- •ВВЕДЕНИЕ
- •§1. Краткие сведения по квантовой механике
- •§2. Уравнение Шредингера
- •§3. Энергетические состояния электронов в водородоподобных системах
- •РАЗДЕЛ 1. ОСНОВЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
- •1.1. Полупроводники
- •Энергетические (зонные) диаграммы полупроводников.
- •Уровень Ферми
- •Физические процессы в полупроводниках
- •Беспримесный полупроводник.
- •Процесс генерации пар зарядов.
- •Примеси в полупроводниках.
- •Дырочный полупроводник (р-типа).
- •1.2 Типы рекомбинации
- •1.3. Электронно-дырочный переход.
- •§1. Классификация. Методы изготовления.
- •§2. Свойства р-n-перехода.
- •Р-n-переход при прямом включении.
- •P-n-переход при обратном включении
- •Учет дополнительных факторов, влияющих на вольт-амперную характеристику диода. Пробой.
- •РАЗДЕЛ 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
- •2.1. Полупроводниковые диоды
- •§ 1. ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ.
- •§2. ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 3. ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 4. СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 5. СТАБИЛИТРОНЫ.
- •§ 6. ВАРИКАПЫ.
- •§ 8. ОБРАЩЕННЫЕ ДИОДЫ.
- •§ 9. РАБОЧИЙ РЕЖИМ ДИОДА.
- •2.2. Биполярные транзисторы
- •§ 1. Общие сведения. Устройство.
- •§ 2. Физические процессы, протекающие в VT. Токи VT.
- •§3. Основные схемы включения транзисторов.
- •§4 Влияние температуры на статические характеристики VTа.
- •§5 Эквивалентные схемы замещения транзистора.
- •§6 Представление транзистора в виде четырехполюсника и системы статистических параметров.
- •§7 Эл. пар-ры, классификация и система обозначений VTов.
- •2.3 Полевые транзисторы
- •§1. Полевые транзисторы с управляющим переходом.
- •§2. Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
- •§3. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •2.4. Тиристоры (VS)
- •§ 1. Принцип действия.
- •§ 2. Математический анализ работы тиристора (не нужно).
- •§ 3. Вольт – амперная характеристика тиристора.
- •§ 4. Типы тиристоров.
- •§ 5. Особенности работы и параметры тиристоров.
- •2.5. Оптоэлектронные полупроводниковые приоры.
- •Полупроводниковые излучатели
- •Фотоприемники (общие сведения)
- •Фоторезисторы
- •Фотодиоды
- •Фотоэлементы
- •Фототранзисторы
- •Фототиристоры
- •Оптроны
- •2.6. Интегральные микросхемы
- •РАЗДЕЛ 3. УСИЛИТЕЛИ
- •§1. Анализ процесса усиления электрических сигналов
- •§2. Работа УЭ с нагрузкой.
- •Динамические х-ки.
- •Нагруз. линии У и их построение.
- •Сквозная характеристика У на биполярном VT.
- •§3. Стр - рная схема У. Классификация У.
- •Общие сведения.
- •Классификация У.
- •§4 Основные параметры и характеристики усилителей.
- •§5 Обратная связь в усилителях.
- •Режимы работы УЭ.
- •РАЗДЕЛ 4. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
- •Общие сведения
- •Инвертирующий усилитель
- •Интегратор
- •Содержание
§7 Эл. пар-ры, классификация и система обозначений VTов.
Основные Эл. пар-ры VTов, приводимые в справочниках: - h21э (β)-диф. коэф-т передачи тока базы;
- Iкбо -обратный ток К;
-fгр- граничная частота(или fh21б – предельная частота). Иногда в справочниках вместо fгр или fh21б приводится ч-та, при которой измерен диф. коэф-т передачи тока базы. В этом случае граничная частота может быть определена по ф-ле fгр = h21э fизм..
Для многих VTов в справочниках приводятся так же значения постоянной времени цепи ОС rбcк и емкости кго перехода ск.
К основным параметрам VT относятся также важнейшие параметры предельных режимов, которые рекомендуется не превышать, но при которых еще обеспечивается заданная надежность. Это максимально допустимые:
-Uкбmax-постоянное обратное напряжение К-Б; |
|
|
|
|
|
||||||||||
-Uкэmax- постоянное напряжение К-Э; |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
-Iкmax- постоянный ток К; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
-Pкmax- мощность на К; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
-tпmax- температура кго перехода |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
VTы принято классифицировать в основном по двум наиболее важным |
|||||||||||||||
показателям: максимально допустимой мощности рассеяния на К и граничной частоте. |
|
||||||||||||||
По мощности рассеяния |
VTы делятся на группы: малой мощности(Pкmax до |
0,3 |
|||||||||||||
Вт), средней(0,3…1,5 Вт) и большой(>1,5 |
Вт). В свою очередь, VTы каждой из этих групп |
||||||||||||||
делятся на |
низкочастотные |
(с |
fгр |
до |
3МГц), |
среднечастотные |
(3…30 |
МГц) |
и |
||||||
высокочастотные |
(>30 |
МГц). VTы |
с граничной частотой более |
300 |
МГц относятся к |
||||||||||
сверхвысокочастотным. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Обозначение VTов согласно ГОСТ |
10862-72 состоит из пяти элементов; н-р |
|
|||||||||||||
К Т 3 12 Б |
– Si VT малой мощности, высокой частоты, |
№ разр. 12, группы Б. |
|
||||||||||||
К |
|
Т |
|
3 |
|
|
|
|
12 |
|
|
Б |
|
|
|
Буква |
или |
VT, бип. |
Указывает |
на |
Число, |
обозн. |
Буква, |
х-щая |
|||||||
цифра |
|
|
|
принадлежность |
порядоковых |
|
деление |
|
|
||||||
обозначает |
|
|
|
к |
одной |
из |
номер |
|
|
технологического |
|||||
исходные |
|
|
|
приведенных |
|
разработки |
VT |
типа |
VT |
на |
|||||
материалы |
|
|
|
выше |
|
групп |
по |
от 01 до 99 |
|
параметрические |
|||||
Г,1-Ge;К,2-Si; |
|
|
Рmax |
и fгр, н-р., |
|
|
|
группы. |
|
|
|||||
А,3- арсенид Ga |
|
|
3-мал. |
|
|
Р, |
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
высокоч-тн. |
|
|
|
|
|
|
|
||||