- •ВВЕДЕНИЕ
- •§1. Краткие сведения по квантовой механике
- •§2. Уравнение Шредингера
- •§3. Энергетические состояния электронов в водородоподобных системах
- •РАЗДЕЛ 1. ОСНОВЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
- •1.1. Полупроводники
- •Энергетические (зонные) диаграммы полупроводников.
- •Уровень Ферми
- •Физические процессы в полупроводниках
- •Беспримесный полупроводник.
- •Процесс генерации пар зарядов.
- •Примеси в полупроводниках.
- •Дырочный полупроводник (р-типа).
- •1.2 Типы рекомбинации
- •1.3. Электронно-дырочный переход.
- •§1. Классификация. Методы изготовления.
- •§2. Свойства р-n-перехода.
- •Р-n-переход при прямом включении.
- •P-n-переход при обратном включении
- •Учет дополнительных факторов, влияющих на вольт-амперную характеристику диода. Пробой.
- •РАЗДЕЛ 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
- •2.1. Полупроводниковые диоды
- •§ 1. ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ.
- •§2. ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 3. ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 4. СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 5. СТАБИЛИТРОНЫ.
- •§ 6. ВАРИКАПЫ.
- •§ 8. ОБРАЩЕННЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 9. РАБОЧИЙ РЕЖИМ ДИОДА.
- •2.2. Биполярные транзисторы
- •§ 1. Общие сведения. Устройство.
- •§ 2. Физические процессы, протекающие в VT. Токи VT.
- •§3. Основные схемы включения транзисторов.
- •§4 Влияние температуры на статические характеристики VTа.
- •§5 Эквивалентные схемы замещения транзистора.
- •§6 Представление транзистора в виде четырехполюсника и системы статистических параметров.
- •§7 Эл. пар-ры, классификация и система обозначений VTов.
- •2.3 Полевые транзисторы
- •§1. Полевые транзисторы с управляющим переходом.
- •§2. Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
- •§3. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •2.4. Тиристоры (VS)
- •§ 1. Принцип действия.
- •§ 2. Математический анализ работы тиристора (не нужно).
- •§ 3. Вольт – амперная характеристика тиристора.
- •§ 4. Типы тиристоров.
- •§ 5. Особенности работы и параметры тиристоров.
- •2.5. Оптоэлектронные полупроводниковые приоры.
- •Полупроводниковые излучатели
- •Фотоприемники (общие сведения)
- •Фоторезисторы
- •Фотодиоды
- •Фотоэлементы
- •Фототранзисторы
- •Фототиристоры
- •Оптроны
- •2.6. Интегральные микросхемы
- •РАЗДЕЛ 3. УСИЛИТЕЛИ
- •§1. Анализ процесса усиления электрических сигналов
- •§2. Работа УЭ с нагрузкой.
- •Динамические х-ки.
- •Нагруз. линии У и их построение.
- •Сквозная характеристика У на биполярном VT.
- •§3. Стр - рная схема У. Классификация У.
- •Общие сведения.
- •Классификация У.
- •§4 Основные параметры и характеристики усилителей.
- •§5 Обратная связь в усилителях.
- •Режимы работы УЭ.
