Um вых· Im вых / 4 Iвых о· Uвых о ≤ 0,25 |
|
|
При активной нагрузке, включенной через транзистор Um вых ≈ Е и КПД каскада |
η = 0,5. |
Режим В. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
При работе в режиме В УЭ работает с отсечкой выходного тока, где ток в выходной |
||||||||||
цепи протекает в течение половины периода (рис. 32,б). |
|
|||||||||
Режим работы У с отсечкой характеризуется углом отсечки θ, равным половине |
||||||||||
длительности импульса в угловом исчислении. При работе в режиме В угол отсечки: |
||||||||||
|
|
|
|
|
θ В = π |
/ 2, |
|
|
||
КПД каскада: |
η |
= Um вых· |
Im вых / 2 Iвых о· Е |
= π· Um вых / 4·Е ≤ 0,785. |
||||||
В |
энергетическом |
отношении |
|
|
|
|
||||
режим В намного выгоднее режима А, т.к. |
режимах: А(а), В(б), С(в). |
|||||||||
в отсутствие входного сигнала |
(в паузе) |
|||||||||
|
|
|
|
|||||||
потребляемый ток оконечного каскада равен нулю. |
|
|
||||||||
Режим В характеризуется значительными нелинейными искажениями за счет |
||||||||||
появления гармоник четного порядка, поэтому его применяют в двухтактных каскадах, |
||||||||||
где УЭ работают поочередно. Применение двухтактных каскадов, работающих в режиме |
||||||||||
В, позволяет получить хорошую форму |
выходного напряжения за счет уничтожения |
|||||||||
четных гармоник в выходном напряжении. |
|
|
|
|
||||||
Если угол отсечки превышает π / 2, |
то такой режим работы называется АВ. Режим |
|||||||||
АВ занимает промежуточное положение между режимом А и В и позволяет получить |
||||||||||
меньше линейные искажения, |
чем в режиме В. В режиме АВ КПД: η = 50...60 %. |
|||||||||
Режим С. |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
При работе в режиме С угол отсечки θ < π |
/ 2, что обеспечивается определенным |
|||||||||
смещением, подаваемым на входной электрод УЭ |
(рис. 32,в). Преимущество режима С – |
|||||||||
большой КПД, т.к. амплитуда первой гармоники больше среднего значения тока |
||||||||||
η =0,8...0,9. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Режим С применяется в мощных генераторных устройствах и у. где нагрузкой является |
||||||||||
колебательный контур, который выделяет основную гармонику. |
||||||||||
Режим D. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Этот режим используют в У однополярных импульсов, где УЭ находится в двух |
||||||||||
состояниях |
– открытом и закрытом. При открытом состоянии УЭ ток в выходной цепи |
|||||||||
максимальный. Падение напряжения на УЭ минимальное и близкое к нулю. Переход из |
||||||||||
одного состояния |
в |
другое |
происходит скачком, |
выходной ток имеет форму |
прямоугольных импульсов. Режим D применяется в устройствах импульсной техники. КПД таких схем η ≈ 0,9...0,99.