- •РАЗДЕЛ 4. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
- •Общие сведения
- •Инвертирующий усилитель
- •Интегратор
- •Содержание
Т.О. , |
при подаче |
на вход переменного напряжения меняется соответственно и ток |
||||||||
Iк., и напряжение UКЭ. С помощью |
выходной |
нагрузочной |
линии (рис.8) |
можно |
||||||
определить выходную мощность усиленного сигнала. |
|
|
|
|
||||||
|
Рвых = Ikm * Ukm/2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
мощность, потребляемую от источника в режиме покоя: |
|
|
|
|
|||||
|
P0 = IK0*EK |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
а также КПД: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
K = PВЫХ/P0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
С |
ростом амплитуды входного сигнала увеличивается |
|
амплитуда |
тока |
IК, а |
|||||
амплитуда |
напряжения |
UКЭ соответственно уменьшается и в т. N VT входит в режим |
||||||||
насыщения. Напомним, |
что в режиме |
насыщения оба перехода открыты, а это означает, |
||||||||
что прямое входное напряжение на этом Э м |
переходе по абсолютной величине превысило |
|||||||||
обратное напряжение VКЭ и Кый переход |
тоже |
открылся. |
|
При подаче на |
вход |
|||||
биполярного VT, работающего в акт. режиме, |
обратного |
напряжения, |
которое по |
|||||||
абсолютной величине больше, прямого напряжения смещения, |
Эый переход закроется, и |
|||||||||
VT попадает в режим отсечки. |
|
|
|
|
|
|
|
|||
Т.о. работа У на биполярном VT |
ограничена в двух точках |
- в точках N VT входит в |
||||||||
режим насыщения, а в точке К - в режиме отсечки. |
|
|
|
|
|
Сквозная характеристика У на биполярном VT.
При наличии входного тока у биполярного VT на внутреннем сопротивлении источника сигнала создается падение напряжения и не вся ЭДС источника попадает на вход VT. Для схемы с ОЭ:
UБЭ = Er - IБRr
Для определения зависимости выходного тока IК от изменения ЭДС источника сигнала Er при наличии нагрузки на выходе строят сквозную динамическую характеристику, для чего используют нагрузочную прямую переменного тока и входную характеристику VT (рис.9 и 10). Для точек пресечения нагрузочной прямой переменного тока со статическими характеристиками VT, находят соответствие значений тока IК и тока IБ. Для каждой из найденных точек по входной характеристике определяют соответствующее ей значение UБЭ. По найденным UБЭ и IБ вычисляют ЭДС источника сигнала.
Еr=UБЭ+IБ*Rr
Вычислив для каждого значения IК нагрузочной прямой соответствующее ему значения Er, строят сквозную динамическую характеристику (рис.11).
Построив нагрузочную прямую для режима постоянного тока и выбрав точку покоя М на ее середине (приблизительно), строится нагрузочная прямая для переменного тока, которая проходит через т. М и (IK0 + UКЭ0/RN).
Для построения сквозной характеристики переменного тока IК = f(Ег) отмечаем точки пересечения нагрузочной прямой переменного тока со статистическими выходными характеристиками VТ, обозначив их цифрами 1..6. Цифрой 3 обозначена точка покоя. Найдем для каждой из точек на выходной характеристике соответствующий ей ток базы. Перенесем найденные значения тока базы IБ соответственно на входную характеристику IБ = f(VБЭ) при UКЭ = UКЭ0. Определим для каждого значения IБ соответствующее ему значение входного напряжения UБЭ. Для каждой точки 1..6 рассчитаем напряжение источника сигнала:
Еr=VБЭ+IБ*Rr
Все полученные данные сводим в таблицу. |
|
|
|
|||
Точки |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
IК |
|
|
|
|
|
|
IБ |
|
|
|
|
|
|
VБЭ |
|
|
|
|
|
|
Ег |
|
|
|
|
|
|
На рис. 11 |
по этим данным построена сквозная характеристика каскада. |
|
K |
|
|
Б6 |
|
|
|
Б5 |
|
КЭО |
Б4 |
|
|
|
|
N |
Б3 |
K |
|
Б2 |
|
|
|
K |
|
|
|
|
Б1 |
|
K |
Рис.10. - Входная |
|
характеристика биполярного |
|
|
КЭО |
|
|
|
VT. |
Рис.9. |
К примеру построения нагрузочных прямых постоянного |
|
|
и переменного токов. |
|
|
K |
|
r
Рис. 11 Сквозная характеристика усилителя
Сквозную характеристику строят для расчета искажений, связанных с нелинейностью статистической характеристики УЭ